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  • 富士康內(nèi)鬼賺3億是怎么回事?富士康內(nèi)鬼賺3億驚動庫克

    有爆料稱iPhone最大的代工廠富士康有內(nèi)部員工盜賣iPhone零組件牟利，對此富士康母公司鴻海發(fā)表聲明，稱已啟動調(diào)查，一旦查實絕不寬恕。 12月19日，有媒體帶來了關(guān)于盜賣零件的最新消息(官方未確認)，媒體表示在過去3年間，一些內(nèi)地富士康工廠的經(jīng)理盜取iPhone零件并幫助中國臺灣商人獲取并組裝有缺陷的iPhone，完成后這些“組裝機”就會流通到市面上進行銷售，截至目前這份流水線已經(jīng)賺取了約4300萬美元，約合人民幣3億元。 此外還有消息稱，是蘋果公司率先意識到了此事，似乎舉報人直接與蘋果CEO庫克進行了聯(lián)系，隨后蘋果審計團隊領(lǐng)導了對此事件的調(diào)查。 對此富士康前董事長拒絕置評此事，他表示富士康有超過100萬名員工，因為一兩個工人發(fā)生不合理的事情很正常。 此前鴻海方面發(fā)表官方聲明，強調(diào)公司一向依循嚴謹?shù)墓菊?，不對任何有關(guān)客戶或其產(chǎn)品線的傳言、臆測，任意發(fā)表評論。而有關(guān)媒體報導集團新聞，查證過程僅以電話、電郵文字片段訊息，即要求在兩小時內(nèi)限時回應，公司基于實事求是，第一時間已啟動查核SOP，但在尚無明確結(jié)論情況下，實難配合媒體截稿時程說明。 鴻海也指出，公司一直遵循誠信經(jīng)營守則，亦要求所有員工務須恪守職場道德與相關(guān)規(guī)范，故無論媒體報導內(nèi)容是否屬實，公司都愿以最嚴謹?shù)膽B(tài)度面對與查察，因此公司不但已啟動內(nèi)部稽查程序，并同時報請有關(guān)單位進行偵查辦理，一旦查明屬實，公司絕不寬貸。   富士康內(nèi)鬼賺3億是怎么回事？

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  • 傳博通有意出售射頻芯片業(yè)務，100億美元!蘋果或接盤

    12月19日消息 據(jù)報道，蘋果供應商博通正在尋求出售其無線芯片部門之一，而蘋果可能是潛在的買家?！度A爾街日報》今天報道，博通正在與瑞士信貸合作，為其無線芯片業(yè)務的射頻(RF)業(yè)務尋找買家。 該報道稱，博通RF部門在2019財年帶來了22億美元的收入，這意味著它“可能價值100億美元”。這一數(shù)字是否“可實現(xiàn)”尚不清楚，而且這一過程處于“早期階段”，報道指出。 博通的RF單元制造用于智能手機的濾波器，以使信號更清晰。其技術(shù)是該行業(yè)的“市場領(lǐng)導者”，但面臨著新的競爭，競爭對手Qorvo Inc.已開發(fā)出另一種過濾技術(shù)，該技術(shù)小巧、可靠，可以替代傳統(tǒng)的FBAR。 誰會收購博通RF部門呢?目前還沒有相關(guān)傳聞，不過蘋果可能會有興趣。2018財年，博通凈營收約有28%來自蘋果。今年6月，博通與蘋果的供應合同延長2年，博通承諾為蘋果提供定制RF前端組件和模塊。如果博通繼續(xù)出售無線業(yè)務部的其它部分，蘋果可能還會找到其它收購目標。 蘋果正在建立自己的內(nèi)部調(diào)制解調(diào)器業(yè)務，并且最近收購了英特爾的智能手機芯片業(yè)務以加快這一進程。收購博通的RF部門與蘋果擴展的網(wǎng)絡項目非常吻合。蘋果是否準備斥資超過100億美元進行收購還有待觀察。 此外外媒seekingalpha對博通近期剛公布了第四財季財務業(yè)績解讀后，分析認為博通出售RF業(yè)務是必然的，歸納為如下兩條原因： Broadcom第四財季的最大驚喜不是財務或指導，而是將無線和工業(yè)芯片業(yè)務重新定性為非戰(zhàn)略資產(chǎn)。 重新進入硅光子學和基站處理器業(yè)務將需要前期研發(fā)投資，但要符合Broadcom的更廣泛功能并提供龐大的可尋址市場。 博通近期剛公布了第四財季財務業(yè)績，銷售收入增長了大約6%(包含所收購的CA業(yè)績)。半導體業(yè)務銷售收入下滑了7%，基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務銷售收入環(huán)比增長5%，CA的健康增長抵消了存儲區(qū)域網(wǎng)絡業(yè)務的持續(xù)疲軟。分析師認為，盡管博通總銷售收入環(huán)比增長了4%，但其大多數(shù)核心市場已經(jīng)觸底。對于下個財季，管理層預計，在半導體業(yè)務中，RF業(yè)務將增長高個位數(shù)(一定程度上歸因于獲得蘋果訂單)，WiFi將下滑個位數(shù)，而網(wǎng)絡/基礎(chǔ)設(shè)施由于核心網(wǎng)絡/數(shù)據(jù)中心的良好增長將增長7%左右。 博通從來都不是一個固步自封的公司。當業(yè)務不再滿足管理層的長期目標/要求時，公司通常會迅速采取行動以處置業(yè)務或轉(zhuǎn)向使運營現(xiàn)金流最大化。在本季度更新中，管理層宣布了一些重大的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。 最大的轉(zhuǎn)變是將無線業(yè)務重新定性為一種財務而非戰(zhàn)略資產(chǎn)。這項業(yè)務約占博通半導體銷售收入的33%，博通長期以來一直在FBAR濾波器和無線連接領(lǐng)域處于領(lǐng)導地位，并在功率放大器等其他領(lǐng)域享有可觀的份額。盡管這一消息讓人感到意外，但不久之前，許多分析師和投資者都在敦促該公司退出無線業(yè)務，并認為由于手機銷量增長放緩和來自蘋果等OEM的Pushback增加，該業(yè)務將不再是增長業(yè)務。 另一方面，博通將返回一些較老的業(yè)務，以尋找新的增長機會。博通重新收購了出售給富士康的光收發(fā)器資產(chǎn)，現(xiàn)在，該公司已經(jīng)準備好進軍硅光子領(lǐng)域，因為它在Switch Silicon領(lǐng)域的強勢地位可能會構(gòu)成嚴重威脅。管理層還宣布了打算在基站處理器領(lǐng)域競爭的計劃，因為與Axxia出售相關(guān)的與英特爾的僵局已經(jīng)結(jié)束。鑒于博通在SoC方面的整體能力，這也可能是一個有吸引力的長期機會。通過這些舉措，博通將其研發(fā)支出增加數(shù)億美元。分析師認為，對于數(shù)十億美元的長期機會來說，這是值得的。 博通本身并不是戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變，但公司承認思科已經(jīng)從客戶向競爭對手轉(zhuǎn)變。近日，思科推出Silicon One系列定制芯片，它將與博通的Tomahawk/Jericho平臺競爭。鑒于思科一直在進行的各種投資(包括收購Acacia)，這不足為奇。不過，分析師認為，思科仍面臨艱巨的任務--思科進行內(nèi)部Silicon的研發(fā)已經(jīng)一段時間，但還是不得不依靠博通，包括采用后者的Tomahawk/Jericho產(chǎn)品和定制硅功能(這方面Acacia也不得不依賴博通)。隨著博通每兩年實現(xiàn)2倍的性能提升(最近出樣的7nm Tomahawk 4的25.6Tbps吞吐量在其Tomahawk 3基礎(chǔ)上翻了一番)，思科要超越不容易。 總體而言，分析師認為，博通至少仍在一定程度上押注首席執(zhí)行官Hock Tan的管理才能，尤其是在轉(zhuǎn)向基礎(chǔ)架構(gòu)軟件以及重新定性無線和工業(yè)芯片業(yè)務的決定方面，而博通股票作為核心技術(shù)控股也仍具有吸引力。

