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  • 半導(dǎo)體設(shè)備專題報告：全球逐漸走出低谷，國內(nèi)產(chǎn)能持續(xù)爬坡

    當前我國存儲器產(chǎn)業(yè)仍與世界先進水平有一定差距，出于戰(zhàn)略目的，國內(nèi)存儲器廠商將 進一步加大產(chǎn)能，其中的佼佼者就是長江存儲以及合肥長鑫。這兩家企業(yè)有望在 2020 年順利進入產(chǎn)能爬坡期，從而催生較大數(shù)量的設(shè)備需求。截至 19 年年末，預(yù)計長江存 儲月產(chǎn)能約 2 萬片，有望在 20 年上半年達到 5 萬片，合肥長鑫 19 年年年末產(chǎn)能 2 萬 片，預(yù)計一季度末就將達到 4 萬片。存儲器相對于邏輯芯片標準化程度高，因此近年來 成為國產(chǎn)化突破的重要方向，除了制造工藝的國產(chǎn)化以外，設(shè)備的國產(chǎn)化也是重要關(guān)注 點。根據(jù)招標網(wǎng)數(shù)據(jù)，長江存儲自 19 年四季度以來招標密度、核心設(shè)備招標數(shù)量明顯 增加，例如四季度中微半導(dǎo)體獲得長江存儲 3 臺設(shè)備訂單，2020 年 1 月 2 日，中微半 導(dǎo)體再中標長江存儲 9 臺刻蝕設(shè)備訂單。 一、全球逐漸走出低谷，國內(nèi)產(chǎn)能持續(xù)爬坡 半導(dǎo)體行業(yè)由于其資本密集、技術(shù)革新快等特點，經(jīng)常呈現(xiàn)以 4-6 年為一個周期波動向 上發(fā)展的趨勢，2018 年下半年以來，受到下游智能手機、汽車、工業(yè)等需求疲軟以及 庫存處于歷史高位，全球半導(dǎo)體行業(yè)進入下行周期，2019 年全球半導(dǎo)體銷售額 4110 億美元，同比 2018 年下降 12.4%。 但從 19 年 9 月開始，已有跡象顯示隨著 5G、AI、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng) IOT 等創(chuàng)新應(yīng)用 的發(fā)展，全球半導(dǎo)體行業(yè)正逐步進入復(fù)蘇期。 而在中國，半導(dǎo)體行業(yè)始終處于較高的景氣位置。存儲器行業(yè)是我國集成電路產(chǎn)業(yè)突破 的重要方向，出于戰(zhàn)略目的，國內(nèi)存儲器廠商數(shù)量、產(chǎn)能均在持續(xù)增加，其中的佼佼者 就是長江存儲以及合肥長鑫。這兩家企業(yè)有望在 2020 年順利進入產(chǎn)能爬坡期，從而催 生較大數(shù)量的設(shè)備需求。 1、全球市場：2019 年市場同比下滑，年末逐漸走出低谷 全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)進入存量競爭格局，并購頻繁。近 10 年來行業(yè)規(guī)模增速維持在 4%-6%之間，維持了較高的增長，但和互聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興科技產(chǎn)業(yè) 50%以上的 爆發(fā)式增長相比，半導(dǎo)體行業(yè)的平穩(wěn)增速更貼近傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)。存量競爭的格局下，國際巨 頭更多通過并購整合的方式實現(xiàn)增長、減少行業(yè)競爭，從而保持增長率和毛利率。根據(jù) 不完全統(tǒng)計，僅 2015 年就有恩智浦并購飛思卡爾、安華高并購博通、英特爾并購阿爾 特拉等 9 個重要并購事件。 2019 年全年半導(dǎo)體銷售同比下滑 12.4%。據(jù) SIA 最新數(shù)據(jù)顯示，2019 年全年全球半 導(dǎo)體銷售額 4110 億美元。 其中累計銷售額為 3017 億美元，同比下降 14.2%，四季度 雖然依然下降，但降幅明顯收窄，全年降幅收窄至 12.4%。 臺積電業(yè)績同比增長，三星、英特爾有所下降。全球最大的芯片代工廠臺積電 2019 年 第三季度營收約為 2930 億元新臺幣，同比增長 13%;稅后純收益約 1011 億元新臺幣， 較上年同期上漲 13%。三星 Q2 財報數(shù)據(jù)顯示，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的營業(yè)利潤為 3.04 萬億 韓元，與去年同期 13.65 萬億韓元的盈利相比暴跌了 78%(主要系存儲器價格下降)。 英特爾最新財報顯示第三季度營收為 191.1 億美元，同比上升 0.14%;凈利潤為 59.9 億美元，同比下降 6.38%。 存儲器價格 19 年繼續(xù)下行，但已經(jīng)止跌回升。2017 年，DRAM 和 NAND Flash 的價 格分別上漲了 44%和 17%，價格上漲趨勢一直延續(xù)到 2018 年上半年，但進入到下半 年，由于產(chǎn)能供給的過剩，內(nèi)存和閃存開始全面降價，2018 年第四季度，NAND 價格 跌 15%，廠商庫存也逼近十年最高水平。2019 年也依然延續(xù)了下降趨勢，但自 19 年 1 月份以來，NAND 價格和 Dram 價格指數(shù)均開始止跌回升。 從 SEMI 最新公布 2019 年全球晶圓廠預(yù)測報告來看，經(jīng)歷上半年衰退態(tài)勢后，下半年 因存儲器投資有所回暖，預(yù)估 2019 年全球晶圓廠設(shè)備支出將上修至 566 億美元。預(yù)計 2019 年晶圓廠設(shè)備投資僅同比下滑 7%，相較于先前所預(yù)測降幅 18%降幅縮小。11 月 半導(dǎo)體出貨額及部分地區(qū)設(shè)備出貨量有所回暖，可能預(yù)示著持續(xù)低迷一年的半導(dǎo)體投資 也將有所回暖。 2、國內(nèi)市場：產(chǎn)能持續(xù)增長，將超韓國成為全球最大半導(dǎo)體市場 2019 年中國半導(dǎo)體市場需求約為全球的 35%，中國為全球需求增長最快的地區(qū)，年均 復(fù)合增速超過 20%。在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模引進、消化、吸收以及產(chǎn)業(yè)的重點建 設(shè)下，中國已成為全球半導(dǎo)體的主要市場之一。2014 年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額已達 4887.8 億元，同比增長 11%;到了 2016 年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達到 6378 億元，同 比增長14.8%; 2018年全球半導(dǎo)體銷售額為4688億美元，其中我國半導(dǎo)體銷售額1579 億，占全球市場的 33.7%。2019 年以來，全球市場半導(dǎo)體累計銷售額同比下降 14%至 3017 億元。截至 2019 年 9 月，我國今年半導(dǎo)體累計銷售額達到 1057 億，同比下降 12%，占全球市場的 35%。隨著 5G、消費電子、汽車電子等下游產(chǎn)業(yè)的進一步興起， 預(yù)計中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將快速增長。 中國大陸強化存儲器布局，長江存儲、合肥長鑫產(chǎn)能爬坡。19 年 9 月 2 日，長江存儲 正式宣布量產(chǎn) 64 層堆棧的 3D 閃存(Xtacking 3D NAND)。通過將 Xtacking 架構(gòu)引 入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動高速大 容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展。隨著 5G，人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時代的到 來，閃存市場的需求將持續(xù)增長。 19年9月20日，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目正式宣布投產(chǎn)， 長鑫存儲填補了國內(nèi) DRAM 的空白，有望突破韓國、美國企業(yè)在國際市場的壟斷地位。 DRAM即動態(tài)隨機存取存儲器，是芯片產(chǎn)業(yè)中產(chǎn)值占比最大的單一品類，廣泛用于PC、 手機、服務(wù)器等領(lǐng)域。 我國集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更加趨于優(yōu)化，2019 年 IC 設(shè)計、制造、封測的產(chǎn)業(yè)比重分別為 40.4%、27%和 32.6%。近年來，國內(nèi)半導(dǎo)體一直保持兩位數(shù)增速，制造、設(shè)計與封測三業(yè)發(fā)展日趨均衡。世界集成電路產(chǎn)業(yè)設(shè)計、制造和封測三業(yè)占比慣例為 3∶4∶3，2018 年我國集成電路設(shè)計業(yè)銷售收入2519.3億元，所占比重從2012年的35%增加到39%; 制造業(yè)銷售收入 1818.2 億元，所占比重從 23%增加到 28%;封測業(yè)銷售收入 2193.9 億元，所占比重從 2012 年的 42%降低到 34%，結(jié)構(gòu)更加趨于優(yōu)化。截至 2019 年 9 月， 我國設(shè)計、制造、封測的產(chǎn)業(yè)比重分別為 40.4%、27%、32.6%，增長勢頭良好。 我國半導(dǎo)體市場雖大但自給率低，供給能力不足。2019 年 1-11 月我國集成電路出口累 計金額為 919.61 億美元，進口累計金額約為 2778.62 億美元，貿(mào)易逆差下降 18.25%。 2018 年我國集成電路出口金額為 846.36 億美元，進口金額為 3120.58 億美元，貿(mào)易逆 差同比增長 17.7%。從 2015 年開始，集成電路進口金額連續(xù) 4 年超過原油成為我國第 一大進口商品。我國 2014 及 2015 年芯片進口均超過 2000 億美元，成為中國進口量最 大的商品。2016 年中國公司僅能滿足本土 15%左右的芯片需求。在高端芯片市場上， 服務(wù)器 MPU、桌面計算機 MPU、工業(yè)控制用 MCU、可編程邏輯器件 FPGA、數(shù)字信 號處理器DSP，手機芯片中的用到的嵌入式CPU、嵌入式DSP、動態(tài)隨機存儲器DRAM、 閃存 FLASH、高速高精度轉(zhuǎn)換器 AD/DA、高端傳感器 Sensor 等基本上全部依賴國外， 我國產(chǎn)品的市場占有率幾乎為 0。2019 年 11 月份，我國集成電路進口金額同比下跌 4.5%至 293.75 億美元;出口金額同比上漲 18.7%，達到 90.75 億美元。 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額或超韓國成為全球最大半導(dǎo)體市場。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，應(yīng)用場景不斷擴展，嵌入到從汽車等各類產(chǎn)品中，同時伴隨著人工智能、虛擬現(xiàn)實和物 聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的出現(xiàn)，半導(dǎo)體的市場需求不斷擴大。隨著半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)向大陸轉(zhuǎn)移， 新建晶圓廠拉動半導(dǎo)體設(shè)備需求。2018 年大陸地區(qū)首次超過臺灣地區(qū)已成為全球第二 大半導(dǎo)體設(shè)備市場，預(yù)計到 2019 年，中國，韓國和臺灣將保持前三大市場，中國將躋 身榜首，韓國預(yù)計將變成第二大市場，為 163 億美元，而臺灣預(yù)計將達到 123 億美元 的設(shè)備銷售額。 二、摩爾定律下，制程工藝節(jié)點迅速演變 集成電路技術(shù)的發(fā)展過程，就是把晶體管尺寸做得越來越小的過程。在市場需求的驅(qū)動 下，集成電路從小規(guī)模集成電路(SSI)到中規(guī)模集成電路(MSI)、再到大規(guī)模集成電 路(LSI)，一直到現(xiàn)在的超大規(guī)模集成電路(VLSI)。集成度的提高，不僅意味著單 個晶體管的尺寸縮小了，同時也意味著采用了更加先進的制造工藝。九十年代的大規(guī)模集成電路普遍采用的是微米級工藝，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到納米級工藝了。目前全球發(fā)展 7 納 米及其以下先進制程的有臺積電、三星及英特爾 3 家公司。其中，臺積電發(fā)展最快， 2019 年即將試產(chǎn) 5 納米制程。而相對于國內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國際，技術(shù)水準與 業(yè)界至少差了兩代以上，已量產(chǎn)的最先進制程還是在 28 納米制程上。不過，國內(nèi)企業(yè) 將持續(xù)推進先進制程研發(fā)，中芯國際的 14 納米制程將于 2019 年量產(chǎn)。 工藝節(jié)點姑且認為是相當于晶體管的尺寸，是描述摩爾定律進程的一個指標。摩爾定律 說，半導(dǎo)體芯片每一年半(后來改為兩年)，其集成度翻一番，并伴隨著性能的增長和 成本的下降。怎樣描述這個集成度呢?這就有了工藝“節(jié)點”的說法。 工藝節(jié)點數(shù)值越小，表征芯片的集成度就越高。晶體管結(jié)構(gòu)中，電子從一端(S)，通過 一段溝道，送到另一端(D)，這個過程完成了之后，信息的傳遞就完成了。電流會損耗， 而柵極的寬度則決定了電流通過時的損耗，表現(xiàn)出來就是手機常見的發(fā)熱和功耗，寬度 越窄，功耗越低。晶體管尺寸越小，速度就越快;尺寸縮小之后，集成度提升，一來可 以增加芯片的功能，二來直接結(jié)果是成本的下降;晶體管縮小還可以降低單個晶體管的 功耗，同時會降低整體芯片的供電電壓，進而降低功耗。 摩爾定律逐漸放緩，新材料的應(yīng)用、新技術(shù)的研發(fā)不會停止，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新的轉(zhuǎn) 折點。但近些年來，在工藝節(jié)點不斷向前推進的過程中，晶體管尺寸已經(jīng)接近物理極限， 半導(dǎo)體器件也面臨著短溝道效應(yīng)、漏柵極漏電流增大，功耗增大的挑戰(zhàn)。