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  • 美光科技發(fā)布2020財年第一季財報，凈利同比降85%

    12月19日，美光科技發(fā)布了該公司2020財年第一財季財報。報告顯示，美光科技第一財季營收為51.44億美元，與去年同期的79.13億美元相比下降35%;凈利潤為4.91億美元，與去年同期的32.93億美元相比下降85%。美光科技第一財季業(yè)績超出華爾街分析師預期的49.9億美元，從而推動其盤后股價漲逾3%。 美光科技預測，該公司2020財年第二財季營收將達45億美元至48億美元;毛利率將達26%，上下浮動1.5個百分點;不按照美國通用會計準則的毛利率將達27%，上下浮動1.5個百分點;利息支出將達500萬美元，不按照美國通用會計準則的利息支出為零;每股攤薄收益將達0.25美元，上下浮動0.06美元;不按照美國通用會計準則，每股攤薄收益將達0.35美元，上下浮動0.06美元，均不及分析師預期。據(jù)雅虎財經(jīng)頻道提供的數(shù)據(jù)顯示，27名分析師此前平均預期美光科技第二財季每股收益將達0.41美元，28名分析師此前平均預期其營收將達47.8億美元。  

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  • AMD 7nm APU已覆蓋EPYC服務器：28款SKU、GPU 832個流處理器

     盡管7nm Zen2架構(gòu)已經(jīng)覆蓋EPYC服務器平臺、桌面銳龍、發(fā)燒級線程撕裂者，可價格更實惠的APU卻遲遲未到。驅(qū)動顯示，“雷諾阿”APU將有四大類別，分別是15W超低功耗、45W筆記本、65W桌面和35W桌面節(jié)能版，SKU多達28款。 雖然CPU是Zen 2架構(gòu)，但GPU是Vega，不過引入了一些Navi RDNA架構(gòu)上的多媒體特性等。雷諾阿集成的GPU最多會有13組CU(標壓筆記本平臺)，也就是832個流處理器，桌面最多11組CU。 關(guān)于代號“Renoir(雷諾阿)”的APU詳情，有發(fā)燒友從AMD 12月上線的Bootcamp驅(qū)動文件中發(fā)現(xiàn)端倪。此前，AMD曾表示，移動APU產(chǎn)品會在明年一季度登場。