在此背景下， 半導(dǎo)體行業(yè)五大趨勢值得關(guān)注：大陸半導(dǎo)體的崛起、2.5/3D 封裝技術(shù)、EUV 光刻機、人 工智能/機器學(xué)習(xí)、新材料如 C-tube/Graphene 等。 隨著集成電路制程工藝節(jié)點越來越先進，特征尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體對雜質(zhì)含量越來 越敏感，對實際制造各個環(huán)節(jié)的要求越來越高，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。 三、半導(dǎo)體清洗——需求、難度不斷增長 清洗設(shè)備是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié)，用于清洗原材料及每個步驟中半成品上可能 存在的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)影響成品質(zhì)量和下游產(chǎn)品性能，在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、 沉積等關(guān)鍵制程及封裝工藝中均為必要環(huán)節(jié)。 隨著集成電路制程工藝節(jié)點越來越先進，對實際制造的幾個環(huán)節(jié)也提出了新要求，清洗 環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。清洗的關(guān)鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體對雜 質(zhì)含量越來越敏感，而半導(dǎo)體制造中不可避免會引入一些顆粒、有機物、金屬和氧化物 等污染物。為了減少雜質(zhì)對芯片良率的影響，實際生產(chǎn)中不僅僅需要提高單次的清洗效 率，還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進行清洗，清洗步驟約占整體步驟的 33%。 1、半導(dǎo)體清洗——高質(zhì)量半導(dǎo)體器件的保障 在硅晶體管和集成電路生產(chǎn)中, 幾乎每道工序都有硅片清洗的問題, 所有與硅片接觸 的媒介都可能對硅片造成污染, 硅片清洗的好壞對器件性能有嚴重的影響。污染途徑可 能來自于水、大氣、設(shè)備、各類化學(xué)試劑以及人為加工造成的污染,污染可以分為顆粒 污染、有機物污染和金屬污染。若半導(dǎo)體材料表面存在痕量雜質(zhì), 如鈉離子、金屬和其 他雜質(zhì)粒子等, 在高溫過程中會擴散、傳播, 進入半導(dǎo)體材料內(nèi)部, 對器件不利。要得 到高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件, 硅片必須具有非常潔凈的表面。 幾乎所有制程前后都頻繁的進行清洗，晶圓的清潔程度直接影響集成電路的成品率。隨 著半導(dǎo)體制程不斷升級，清洗次數(shù)直線上升，由《半導(dǎo)體工藝流程基礎(chǔ)》一書中得知， 最重要的清洗環(huán)節(jié)有三次，第一次是加工前對硅片的清洗，去除硅片表面雜質(zhì)，保證后 續(xù)操作精度;第二次是氧化加膜后的清洗，將半導(dǎo)體表面不必要的為了和金屬氧化物以 及有機物去除，以保證涂膠均勻度;第三次是離子注入后的清洗，主要是將表面的金屬 離子去除，防止發(fā)生短路。實際上，隨著工藝不斷進步，精度不斷上升，清洗越來越不 限于這三個環(huán)節(jié)，加工的每一步都會伴隨一定的清洗步驟。 到了 20 納米以下，超過三分之一的工藝步驟是清洗步驟。從 70 納米以下起，芯片制造 的良率就開始有所下降。主要原因之一就在于硅片上的顆粒物、污染難以清洗。隨著節(jié) 點越來越小，到了 20 納米以下，超過三分之一的工藝步驟是清洗步驟，基本上每兩個 步驟就要進行一次清洗。比如 20nm 節(jié)點的 DRAM，就多達 200 個清洗步驟。而越往下走， 要得到較高的良率，幾乎每步工序都離不開清洗。據(jù)盛美公司估計，每月十萬片的 DRAM 工廠，1%的良率提升可為客戶每年提高利潤 3000-5000 萬美元。 2、技術(shù)路線——干法、濕法各有所長 半導(dǎo)體清洗有干法和濕法兩種清洗方法，目前濕法由于其成本低產(chǎn)能高的優(yōu)點占據(jù)主流， 占整個清洗制程 90%以上。濕法清洗由于使用相對多的化學(xué)試劑，也存在晶片損傷、化 學(xué)污染和二次交叉污染等問題，而干法清洗雖然環(huán)境友好、化學(xué)用量少，隨著半導(dǎo)體制 程不斷升級，干法清洗低磨損的優(yōu)點日益突出，逐漸得到更多的關(guān)注。不過，目前干法 清洗控制要求和成本較高，仍難以大量應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)中。因此實際的半導(dǎo)體產(chǎn)線上 通常是以濕法清洗為主，少量特定步驟采用干法清洗相結(jié)合的方式互補所短，構(gòu)建半導(dǎo)體制造的清洗方案。 濕法清洗采用液體化學(xué)溶劑和 DI 水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機物及金屬 離子污染。由美國無線公司開發(fā)的浸泡式 RCA 化學(xué)清洗工藝得到廣泛應(yīng)用, 但是無法 在一道清洗工序中同時實現(xiàn)對硅外延片表面的有機物、顆粒、金屬污染物和粒狀水痕高 質(zhì)量的去除。干法清洗采用氣相化學(xué)法去除晶片表面污染物，將熱化學(xué)氣體或等離子態(tài) 反應(yīng)氣體導(dǎo)入反應(yīng)室，反應(yīng)氣體與晶片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成易揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物被真空 抽去。干法清洗的優(yōu)點在于清洗后無廢液，可有選擇性的進行局部處理。但氣相化學(xué)法 無法有選擇性的只與表面金屬污染物反應(yīng)，都不可避免的與硅表面發(fā)生反應(yīng)。各種揮發(fā) 性金屬混合物蒸發(fā)壓力不同，在低溫下各種金屬揮發(fā)性不同，所以在一定的溫度、時間 條件下，不能將所有金屬污染物完全去除，因此干法清洗不能完全取代濕法清洗。 目前清洗工藝最大的難點在于芯片的立體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體是三維結(jié)構(gòu)，在制作過程中需要 保障薄層上的導(dǎo)電性，清除角下、角上面的顆粒，同時避免薄片不被破壞。同時，隨著 尺寸、顆粒越來越小，線越來越細，伴隨 5 納米、3 納米技術(shù)的升級，清洗的難度也會 加大。 3、技術(shù)路線——單晶圓清洗有望逐漸取代槽式清洗 目前，市場上最主要的清洗設(shè)備有單晶圓清洗設(shè)備、自動清洗臺和洗刷機三種。在 21 世紀至今的跨度上來看，單晶圓清洗設(shè)備、自動清洗臺、洗刷機是主要的清洗設(shè)備，其 他清洗設(shè)備包括超聲/兆聲清洗設(shè)備、晶圓盒清洗設(shè)備、干法清洗設(shè)備(如等離子清洗 設(shè)備)等，占比較小。 單晶圓清洗設(shè)備有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力，市場份額相對小。單晶 圓清洗設(shè)備一般采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，用化學(xué)噴霧對單晶圓進行清洗的設(shè)備，相對自動 清洗臺清洗效率較低，產(chǎn)能較低，但有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力?？?用于多種工藝中，包括擴散前清洗、柵極氧化前清洗、外延前清洗、CVD 前清洗、氧 化前清洗、光刻膠清除、多晶硅清除等多個清洗環(huán)節(jié)和部分刻蝕環(huán)節(jié)中。還有另一種單 晶圓清洗設(shè)備采取超聲波清洗方式，市場份額相對小。 自動工作站清洗產(chǎn)能高，適合大批量生產(chǎn)，但無法達到單晶圓清洗設(shè)備的清洗精度，很 難滿足在目前頂尖技術(shù)下全流程中的參數(shù)要求。自動工作站，也稱槽式全自動清洗設(shè)備， 以多槽為主，也有少部分單槽設(shè)備，是指在化學(xué)浴中同時清洗多個晶圓的設(shè)備，原理為 利用機械手臂將放置晶圓的載體依次放入不同腔室進行各步清洗。優(yōu)點是清洗產(chǎn)能高， 適合大批量生產(chǎn)，但無法達到單晶圓清洗設(shè)備的清洗精度，很難滿足在目前頂尖技術(shù)下 全流程中的參數(shù)要求。并且，由于同時清洗多個晶圓，自動清洗臺無法避免交叉污染的弊端。 單晶圓清洗設(shè)備與自動清洗臺在應(yīng)用環(huán)節(jié)上沒有較大差異，兩者的主要區(qū)別在于清洗方 式和精度上的要求。簡單而言，單晶圓清洗設(shè)備是逐片清洗，自動清洗臺是多片同時清 洗，所以自動清洗臺的優(yōu)勢在于設(shè)備成熟、產(chǎn)能較高，而單晶圓清洗設(shè)備的優(yōu)勢在于清 洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，同時避免了晶圓片之間的交叉污染。 洗刷器在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式，但配合機械擦拭，有 高壓和軟噴霧等多種可調(diào)節(jié)模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中，包括鋸晶圓、晶 圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD 等環(huán)節(jié)中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。 清洗設(shè)備分為槽式和單片式。槽式設(shè)備是一個酸槽，里面乘著酸液，一次可以同時清洗 25 片或 50 片晶圓，清洗效率較高、成本較低。但缺點有兩個：第一，同時清洗的晶圓 之間會相互污染;第二，酸槽里的酸液通常一定周期更換一次，所以前一批次清洗的晶 圓可能污染后一批次的晶圓。單片式的清洗設(shè)備由數(shù)個清洗腔構(gòu)成，每一片晶圓在一個 清洗腔里單獨清洗，清洗方式為噴淋式清洗，清洗得較為干凈，而且避免了交叉污染和 前批次污染后批次。但缺點是清洗效率低，成本高。 越先進的工藝，單片式清洗設(shè)備占比越高。在8寸工藝和12寸里的90/65nm等工藝中， 線寬較寬，對殘留的雜質(zhì)容忍度相對較高，因此對清洗的要求相對沒那么高，為節(jié)省成 本和提高生產(chǎn)效率，以槽式清洗設(shè)備為主。在 45/28/22/16/10/7nm 等工藝中，線寬較 窄，對殘留雜質(zhì)的容忍度低，要求清洗得更干凈，越先進的工藝，單片式清洗設(shè)備占比 越高。因此以單片式清洗設(shè)備為主。在先進工藝中，槽式清洗設(shè)備也有單片式清洗無法替代的清洗方式，如高溫磷酸清洗，目前只能用槽式清洗設(shè)備。總的趨勢是，越先進的 工藝，單片式清洗設(shè)備占比越高。根據(jù)電子工程世界的產(chǎn)業(yè)調(diào)研，22nm DRAM 產(chǎn)線中， 單片式清洗的占比可達到約 70%。 單晶圓清洗取代批量清洗是先進制程的主流。隨著集成電路越來越先進，清洗步驟的影 響也越來越大，約占整體步驟的 33%。從清洗方案來說，單晶圓清洗取代批量清洗是 先進制程的主流，反映在設(shè)備上就是單晶圓清洗機對槽式全自動清洗機的取代，2016 年前者市場份額約為后者的四倍。兆聲波清洗作為單晶圓清洗的一種，雖然效果好，但 其由于均勻性和損傷性的問題一直阻隔其發(fā)展，而中國清洗設(shè)備公司盛美獨家開發(fā)的 SAPS 和 TEBO 技術(shù)很好的解決了這個難題。SAPS 技術(shù)是針對清洗平坦硅片，TEBO 技術(shù) 針對清洗立體結(jié)構(gòu)。SAPS 技術(shù)和 TEBO 技術(shù)在 27 億美金的全球市場份額中占據(jù) 30%。 四、半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場及行業(yè)格局 1、清洗設(shè)備市場：呈寡頭壟斷格局，國內(nèi)企業(yè)水平與國際仍有較 大差距 在整個半導(dǎo)體設(shè)備市場中，晶圓制造設(shè)備大約占整體的 80%，封裝及組裝設(shè)備大約占 7%，測試設(shè)備大約占 9%，其他設(shè)備大約占 4%。而在晶圓制造設(shè)備中，光刻機，刻蝕 機，薄膜沉積設(shè)備為核心設(shè)備，分別占晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備成本的 30%，25%，25%。 從半導(dǎo)體設(shè)備供給側(cè)來看，據(jù) Gartner 統(tǒng)計，全球規(guī)模以上晶圓制造設(shè)備商共計 58 家， 其中日本的企業(yè)最多，達到 21 家，占 36%，其次是歐洲 13 家、北美 10 家、韓國 7 家，而中國大陸僅 4 家，分別是上海盛美、中微半導(dǎo)體、Mattson(被亦莊國投收購) 和北方華創(chuàng)，占比不到 7%。 同全球半導(dǎo)體設(shè)備市場一樣，全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場呈現(xiàn)著高度壟斷、強者恒強的局 面。目前，國際上共有 5 家企業(yè)在生產(chǎn)單晶片清洗設(shè)備，分別是 Screen Semiconductor Solutions，Tokyo Electron，Lam Research，SEMES 和 ACM。在整個清洗設(shè)備市場， 日本公司占據(jù)了主導(dǎo)，約 60%的市場份額由日本 Screen(迪恩士)占據(jù)，30%的市場 份額被日本 Tokyo Electron(東京電子)占據(jù)。半導(dǎo)體高端材料方面，日本長期保持絕 對優(yōu)勢，日本是全球最大的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國，其中，高純度氟化氫是半導(dǎo)體清洗制程 中必備材料，日本在全球市占率為 70%。 而國內(nèi)清洗設(shè)備市場，主要有盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)和至純科技有布局，且三者之間的 產(chǎn)品存在較大的差異。