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  • AMD三代線程撕裂者CPU開蓋鑒賞：ROG Strix TRX40-E主板 64核若隱若現(xiàn)

     眾所周知，第三代銳龍線程撕裂者處理器3970X(首發(fā)價15299元)和3960X(首發(fā)價10699元)已經(jīng)上市有段時間了，銳龍3970X設(shè)計為32核64線程，基頻3.7GHz，加速4.5GHz，L2+L3緩存共144MB。3960X設(shè)計為24核48線程，基頻3.8GHz，加速4.5GHz，L2+L3共140MB。 德國大神“der8auer”自然不會放過開蓋的機會。這次他雖然遇到了一點小小問題，但最終進行散熱改裝后，還是成功啟動了Windows系統(tǒng)，并運行Cinebench壓力測試。 為了對比，尚未開蓋前，3960X運行在華碩ROG Strix TRX40-E主板、EK水冷頭環(huán)境下，1.392V電壓下全核最高頻率4.3GHz，運行Cinebench R20時，溫度85~86攝氏度。     開蓋看起來并不復雜，先用刀片將固定IHS的頂蓋稍微翹起(讓膠水脫膠)，接著用專門的開蓋器固定并放入烤箱加熱。隨著釬焊材料融化，掀開頂蓋的操作就變得異常容易。 可以清楚地看到處理器內(nèi)四個CCD圍繞著一個I/O Die，而且還能看到外圍安放另外4個CCD的模具痕跡，也就是組成64核128線程3990X的可能性。

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  • 百度自研AI芯片明年量產(chǎn)，不出意外，代工廠選了這家！

    2019年12月17日，百度和三星宣布，百度首款云到邊緣人工智能加速處理器百度昆侖已完成開發(fā)，將于明年初量產(chǎn)。芯片將采用三星的14納米制造工藝以及I-Cube TM封裝解決方案。 百度造芯片并不是什么新鮮事了，早在幾年前就開始了布局，但是選擇三星代工量產(chǎn)還是首次。 在今年的百度2019AI開發(fā)者大會上，百度發(fā)布了鴻鵠芯片，這是一款遠場語音交互芯片，現(xiàn)場演示顯示，在沒有用喚醒詞的情況下，基于鴻鵠的設(shè)備可以無障礙地輕松對話。據(jù)介紹，鴻鵠芯片使用了HiFi4自定義指令集，雙核DSP核心，擁有超大內(nèi)存，低功耗的特點且擁有車規(guī)級標準的工藝水平。鴻鵠芯片可以應用于車載語音交互、智能家具等場景。 而在鴻鵠之前，百度更早的時候就宣布了昆侖芯片。   百度昆侖芯片基于百度自主研發(fā)的，面向云、邊緣和人工智能的神經(jīng)處理器架構(gòu)XPU。這款芯片提供512 GBps的內(nèi)存帶寬，在150瓦的功率下實現(xiàn)260 TOPS的處理能力。此外，這款新的芯片支持針對自然語言處理的預訓練模型Ernie，推理速度比傳統(tǒng)GPU/FPGA加速模型快3倍。 借助這款芯片的計算能力和能效，百度可以支持包括大規(guī)模人工智能計算在內(nèi)的多種功能，例如搜索排序、語音識別、圖像處理、自然語言處理、自動駕駛和PaddlePaddle等深度學習平臺。 對于此次百度選擇三星14nm代工昆侖芯片，雙方也是極為重視。 百度架構(gòu)師歐陽劍表示：“我們很高興能與三星Foundry一起引領(lǐng)HPC行業(yè)。百度昆侖芯片是一個極具挑戰(zhàn)性的項目，因為它不僅要求高水平的可靠性和性能，而且還匯集了半導體行業(yè)最先進的技術(shù)。多虧了三星最先進的工藝技術(shù)和鑄造服務的支持，使得我們能夠達到并超過我們提供卓越AI用戶體驗的目標。” 三星電子代工營銷部副總裁Ryan Lee說：“我們很高興能使用我們的14納米工藝技術(shù)為百度提供新的代工服務。百度昆侖芯片是Samsung Foundry的一個重要里程碑，我們正在通過開發(fā)和批量生產(chǎn)AI芯片，將我們的業(yè)務領(lǐng)域從移動擴展到數(shù)據(jù)中心應用方面。三星將提供全面的代工解決方案，從設(shè)計支持到尖端制造技術(shù)，如5LPE、4LPE以及2.5D封裝等。” 隨著人工智能AI應用的爆發(fā)，高性能計算引發(fā)了新興AI芯片的競爭，相比傳統(tǒng)的CPU\GPU，這種AI芯片采用全新的架構(gòu)，能實現(xiàn)更高的性能和能效表現(xiàn)，據(jù)英特爾預計，快速增長的AI硅市場在2024年將超過250億美元。