其中，盛美半導(dǎo)體技術(shù)實力最強，主攻單片式清洗設(shè)備，在較大 一部分的清洗工序中可以實現(xiàn)國產(chǎn)替換。與盛美半導(dǎo)體主攻單片式清洗設(shè)備不同，北方 華創(chuàng)通過收購美國 Akrion 公司實現(xiàn)了槽式清洗設(shè)備國產(chǎn)化。除了盛美半導(dǎo)體和北方華 創(chuàng)以外，至純科技在半導(dǎo)體清洗設(shè)備也有所布局，且也是以槽式清洗為主。 清洗設(shè)備在晶圓制造設(shè)備中的采購費用占比約為 5%。從清洗設(shè)備的配備量來看，目前 以 4 萬片產(chǎn)能的產(chǎn)線為例，一般情況下，8 寸線匹配 50 臺設(shè)備，12 寸線國內(nèi)匹配 70 臺設(shè)備左右，包括槽式和單片，國外有的廠商能夠達到 120 臺清洗設(shè)備水平。 價格方面，市面上最便宜的單片清洗設(shè)備是兩個腔體的 50-60 萬美元，6-8 個腔體的單 片式清洗設(shè)備的價值大概 300-400 萬美元，槽式價格 100-200 萬美元市場價格，一個 Fad 廠在清洗設(shè)備上采購費用需要約 2 億美元。 目前國外單片式清洗設(shè)備已發(fā)展到 12 個、16 個腔體了，腔體越多、對應(yīng)的附屬設(shè)備的 介質(zhì)供應(yīng)也越多，需要滿足智能化、軟件控制、壓力均等和清洗后的存放等需求。而國 產(chǎn)清洗設(shè)備，以種類眾多的濕法清洗設(shè)備為例，從種類和功能上國產(chǎn)設(shè)備目前實現(xiàn)只有其中的 10%。 2、市場空間，國產(chǎn)清洗設(shè)備廠商的機遇 Gartner 預(yù)測，整體晶圓代工市場 2019 年到 2023 年的復(fù)合年均成長率為 4.5%，市場 營收可望于 2023 年達到 783 億美元。隨著眾多新晶圓廠的出現(xiàn)顯著提高了設(shè)備需求， 對晶圓廠技術(shù)和產(chǎn)品升級以及額外產(chǎn)能的投資將會增加。世界晶圓廠預(yù)測報告目前追蹤 了78個新工廠和線路，這些工廠和線路已經(jīng)或?qū)⒃?018年至2020年之間開始建設(shè)(具 有各種可能性)，最終或?qū)⑿枰?2200 億美元的晶圓廠設(shè)備。 據(jù)不完全統(tǒng)計，2017 年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模已經(jīng)達到 27 億美元，預(yù)計到 2025 年，這一數(shù)字將增加到 46 億美元。盡管清洗設(shè)備在半導(dǎo)體企業(yè)設(shè)備市場規(guī)模中占比相 對光刻機等核心設(shè)備較低，約 5%-7%，但清洗設(shè)備對廠商的良率和經(jīng)濟效益有著至關(guān) 重要的影響。因而，清洗作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中不可替代的一環(huán)，有著穩(wěn)定而增長的市場 空間。隨著工藝節(jié)點的升級以及良率要求提高，清洗設(shè)備用量需求將持續(xù)增加。根據(jù) SEMI 預(yù)測，清洗設(shè)備未來幾年復(fù)合增長率達 6.8%，預(yù)計 2020 年就將達到 35-40 億美 元，是 200 億人民幣級別的大市場。 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)明顯向中國轉(zhuǎn)移，國產(chǎn)清洗設(shè)備企業(yè)將迎來良好的機遇。SEMI 預(yù)測， 到 2019 年，中國的設(shè)備銷售將增長 46.6%，達到 173 億美元。預(yù)計到 2019 年，中國， 韓國和臺灣將保持前三大市場，中國將躋身榜首。韓國預(yù)計將變成第二大市場，為 163 億美元，而臺灣預(yù)計將達到 123 億美元的設(shè)備銷售額。 2018-2019 是建廠高峰期，2019-2021 是設(shè)備的高峰期，整體行業(yè)正進入清潔設(shè)備采購 期。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)表現(xiàn)，2018 年中國大陸 Fab 的設(shè)備采購付出接近 120 億美元，同 比增加 67%，超越中國臺灣成為全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備市場，而到 2019 年，中國大陸 的半導(dǎo)體設(shè)備采購金額有望超過韓國位居全球第一，達到 180 億美元，同比增加 58%。 大陸晶圓廠資本開支連年大幅增加將為國產(chǎn)設(shè)備帶來偉大的市場機遇，而半導(dǎo)體清洗設(shè) 備也將迎來優(yōu)秀的發(fā)展前景。近年來，多個 12 英寸晶圓廠項目落地中國大陸。SEMI 的數(shù)據(jù)顯示，2017-2020 年間全球投產(chǎn)的半導(dǎo)體晶圓廠為 62 座，其中有 26 座設(shè)于中 國大陸，占全球總數(shù)的 42%。中國大陸在 12 英寸晶圓廠方面已投資數(shù)千億美元，產(chǎn)品 涉及多個領(lǐng)域與制程，多個項目已經(jīng)在運行當中，其余項目將在未來2-3年內(nèi)陸續(xù)投產(chǎn)。 目前中國大陸共計有 31 座在建/已建的 12 英寸晶圓廠，28 座 8 英寸在建/已建/規(guī)劃中 的 8 英寸晶圓廠。 根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，每年全球半導(dǎo)體設(shè)備的空間在 500-600 億美元之間，假設(shè)清洗設(shè)備 占整個設(shè)備投資比例約為 6%。則每年半導(dǎo)體清洗設(shè)備的市場為 30-36 億美元，目前份 額基本被迪恩士等外資品牌壟斷，國產(chǎn)設(shè)備進口替代空間大。 五、海外清洗設(shè)備龍頭(略) 目前，在整個清洗設(shè)備市場，日本公司占據(jù)了主導(dǎo)，約 60%的市場份額由日本 Screen (迪恩士)占據(jù)，30%的市場份額被日本 Tokyo Electron(東京電子)占據(jù)，其他廠商 包括韓國 SEMES(細美事)、美國 Lam Research(泛林)等。 1、迪恩士(SCREEN)——行業(yè)霸主 2、東京電子(Tokyo Electron)——干法清洗領(lǐng)導(dǎo)者 …… 六、國內(nèi)清洗設(shè)備企業(yè) 目前在國內(nèi)，至純科技、盛美半導(dǎo)體和北方華創(chuàng)主要承擔著清洗設(shè)備國產(chǎn)化的重任。其 中盛美半導(dǎo)體技術(shù)起步較早，主攻單片式清洗設(shè)備。至純科技雖然起步在 2015 年，但 近年來通過引進海外優(yōu)秀人才，進步迅速，目前已經(jīng)開拓了中芯、萬國、燕東、TI、華 潤等知名企業(yè)。與至純科技，盛美半導(dǎo)體通過自主研發(fā)不同，北方華創(chuàng)主要是通過收購 美國 Akrion 公司實現(xiàn)槽式清洗設(shè)備國產(chǎn)化。 1、至純科技——清洗領(lǐng)域新貴，單片、槽式均具競爭力 2、北方華創(chuàng)(電子覆蓋)——收購 Akrion，實現(xiàn)槽式清洗國產(chǎn)化 3、盛美(ACM Research)

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 進口

  • OLED屏大行其道 ，LCD 走下神壇，“LCD 永不為奴”？

    眾所周知，LCD(Liquid Crystal display)即液晶顯示技術(shù)，其歷史可回溯到 20 多年前，廣泛應(yīng)用在電視機、電腦、智能手機等電子設(shè)備上。近幾年開始，國內(nèi)外手機大廠的旗艦機基本上均搭載的是 OLED 屏幕，然而，手機界關(guān)于“LCD 永不為奴”的聲音仍不絕于耳。 那么，在 OLED 屏手機大行其道的今天，為什么“LCD 黨”還在堅定地維護自己的信條? LCD 與 OLED 的發(fā)光原理 實際上，無論是 LCD 還是 OLED，它們都是目前智能手機領(lǐng)域使用得最多的兩種顯示技術(shù)，包括 TFT、IPS、AMOLED、PMOLED 等在內(nèi)的屏幕均為基于這兩種技術(shù)的“增強版”。 雷鋒網(wǎng)注：上圖為 LCD 與 OLED 屏幕的種類 LCD 屏幕的構(gòu)造就像是在兩片“玻璃”中間夾了個液晶層，下基板放置了薄膜晶體管，上基板還有彩色濾光層，中間的液晶層在電壓的作用下會產(chǎn)生不同的光特性，最后投射的時候又經(jīng)過彩色濾光層產(chǎn)生不同的顏色。 OLED(Organic Light-Emitting Diode)全稱是有機發(fā)光二級管，它被公認為 LCD 的繼任者，它也被外界認為是下一代智能手機顯示屏的最佳方案。 與 LCD 不同，OLED 的每個像素點自身都能獨立發(fā)光，我們可以把它的每一個子像素點看作是一顆 LED 燈，由紅綠藍三個子像素組成一個像素，這些像素組成的陣列就是 OLED 面板了。 簡單的來理解，LCD 的光源層和顯示層分離，OLED 顯示層和光源層合二為一。同時，LCD 的光源是固定的，不能實現(xiàn)單獨發(fā)光。 OLED 的結(jié)構(gòu)為其帶來了許多紅利性的特質(zhì)，包括但不限于： OLED 的顯示效率比需要對光進行多級“過濾”的 LCD 更高; OLED 不再需要背光源，屏幕可以做得更薄; 通過配合不同的基板材質(zhì)，OLED 還實現(xiàn)彎曲甚至折疊顯示效果。 OLED 的燒屏與頻閃問題 按理來說，針對未來手機市場的發(fā)展趨勢，OLED 擁有無限的潛力。但與 LCD 相比，它也有廣遭詬病的缺點，包括燒屏和頻閃問題。 通過上文我們已經(jīng)知道，OLED 的每個像素會自行發(fā)光，而亮度的控制由電流驅(qū)動，控制發(fā)光材料形成不同的顏色，即 DC 調(diào)光。 不過，由于不同顏色像素點的材質(zhì)不同，其發(fā)光的壽命會受到一定影響;加之三色子像素的波長有差異，它們對電流也存在著不同的要求，例如藍色就需要更高的電流通過。因此，在屏幕損耗過大或在低亮度的情況下，想要控制每個子像素的亮度配比十分困難，這時，OLED 屏幕可能會發(fā)紅，或者是在顯示內(nèi)容時出現(xiàn)“殘影”，也就是大家常說的“燒屏”。 為了解決這一技術(shù)難題，廠商們想出了新的辦法——使用 PWM 調(diào)光來代替之前的 DC 調(diào)光。這種方法的具體操作是讓屏幕不斷進行閃爍，在達到一定的頻率之后，會給人眼一種暫留的視覺效果，讓屏幕看起來“常亮”。如果需要降低亮度，只需要加大閃爍之間的時間間隔即可。 就這樣，PWM 調(diào)光導(dǎo)致了頻閃現(xiàn)象的出現(xiàn)，并且遭到了“LCD 黨”的口誅筆伐。 雷鋒網(wǎng)注：上圖白色區(qū)域為高風(fēng)險，黃色區(qū)域為低風(fēng)險，綠色區(qū)域為無風(fēng)險 根據(jù)《IEEE Std 1789-2015 標準》(雷鋒網(wǎng)按：IEEE 為美國電氣和電子工程師協(xié)會)，低健康風(fēng)險的頻閃范圍應(yīng)該在 1250Hz 以上;國內(nèi)也有相關(guān)檢測機構(gòu)針對該標準進行了測試，若光輸出頻率大于 3125Hz，則認為無頻閃，進入豁免安全區(qū)。 盡管上述報告并不是針對手機顯示屏，而是針對照明燈，但它也顯示出一個規(guī)律：頻率越高，對健康造成的風(fēng)險就越低。 我們在此列舉兩組使用 LCD 和 OLED 的手機頻閃頻率： iPhone XR (LCD 屏幕)頻閃的頻率超過 9000 Hz;iPhone Xs Max(OLED 屏幕)在低亮度情況下頻閃頻率則只有 240Hz。 華為 Mate 20(LCD 屏幕)頻率接近 15000Hz;華為 Mate20 Pro(OLED 屏幕)頻閃頻率為 245Hz。 盡管人們的肉眼不太容易察覺到屏幕閃爍的變化，而且目前醫(yī)學(xué)以及電氣方面也沒有對“低頻傷眼”蓋棺定論，但網(wǎng)絡(luò)上出現(xiàn)了幾乎一邊倒的觀點：OLED 的頻閃現(xiàn)象會導(dǎo)致人眼疲勞，甚至是干澀疼痛。 LCD 走下神壇 相比起 OLED 來說，LCD 屏發(fā)展歷史悠久，制作工藝成熟，因此成本更低。由于其使用背板發(fā)光，所以使用壽命相較 OLED 屏更長，且調(diào)光過程自然柔和，不傷眼。 LCD 屏幕在智能手機方面的“崛起”要歸結(jié)于夏普 2014 年推出的首款“全面屏”設(shè)計手機 Aquos Crystal——這款手機搭載了 5 英寸 LCD 顯示屏，分辨率為 1280x720，屏占比高達 78.5%?？梢赃@么說，Aquos Crystal 是全面屏手機的開山之作，它也在很大程度上奠定了 LCD 屏在手機方面發(fā)展的基礎(chǔ)。 不過，在 2019 年年中，京東方、匯頂科技等企業(yè)已經(jīng)宣布攻克 LCD 屏下指紋技術(shù)難關(guān)，并將在不久后實現(xiàn)量產(chǎn)，困擾 LCD 多年的屏下指紋難題終被解決。 當然，作為一個新技術(shù)， OLED 還有許多問題需要解決。但在短短的幾年里，OLED 屏在手機領(lǐng)域的發(fā)展速度驚人，其中，三星的 AMOLED(OLED 的一種)屏幕已經(jīng)完成了對傳統(tǒng) LCD 屏幕的追趕和反超。 在 2017 年蘋果發(fā)布搭載 OLED 屏幕的 iPhone X 系列手機之前，LCD 絕對稱得上是市場上的主流。到了 2019 年，市面上很難見到一款搭載 LCD 的真旗艦——這與市場需求不無關(guān)系。 近年來，屏下指紋技術(shù)開始作為智能手機的一大賣點出現(xiàn)，然而，該技術(shù)主要基于光學(xué)和超聲波解鎖，但 LCD 面板恰恰具有用于阻擋光線和超聲波的背光單元，因此也就不具備屏下指紋解鎖功能。 此外，LCD 屏需要一系列的背光模組，這會增加其面板厚度，略顯機身厚重，在形狀上也比較固定不可易形。這一特征又與如今智能手機“極限輕薄”“折疊屏”“曲面屏”“真全面屏”等大賣點相悖。因此，在不少人的眼里，LCD 屏就被貼上了“低端過時”等標簽。

    半導(dǎo)體 LCD OLED oled屏

  • 毅力號：NASA宣布2020火車漫游車正式命名 !

    3月5日，NASA宣布2020火車漫游車正式命名為“毅力”號(Perseverance)。Mather在短視頻中解釋道，對他而言，“毅力”不僅意味著在太空探索必然面對的種種挫折面前，人類將會堅持發(fā)射任務(wù)、提高技術(shù)，也意味著人類終將在太陽系其他星球、甚至太陽系外生存。 “我們，不是作為一個民族，而是作為人類，將會堅持下去?！? 在孩子中征名是NASA的傳統(tǒng)。比如，“好奇”號就是在2009年由12歲的華裔女孩馬天琪命名的。 處于美國K12基礎(chǔ)教育階段(相當于國內(nèi)幼兒園到高中階段)的學(xué)生可以提交一個名字和不超過150單詞的短文來解釋命名原因。而“毅力”最終從28000份提名中脫穎而出 贏得命名權(quán)的Mather會收獲一份大獎：與家人受邀參加2020年夏天位于佛羅里達州卡納維拉角空軍基地的發(fā)射儀式。 今年的火星發(fā)射窗口將在7月17日開啟，“火星2020”漫游車的計劃發(fā)射時間定在7月或者8月。如果一切順利，它將在2021年2月18日登陸火星北半球的耶澤洛隕石坑(Jezero Crater)，寬45公里，深500米。科學(xué)家們認為，數(shù)十億年之前這一區(qū)域可能是一片河流三角洲，具備宜居性。 過去一段時間，火星探測器已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了火星地表下的水冰和有機物質(zhì)，但始終沒有找到火星生物的實錘。“火星2020”漫游車的主要任務(wù)就是繼續(xù)搜索火星上是否有生命曾經(jīng)生活過的跡象，采取樣本以待未來送回地球，交給科學(xué)家分析。 此外，它還會描繪火星的氣候和地址特征，為人類未來登陸火星做好鋪墊。