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  • 吸引頭部芯企涌入，IC PARK打造中國芯旗艦

    提到集成電路產(chǎn)業(yè)，你最先想到的是什么?中興事件、華為海思、阿里含光800......但真正要了解集成電路產(chǎn)業(yè)的分量，還要從硅谷談起。一個世紀以來，硅谷從一片果園發(fā)展為當今電子工業(yè)和計算業(yè)的集群地，創(chuàng)造了無數(shù)個科技神話。目前，全球經(jīng)濟格局正加速演進，當全世界的目光都聚焦在集成電路高科技產(chǎn)業(yè)集群時，中國集成電路設(shè)計行業(yè)的頭部力量正在北京加速匯聚融合，推動國內(nèi)芯片設(shè)計的自主創(chuàng)新向更深層次邁進。 全球集成電路產(chǎn)品出口圖譜 注：圖片來源于賽迪智庫 企業(yè)、人才扎堆的北京，如何實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)聚集，促進科技創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化，讓中國集成電路產(chǎn)業(yè)躋身世界一流，是需要政府、企業(yè)思考的關(guān)鍵問題，也是破解行業(yè)難題的重中之重。 搶占科技創(chuàng)新風口，謀劃下一個十年 《麻省理工科技評論》中曾提到，“全世界的城市都在試圖復制硅谷，但到目前為止，只有一座城市成為硅谷真正的競爭對手，它就是北京。” 新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革正在以前所未有的深度、廣度和力度，重塑人類社會的發(fā)展圖景，站在新風口之上，北京充分利用科技創(chuàng)新成果把握時代機遇，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)迭代升級的奔跑加速度。集成電路是當今信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的源動力，2019年全國IC設(shè)計總銷售額3084.9億元，其中北京銷售額577億元，占全國銷售額的18.7%，智力資源、產(chǎn)業(yè)規(guī)模、技術(shù)水平在全國占有舉足輕重的地位。 北京市委書記蔡奇察看集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 近日，北京市委書記蔡奇在海淀區(qū)中關(guān)村集成電路設(shè)計園(以下簡稱“IC PARK”)調(diào)研時指出，北京正在以“三城一區(qū)”為主平臺建設(shè)全國科技創(chuàng)新中心。各類高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)對于營造良好創(chuàng)新生態(tài)，帶動高精尖產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。中關(guān)村科學城是“三城一區(qū)”之一，也是構(gòu)建高精尖產(chǎn)業(yè)的前沿陣地，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，其范圍擴展到海淀北部乃至海淀全區(qū)。目前已經(jīng)有聯(lián)想、百度、騰訊、IBM等2000多家國內(nèi)外科技創(chuàng)新型企業(yè)扎堆涌入，并形成了永豐產(chǎn)業(yè)基地、中關(guān)村芯園、IC PARK、中關(guān)村環(huán)保園等專業(yè)化園區(qū)，成為我國單位經(jīng)濟產(chǎn)出和智力密度最高的地方。 著名獨立經(jīng)濟學家馬光遠曾表示“在下一個十年，海淀最有前景的地方就是海淀北部新區(qū)，北京科技創(chuàng)新的新增長點以及中關(guān)村未來的新發(fā)展就在海淀北部新區(qū)。”不僅如此，海淀匯聚了清華大學、北京大學、中國人民大學等一批高精尖科研院校，是中國人才最扎堆的區(qū)域。 政企合力共建，扛鼎國家戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè) 集成電路產(chǎn)業(yè)是我國的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)。先天的資源稟賦為北京發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)提供了充分且必要條件，但眾所周知，集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展絕不是一朝一夕、一人一企之事。自中興、華為事件爆發(fā)之后，真正讓國人認識到我國在芯片設(shè)計領(lǐng)域中的不足。2019年雖然涌入了眾多新老玩家，但是華為、小米、中興在芯片研發(fā)上均投入了大量的人力、物力以及時間成本，華為海思正式轉(zhuǎn)正經(jīng)歷了14年，小米投入10億元人民幣自主研發(fā)彭拜芯片，雷軍也因此發(fā)出了“九死一生”的吶喊?？梢哉f，集成電路產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了巨頭涌入、難而且堅的局面。 中國芯片設(shè)計領(lǐng)域面臨的制造設(shè)備落后、自主IP缺失、EDA工具基本靠進口等“卡脖子”問題亟待破解。產(chǎn)業(yè)園區(qū)是高精尖產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要承載地，在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上，北京已經(jīng)形成了“北設(shè)計、南制造”的發(fā)展格局，IC PARK落筆海淀北部北清路前沿科創(chuàng)發(fā)展軸黃金C位，承擔著推動芯片設(shè)計發(fā)展的重任，需要借助政府、企業(yè)多者之合力，為中國芯崛起添磚加瓦。 聚集高精尖企業(yè)，打造中國“芯”生態(tài) 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展不僅需要政府的“頂層設(shè)計”，更需要園區(qū)將其落到實處。 IC PARK對標世界一流園區(qū)，運營一年以來，已經(jīng)聚集了比特大陸、兆易創(chuàng)新、兆芯、文安智能在內(nèi)的數(shù)十家IC設(shè)計龍頭企業(yè)和50余家上下游企業(yè)，實現(xiàn)年產(chǎn)值240億元，占全市集成電路設(shè)計領(lǐng)域的42%，強化“北設(shè)計”的科創(chuàng)優(yōu)勢，開創(chuàng)“中關(guān)村速度”。預計到2—3年，入園企業(yè)超150家、300億元產(chǎn)值、50億元稅收，聚焦芯片設(shè)計，依托區(qū)位和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展優(yōu)勢，全維賦能芯片企業(yè)發(fā)展，打造中國集成電路行業(yè)芯旗艦。 IC PARK園區(qū)實景圖 開園之后，園區(qū)堅持產(chǎn)業(yè)組織先行、產(chǎn)業(yè)服務前置，IC PARK整合海淀區(qū)豐富的產(chǎn)業(yè)研資源，掘金海淀區(qū)科創(chuàng)企業(yè)集群、產(chǎn)發(fā)展高地、扶持政策、豐厚資本和人才儲備等方面的優(yōu)勢，打通企業(yè)與企業(yè)、政策、人才、資本的溝通壁壘，構(gòu)建了“一平臺三節(jié)點”為核心的全方位立體化產(chǎn)業(yè)服務體系，讓高精尖企業(yè)走進來，共商共建集成電路產(chǎn)業(yè)新高地。 IC PARK“一平臺 三節(jié)點”產(chǎn)業(yè)服務體系 與此同時，IC PARK以平臺為基礎(chǔ)，打造基金、孵化、芯學院三大輕資產(chǎn)模塊，破解困擾芯片設(shè)計企業(yè)的資金、項目、人才難題。IC PARK成立了認股權(quán)池，總規(guī)模15億元的中關(guān)村集成電路產(chǎn)業(yè)基金，以及芯創(chuàng)空間(孵化器)和芯學院，讓這里成為中國芯片設(shè)計企業(yè)成長的搖籃。