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  • 神器二合一！ 智能家居黑科技幫你抗寒冬

    小米有品新上架一款既是吸頂燈又是電暖器的家居神器——慧作暖陽燈。目前慧作暖陽制熱燈已經(jīng)連接了米家智能家居系統(tǒng)，全面支持手機APP遙控和小愛同學(xué)語音操控，感興趣的小伙伴可至小米有品官網(wǎng)開啟眾籌。 慧作暖陽燈采用二合一設(shè)計，既可以作為一款普通的吸頂燈照明使用，同樣也可以作為電暖氣供暖使用。作為吸頂燈全尺寸覆蓋燈板，均勻分布著LED芯片燈珠，得益于燈珠的合理布局，房間內(nèi)不會出現(xiàn)任何的暗影現(xiàn)象，并且光效均勻柔和完全不刺眼。 作為一款電暖氣，慧作暖陽燈無需預(yù)熱，開機三秒即開始制熱，并且制熱的過程中不會出現(xiàn)任何噪音，夜里睡覺也能安穩(wěn)使用。相比較傳統(tǒng)的電暖氣，慧作暖陽燈采用獨特的慧作暖陽燈，長時間使用也不會帶走空氣中的水蒸氣，所以不需要額外配備一臺加濕器，全家適用，更加舒適。 這款燈共有正方形和長方形兩種型號，原價分別為1799元和1999元，現(xiàn)在小米有品官網(wǎng)開啟眾籌，僅需799元和999元。

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  • 諾基亞與Marvell就5G芯片技術(shù)達成合作關(guān)系

    近日，諾基亞宣布攜手Marvell開發(fā)領(lǐng)先的5G multi-RAT(無線接入技術(shù))創(chuàng)新芯片，Marvell首席執(zhí)行官兼總裁Matt Murphy表示：“Marvell很高興與諾基亞合作，攜手交付面向5G網(wǎng)絡(luò)的下一代解決方案。憑借我們的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施半導(dǎo)體解決方案平臺，以及諾基亞在技術(shù)和市場方面的領(lǐng)先地位，未來無線網(wǎng)絡(luò)將能夠?qū)崿F(xiàn)5G的諸多功能，并開拓新的商機?！? 其中包括多代定制芯片和處理器，以進一步擴展適用于5G解決方案的諾基亞ReefShark芯片組系列。 兩家公司正在開發(fā)新一代定制系統(tǒng)級芯片(SoC)和處理器，融合了諾基亞的差異化無線技術(shù)與Marvell業(yè)界領(lǐng)先的多核Arm處理器平臺。作為諾基亞5G ReefShark芯片系列的一部分，新芯片組將部署在諾基亞AirScale無線接入解決方案的多個模塊中。通過部署ReefShark芯片組，這些解決方案不僅可以減小尺寸、降低功耗，還將提高容量和整體性能。 Marvell的多核Arm處理器技術(shù)建立在前五代的基礎(chǔ)之上，其可編程性和優(yōu)異的性能，可使諾基亞ReefShark芯片組實現(xiàn)重大提升。諾基亞將與Marvell繼續(xù)合作，不斷滿足5G NR、5G NSA、5G SA和其他演進標準的復(fù)雜需求。 諾基亞移動網(wǎng)絡(luò)總裁Tommi Uitto表示：“本次合作彰顯了我們致力于擴展ReefShark芯片種類和用途的堅定決心。此舉將確保我們的5G解決方案為客戶提供一流的性能。隨著運營商逐步完善其5G計劃，并支持日益增長的流量和新的垂直服務(wù)，基礎(chǔ)設(shè)施和組件必須迅速實現(xiàn)更新。最新的芯片技術(shù)將幫助我們更好地滿足客戶需求。”

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  • 三星電子被起訴：侵犯英國公司量子點專利

    最近幾年，量子點技術(shù)越來越熱，已開始向消費類產(chǎn)品，如大屏幕電視領(lǐng)域滲透。 相比傳統(tǒng)的LED，量子點顯示技術(shù)具有更高畫質(zhì)的優(yōu)點，三星公司一直在不遺余力的推廣這種新技術(shù)。 最近，據(jù)國外媒體報道，英國納米技術(shù)公司“納米科”(Nanoco)周一表示，已在美國德克薩斯州的一家地方法院起訴韓國三星電子，罪名是對方和附屬公司侵犯了自己的量子點顯示技術(shù)專利。   據(jù)報道，納米科公司生產(chǎn)用于動態(tài)屏幕顯示的量子點，該公司聲稱，所有被告都故意侵犯了其專利，并表示它尋求永久禁止令，禁止進一步的侵權(quán)行為，要求經(jīng)濟賠償。 “從歷史上看，我們公司與三星合作開發(fā)增強型量子點，”納米科的董事長克里斯托弗·理查茲說。“因此，當三星終止合作，在沒有與納米科達成專利許可或供應(yīng)協(xié)議的情況下推出其量子點電視機時，我們自然感到失望。” 不過，相比三星公司，納米科公司畢竟是一家不知名的小公司，而眾所周知，三星早在多年前就開始在量子點顯示屏上開始投入，前不久，三星還大打廣告，宣傳自家的量子點顯示屏，指出相比OLED屏幕容易出現(xiàn)燒屏現(xiàn)象，量子點顯示屏則可以避免這一難題，為自家的QLED量子點顯示屏進軍電視領(lǐng)域大作宣傳。 此次三星被起訴，到底是怎么回事呢?請關(guān)注我們的后續(xù)報道。

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  • 今年將是“流媒體十年”開始：全年累計為403億小時

     近日，Roku表示，公司在2019年第四季度的收入和毛利潤前景超出了預(yù)期。從全年來看，Roku的收入超過11億美元并繼續(xù)穩(wěn)坐美國流媒體平臺的第一的位置，至少從流媒體小時數(shù)來看是這樣--全年為403億小時。 在Roku最新的季度業(yè)績報告中，這家公司將進入全新的一年，據(jù)悉，其現(xiàn)在擁有近3700萬活躍用戶。Roku CEO Anthony Wood稱2020年將是“流媒體十年”的開始。     2019年，Roku的平臺收入同比增長78%，達到7.408億美元，全年凈收入增長52%，毛利潤增長49%。另外，這家公司全年的活躍用戶數(shù)量新增980萬、流媒體時間同比增長163億小時。 Roku在寫給股東的信中指出，公司正在展望“流媒體十年”，并指出市場現(xiàn)正在加大向流媒體的過渡，“這會促使更多的觀眾把更多的時間花在流媒體上，而留給傳統(tǒng)付費電視的時間變得額更少，許多消費者正在徹底離開傳統(tǒng)的付費電視生態(tài)系統(tǒng)。” Roku預(yù)計，等到2024年，約一半的美國家庭將完全放棄有線電視和衛(wèi)星電視。這家公司的目標是在這一預(yù)期中的大眾向流媒體的轉(zhuǎn)變中繼續(xù)蓬勃發(fā)展，而其The Roku Channel仍將是這家公司盈利的關(guān)鍵驅(qū)動力。 據(jù)外媒報道，Roku預(yù)計，在未來幾年內(nèi)，美國大約一半的家庭將成為掐線者，其中許多人將永遠不會訂閱傳統(tǒng)的付費電視服務(wù)。