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  • 麒麟1020處理器：直接使用Cortex-A78架構(gòu)性能再提升50%

     近日，麒麟1020在網(wǎng)上曝光，在性能方面進行了升級，性能較麒麟990系列提升了50%。據(jù)GSMArena報道，麒麟1020有可能越過Cortex-A77，直接使用Cortex-A78架構(gòu)，并采用臺積電5nm制程工藝。如果該消息屬實，麒麟1020不僅在能效比，還會在性能上較麒麟990系列擁有更大的突破。 眾所周知，在今年9月，華為正式推出了麒麟990系列處理器，集成了5G基帶同時支持SA/NSA 5G雙模組網(wǎng)，并由華為Mate30系列手機首發(fā)。     值得注意的是，目前臺積電5nm制造工藝的生產(chǎn)良率已經(jīng)達到了50%，預計最快明年第一季度實現(xiàn)量產(chǎn)。     麒麟990 5G 不過現(xiàn)在就開始把注意力集中在麒麟1020上未免太早，而且以麒麟990系列為核心的機型，比如華為Mate30系列，榮耀V30系列等，在性能和5G方面仍然屬于目前的頂尖水平。 不出意外的話，麒麟1020還將會在5G方面有新的突破，比如更快的上傳下載速率、更快的網(wǎng)絡切換等。至于發(fā)布時間，按照以往的發(fā)布時間，麒麟1020預計最快將于明年9月發(fā)布，并由下一代Mate系列手機首發(fā)。

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  • 英特爾挖角格芯CTO：“三分天下”的晶圓之戰(zhàn)開始發(fā)力

    12月13日 訊 - 前幾日，英特爾的制造工藝路線被披露，雖然ASML擅自在路線圖中增加了7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm的標注，但總體2年一次更替的摩爾定律仍在進行之中。 而在目前最新的消息顯示，英特爾（Intel）最近招攬了前格芯（GlobalFoundries）CTO、前IBM微電子業(yè)務主管Gary Patton博士。當然，為了做好新的CPU/GPU架構(gòu)，Intel還批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批業(yè)界牛人。 目前來說，格芯已經(jīng)改變了投資策略，取消了7nm、5nm的工藝研發(fā)，專注進行14/12nm方面工藝和專用性的22FDX、12FDX。所以Gary Patton這樣的人才仍然可以再一線研發(fā)對他來說是一件好事。 目前來說，在晶圓廠之戰(zhàn)已變?yōu)?ldquo;三分天下”的格局，這三家分別是英特爾、臺積電、三星。 英特爾方面，日前報道中爆料的2年一更新的制程之路來說，雖然這是一個烏龍事件，但這是第一個被ASML爆料出的1.4nm工藝。當然，英特爾還強調(diào)了在每個流程節(jié)點之間，將會有迭代的+和++版本，以便從每個流程節(jié)點提取性能。但在EUV方面，仍然需要至2021年才會上EUV設(shè)備。 臺積電方面，眾所周知在EUV工藝上屬于“熟練掌握”的玩家，誠然晶圓廠在標注制程方面通常也會使用一些技巧導致臺積電7nm工藝與英特爾10nm工藝性能并無二異。但單純從數(shù)字上面來看，目前臺積電已在5nm方面進入量產(chǎn)倒計時，3nm與2nm已提上了日程并且遠比英特爾要早。不過有了之前的經(jīng)驗，或許性能方面仍然不會有差別。 三星方面，則穩(wěn)扎穩(wěn)打，從14nm、10nm、7nm、3nm四個主要節(jié)點進行規(guī)劃，而在3nm節(jié)點以后，三星要放棄FinFET轉(zhuǎn)向GAA晶體管，3GAE工藝和3GAP工藝的優(yōu)化改良之路還遠矣。 摩爾定律的2年一更新仍然在持續(xù)之中，而如若走在在1nm制程以下，摩爾定律該如何繼續(xù)延續(xù)，這將成為一個嚴肅的問題。

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  • 大手筆！三星電子閃存芯片項目二期規(guī)模達150億美元

    為促進NAND閃存芯片的生產(chǎn)，三星電子日前啟動了芯片項目二期第二階段的投資。 據(jù)悉，位于中國陜西西安高新綜合保稅區(qū)的二期項目總投資為150億美元，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約為70億美元，將于2020年3月竣工投產(chǎn)；第二階段投資約為80億美元，將于2021年下半年竣工。預計二期項目建成后，三星電子閃存芯片項目每月產(chǎn)能將新增13萬片、產(chǎn)值將新增300億元。

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  • 英特爾首次公開1.4nm工藝？官方：ASML自作主張修改了PPT

    12月12日 訊 - 近日，據(jù)多家外媒報道，在IEEE國際電子設(shè)備會議(IEDM)上，一張英特爾即將推出的制造工藝的擴展路線圖被透露，其中顯示，英特爾未來將推出7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm工藝。而這張圖是由ASML發(fā)言人在會議上展示的，ASML表示，此圖為英特爾9月在一次光刻會議上展示的。然而英特爾方面則澄清，這張圖被ASML修改過了。 ASML發(fā)言人展示的路線圖 通過對比，的確英特爾并未標注出制程的具體信息，不過大致的路線是相同的。 英特爾澄清的路線圖 作為其合作伙伴，ASML對于英特爾的工藝路線可謂是心知肚明，這樣擅自更改PPT并公開究竟是何種原因造成的，目前尚未擁有確切消息。有媒體猜測，兩張路線圖都是在2021年才會使用上EUV設(shè)備，這是否是一種催單也并非不可能。 在IEDM會議上，關(guān)于5nm的討論很多，因此其中一些改進，諸如制造、材料、一致性等，最終將最終以英特爾的5nm工藝結(jié)束，這取決于與之合作的設(shè)計公司(歷史上是應用材料公司(ASML))。 不過可以確定的是，在摩爾定律方面，英特爾依然是處于“尋路”模式，超越5nm，即3nm / 2nm / 1.4nm，當然繼續(xù)在摩爾定律上面“死磕”將會是一筆不小的花費。 值得一提的是，英特爾的這張路線圖還提到了在舊工藝的升級版本中進行“反向移植”（ Backport）帶來的機會。包括可以將7nm產(chǎn)品反向移植到10nm+++，可以將5nm產(chǎn)品反向移植到7nm++，可以將3nm產(chǎn)品反向移植到3nm++，而可以將2nm產(chǎn)品反向移植到3nm ++。不過，對于1.4nm節(jié)點沒有提到反向移植。 另外，今年IEDM上的一些演講使用的是所謂的“ 2D自組裝”材料，其尺寸大約為0.3nm，這么小的尺寸并不新鮮，但對于硅而言很新鮮。 值得注意的是，5nm被列為2023年的節(jié)點，大約在ASML開始銷售其“高NA” EUV機的時候，以幫助在制造過程中更好地定義路徑。并不確定High NA是否會在5nm或3nm處攔截，假設(shè)英特爾的此路線圖的日期正確且英特爾能夠堅持下去，但這是需要考慮的問題。

    半導體 英特爾 制程 asml euv

  • 首顆5G衛(wèi)星出廠：“太空互聯(lián)網(wǎng)”意味著什么？

    12月12日 訊 - 日前，據(jù)國內(nèi)商業(yè)航天企業(yè)銀河航天(北京)科技有限公司在北京宣布，該公司將于本月底發(fā)射5G衛(wèi)星。 據(jù)悉，此次為國內(nèi)首顆由商業(yè)航天公司研制且對標國際水平的5G低軌寬帶衛(wèi)星。 目前衛(wèi)星已經(jīng)完成研制，并已出廠開展了相關(guān)測試。 在通信能力方面，該衛(wèi)星為可達到10Gbps的5G低軌帶寬衛(wèi)星，也是全球首顆Q/V頻段的低軌衛(wèi)星帶寬衛(wèi)星，也是我國首顆由商業(yè)航天公司研制的200公斤量級衛(wèi)星。 據(jù)媒體介紹，這顆衛(wèi)星單星可覆蓋約30萬平方公里，約等同于50個上海市面積。

    半導體 衛(wèi)星 5G q/v

  • 仍然相信摩爾定律？ 英特爾未來10年制程節(jié)點路線圖曝光！

    近日，在IEEE國際電子設(shè)備會議(IEDM)上，一個有趣的公開內(nèi)容是即將到來的制程節(jié)點技術(shù)。到目前為止，幾乎每個環(huán)節(jié)都涵蓋了7nm、5nm和3nm工藝。我們沒想到英特爾即將推出的制造工藝的擴展路線圖會被透露。英特爾10nm制程節(jié)點的一再延期使其無論在先進半導體制程的領(lǐng)先性還是在CPU的競爭中都面臨更大壓力。英特爾顯然已經(jīng)感受到這些壓力并正在釋放積極信號。 根據(jù)IEDM公布的一張幻燈片，英特爾未來十年將會保持每年更新制程技術(shù)，每兩年更新一代制程節(jié)點的速度發(fā)展，有意思的是，1.4nm節(jié)點首次在英特爾的幻燈片中出現(xiàn)。英特爾仍然相信摩爾定律，但付出的成本也將越來越高昂。   他們說下面這張幻燈片值1000字。 公開此數(shù)據(jù)的演講者實際上是英特爾的一位緊密合作伙伴，演講者指出，英特爾自己在9月的光刻會議上展示了此幻燈片。   2029年1.4nm 英特爾預計其制造工藝節(jié)點技術(shù)將以兩年迭代一代的速度發(fā)展，從2019年的10nm到2021年的7nm EUV，然后到2023年的5nm，2025年的3nm，2027年的2nm，以及2029年的1.4nm。1.4nm工藝是首次在英特爾的幻燈片上出現(xiàn)，因此這可以確認英特爾發(fā)展的方向，如果1.4納米表示實際的尺寸，那就相當于12個硅原子。 值得一提的是，今年IEDM上的一些演講使用的是所謂的“ 2D自組裝”材料，其尺寸大約為0.3nm，這么小的尺寸并不新鮮，但對于硅而言很新鮮。 顯然，英特爾(及其合作伙伴)必須克服許多問題。 +，++和反向移植 正如英特爾之前所說，在每個過程節(jié)點之間，將有迭代的+和++版本，以便每個制程節(jié)點的性能得到提升。唯一的例外是10nm，它已經(jīng)在10+上了，因此我們將在2020年和2021年分別看到10 ++和10 +++。英特爾認為，他們可以保持每年更新的速度，但也有相同的團隊確保一個制程的流程節(jié)點可以與另一個制程節(jié)點平滑演進。 這張幻燈片中有趣的元素是提到了反向移植。這是設(shè)計芯片時需要考慮一個節(jié)點的能力，由于新的節(jié)點可能推遲，可以在同一時間范圍內(nèi)在較舊的“ ++”版本的處理節(jié)點。盡管英特爾表示他們正在將芯片設(shè)計從工藝節(jié)點技術(shù)中分離出來，但在某個時候，必須要承諾采用工藝節(jié)點才能開始在硅片中進行布局。那時，流程節(jié)點過程已被鎖定，尤其是在進行掩膜創(chuàng)建時。 幻燈片中顯示了英特爾將允許任何一代7nm設(shè)計可以反向移植到10 +++，任何一代5nm設(shè)計都可以反向移植到7 ++，然后從3nm移植到5+ +，2nm至3 ++等。有人可能會質(zhì)疑說，此路線圖可能對日期沒有嚴格要求。我們已經(jīng)看到英特爾的10nm制程花了很長的時間，因此希望英特爾以每年一次的更新進度和兩年一代的節(jié)點演進的節(jié)奏進行發(fā)展。節(jié)點似乎是一種非常樂觀和積極的策略。 請注意，這并不是第一次涉及英特爾的反向移植硬件設(shè)計的表述。由于目前英特爾10納米制程技術(shù)的推遲，廣泛流傳著英特爾未來的某些CPU微體系結(jié)構(gòu)設(shè)計最初是為10納米(或10 +，10 ++)而設(shè)計，但最終可能會采用更加成熟的14nm工藝。 未來的演進 通常，隨著流程節(jié)點的發(fā)展，每個制程節(jié)點將有不同的團隊。該幻燈片指出，英特爾目前正在開發(fā)其10 +++優(yōu)化以及7nm系列。這個想法是，“ +”更新從每一代的設(shè)計角度都能進行改進，而數(shù)字代表了整個節(jié)點的性能。有趣的是，我們看到英特爾的7nm基于10 ++，在將來，英特爾的5nm將基于7nm設(shè)計，3nm來自5nm。毫無疑問，每個+ / ++的某些更新某化將在需要時應用到將來的設(shè)計中。 在此幻燈片中，目前英特爾處于定義5nm的階段。在本屆IEDM會議上，關(guān)于5nm的討論很多，因此其中一些改進(例如制造、材料、一致性等)最終將最終以英特爾的5nm工藝結(jié)束，這取決于與之合作的設(shè)計公司(歷史上是應用材料公司(ASML))。 英特爾目前處于“尋路”模式，超越5nm，即3nm / 2nm / 1.4nm。與往常一樣，英特爾一直在考慮新材料，新的晶體管設(shè)計等。在本屆IEDM會議上，我們看到了很多關(guān)于全柵晶體管的討論，無論是納米片還是納米線，隨著FinFET發(fā)揮到極致，毫無疑問我們將看到其中的一些。 臺積電在其5納米工藝(相當于英特爾的7納米)中仍使用FinFET，因此，如果我們看到納米片之類的東西，然后納米線(甚至混合設(shè)計)進入英特爾的制造堆棧，我也不會感到驚訝。 值得一提的是，根據(jù)這張幻燈片的標題，英特爾仍然相信摩爾定律。只是不要問它要花多少錢。值得注意的是，5nm被列為2023年的節(jié)點，大約在ASML開始銷售其“高NA” EUV機的時候，以幫助在制造過程中更好地定義路徑。我不確定High NA是否會在5nm或3nm處攔截，假設(shè)英特爾的此路線圖的日期正確且英特爾能夠堅持下去，但這是需要考慮的問題。

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  • 華為遠超蘋果“一統(tǒng)天下”？占據(jù)中國高端手機八成市場份額

    眾所周知，蘋果在中國的“遇冷”一方面是受到華為手機突起的沖擊，另一方面也是受到價格的影響。為此，蘋果公司也在價格方面做出調(diào)整，比如iPhone 11的售價相比iPhone XR發(fā)布之初就直接下降了近千元，而“雙11”期間，蘋果iPhone 11的銷售預計達到了數(shù)萬部，也意味著降價策略在中國市場是有用的。 盡管iPhone銷量放緩，但蘋果公司仍然主導著全球高端智能手機市場。 根據(jù)市場研究機構(gòu)Counterpoint Research的最新報告，今年第三季度，蘋果公司在400美元以上高端機市場占據(jù)了超過一半份額，占比達52%，比去年同期48%的占比有所上升。而排名第二和第三的三星和華為的市場占比分別為25%和12%。 不過在中國高端智能手機市場，華為遠超蘋果“一統(tǒng)天下”。市場數(shù)據(jù)顯示，受益于華為Mate 30和P30等機型，華為占據(jù)了中國超過八成的高端智能手機市場份額，高于去年同期的73%。 Counterpoint的統(tǒng)計數(shù)據(jù)還表明，用戶對于價格在600美元至800美元區(qū)間的智能手機的需求顯著上升，由去年第三季度占高端機31%的份額激增到今年的43%，主要推動力量是蘋果的iPhone XR;而價格區(qū)間在400美元至600美元的智能手機的需求則由去年同期的42%大幅下滑至24%。 此外，價格在800美元至1000美元區(qū)間的智能手機的需求也大幅增長了60%，占高端智能手機市場整體銷量的21%，主要的推動因素是三星的Galaxy S10和Galaxy Note 10系列手機。 目前蘋果公司尚未發(fā)布任何5G手機，但已經(jīng)有分析數(shù)據(jù)預測蘋果今年秋季發(fā)布的iPhone 11將帶動公司在第四季度的全球銷量取得突破，甚至反超華為。 根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計公司TrendForce的預測數(shù)據(jù)，蘋果有望在第四季度重返全球銷量第二，市場份額將增長至18.7%。該公司統(tǒng)計的第三季度銷售數(shù)據(jù)顯示，在全球智能手機市場出貨量排名中，三星、華為和蘋果分別占據(jù)前三席，份額為20.8%、18%和12.4%。其中，iPhone 11第三季度產(chǎn)量環(huán)比增長42%，預計第四季度將達到6900萬部。 不過第三季度蘋果在中國市場的表現(xiàn)出現(xiàn)下滑，根據(jù)行業(yè)市場分析，iPhone中國市場用戶在過去一年的流失率增長了一倍多，今年三季度，蘋果中國智能手機的出貨量僅820萬部，同期下滑14%，市場份額進一步跌至7.9%。 報告還顯示，第三季度智能手機的市場銷售價格平均提高了5%，這與目前5G智能手機的推出密不可分。在5G智能手機市場上，三星、LG和vivo排名分列前三，占比分別為74%、11%和5%。小米創(chuàng)始人雷軍也在早些時候表示，明年小米將推出至少十款5G智能手機。

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  • 臺積電3nm工藝進展“令人欣慰” 2nm工藝提上日程！

    12月10號，最新消息稱臺積電的5nm工藝良率已經(jīng)達到了50%，比當初7nm工藝試產(chǎn)之前還要好，最快明年第一季度就能投入大規(guī)模量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能5萬片，隨后將逐步增加到7-8萬片。 隨著高通驍龍865使用臺積電N7+工藝量產(chǎn)，臺積電的7nm工藝又多了一個大客戶，盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單，不過整體來看臺積電在7nm節(jié)點上依然是搶占了最多的客戶訂單，遠超三星。   接下來就是5nm工藝了，根據(jù)官方數(shù)據(jù)，相較于7nm(第一代DUV)，基于Cortex A72核心的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度、速度增快15%，或者功耗降低30%，同樣制程的SRAM也十分優(yōu)異且面積縮減。 不過初期5nm產(chǎn)能會被蘋果、華為包下，蘋果吃下了大約70%的第一期5nm產(chǎn)能，AMD的Zen4處理器要等到明年底或者2021年初的中科Fab 18B工廠量產(chǎn)之后才能拿到5nm產(chǎn)能了。 對于3nm工藝，臺積電官方表示其進展“令人欣慰”，言下之意對3nm工藝的發(fā)展情況很滿意。 在3nm工藝之后，臺積電也在積極進軍2nm節(jié)點，這個工藝目前來說還是在技術(shù)規(guī)劃階段，還是在開發(fā)階段，臺積電只表示2nm工藝每天都有新點子問世，不過這也意味著2nm工藝離完成研發(fā)還早，現(xiàn)在還是紙上談兵階段。 不過臺積電的目標是2024年量產(chǎn)2nm工藝，也就是最多還有4年左右的時間。 再往后，臺積電就要進入深水區(qū)了，迎來晶體管結(jié)構(gòu)大改的3nm工藝，三星會啟用GAE環(huán)繞柵極晶體管取代目前的FinFET晶體管，臺積電預計也會有類似的技術(shù)，不過官方并沒有透露詳細的技術(shù)細節(jié)。

    半導體 臺積電 制程 5nm工藝

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