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  • 中國科學(xué)團隊爆發(fā)了：首次實現(xiàn)50千米的量子存儲器糾纏

     根據(jù)量子力學(xué)理論，兩個處于糾纏態(tài)的粒子無論相距多遠，都可以保持一種“幽靈般的超距作用”——兩個粒子的狀態(tài)密切相關(guān)，只要測定其中一個粒子，就能獲知另一個粒子在此刻的狀態(tài)。這樣的性質(zhì)在通信領(lǐng)域有著誘人的應(yīng)用場景——作為最安全的通信手段，一旦有黑客試圖對粒子進行測量，量子態(tài)就會不可避免地改變。 近些年來，量子通信因其無與倫比的安全性備受關(guān)注，但在技術(shù)層面，遠距離的傳輸卻面臨大量挑戰(zhàn)。其中之一，便是減少光纖中的信號損耗，以提升傳輸距離。 在一項發(fā)表于《自然》雜志的研究中，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)潘建偉團隊首次讓由50千米光纖相連的兩個量子存儲器實現(xiàn)糾纏，不僅大幅刷新了此前的紀錄，也為構(gòu)建基于量子中繼的量子互聯(lián)網(wǎng)奠定了重要基礎(chǔ)。 盡管量子糾纏理論上不存在距離限制，但在實際技術(shù)層面，實現(xiàn)遠距離的傳輸卻面臨眾多挑戰(zhàn)。 降低光子損耗 限制糾纏光子傳輸距離的一個重要因素，就是光子在光纖中的嚴重損耗。如果經(jīng)過50千米的光纖傳輸，信號將衰減至最初的十億億分之一。這樣的損耗程度，顯然是量子通信無法接受的。 為了減少光子在光纖中的損耗，在這項最新研究中，潘建偉團隊采用了一系列巧妙的手段。例如，存儲器的光波原本在795納米的近紅外光，而研究團隊將光波長轉(zhuǎn)換成1342納米的通信波段，大幅降低了光纖中的光子損耗程度。這時，在50千米的光纖中，相較于波長轉(zhuǎn)換之前，衰減程度減少了足足16個數(shù)量級。 此外，研究者使用了一種環(huán)形腔增強技術(shù)來制備糾纏原子和光子，從而將量子光源的亮度提高了一個數(shù)量級，大幅提升傳輸效率。 在中科大的實驗室中，研究團隊開始了這項實驗。他們在實驗室內(nèi)設(shè)置了兩個量子存儲器，每個存儲器中含有銣原子團。利用這項裝置，分別在兩個存儲器中建立起光子與原子團的糾纏。用激光照向銣原子團后，產(chǎn)生的光子與原子團形成糾纏。隨后，光子分別沿著兩條光纖傳輸，并在11千米外的合肥軟件園中的中繼器里匯合，進行干涉測量。這時，借助這個中間環(huán)節(jié)，就實現(xiàn)了兩個存儲器中銣原子團的量子糾纏。     實驗裝置圖 　　50千米的糾纏 研究團隊首先利用雙光子干涉，實現(xiàn)了22千米的糾纏光子傳輸。這一結(jié)果已經(jīng)大幅刷新了此前的紀錄。在此基礎(chǔ)上，研究團隊更近一步，利用難度更高的單光子干涉進行量子糾纏傳輸。相較于雙光子方案，“單光子方案的實驗難度更高一些，因為它要求光子相位同步，”包小輝表示，“但由于只需要探測單個光子，因此單光子干涉的糾纏速率更高，理論上允許的通信距離更遠。” 為實現(xiàn)遠程單光子干涉，團隊設(shè)計了雙重相位鎖定方案，并成功實現(xiàn)50千米的量子傳輸。相較于2015年的研究，除了傳輸距離的提升，糾纏概率、量子鏈路效率、糾纏時間等指標也都得到了顯著提升。包小輝指出，糾纏概率的變化尤為關(guān)鍵：相較于2015年的研究，這項最新研究的糾纏概率高了近5個數(shù)量級，大幅提升了量子糾纏分發(fā)的能力。 這項研究通過一系列全新的設(shè)計，有效解決了光纖傳輸中信號衰減的難題，為構(gòu)建基于量子中繼的量子互聯(lián)網(wǎng)奠定了重要基礎(chǔ)。 不過，這項實驗距離最終的目標仍有相當?shù)木嚯x。2015年研究的領(lǐng)導(dǎo)者Ronald Hanson在接受《科學(xué)》雜志采訪時表示，這項實驗是發(fā)展量子中繼器的重要一步，但距離真正的中繼器，仍有大量提升空間。例如目前的銣原子團還無法維持長時間的量子態(tài)，以滿足多鏈路的需求。 此外，這項實驗中兩個量子存儲器的實際距離只有不到1米，只是通過長距離的光纖連接。將兩個節(jié)點的距離拉遠后，實驗難度將進一步增加。接下來，研究團隊將實現(xiàn)真正遠距離分開的雙節(jié)點實驗。 包小輝表示：“量子互聯(lián)網(wǎng)按發(fā)展程度可分為量子密鑰網(wǎng)絡(luò)、量子存儲網(wǎng)絡(luò)、量子計算網(wǎng)絡(luò)三個階段。將這一工作拓展至真正遠距離的雙節(jié)點實驗后，將有望以此為基礎(chǔ)開展量子中繼等研究，并構(gòu)建量子存儲網(wǎng)絡(luò)的原型系統(tǒng)。” 量子中繼器 2017年，潘建偉團隊曾利用“墨子號”量子通信衛(wèi)星，在相距1200千米的青海德令哈基站和云南麗江高美古基站之間，實現(xiàn)糾纏態(tài)光子的傳輸，創(chuàng)下量子糾纏傳輸距離的紀錄。不過，通過衛(wèi)星進行的糾纏態(tài)光子傳輸損耗很大：墨子號每秒發(fā)射的600萬對糾纏態(tài)光子中，只有一對可以被地面基站接收到。而且，衛(wèi)星傳輸更適用于大尺度的覆蓋，而城市間的量子通信，則需要基于地面的量子通信網(wǎng)絡(luò)。 在此之前，包括潘建偉團隊在內(nèi)的研究團隊已經(jīng)通過光纖構(gòu)建出城域量子通信網(wǎng)絡(luò)，但由于光纖中的損耗不可避免，這樣直接點對點的量子通信方式，距離受到限制。因此，科學(xué)家逐漸意識到，要實現(xiàn)更遠距離的量子通信，就必須在途中建立“驛站”。 這樣的“驛站”，就是量子中繼器。量子中繼器的核心思想，是將遠距離點對點傳輸轉(zhuǎn)換為分段傳輸。在兩個節(jié)點分別產(chǎn)生原子與光子的糾纏后，光子通過光纖分別傳輸至中間節(jié)點，也就是量子中繼器中。這時，在量子中繼器中對兩端的光子進行干涉，再進行分發(fā)，就實現(xiàn)了兩個相距甚遠的節(jié)點的量子糾纏。因此，這種思路有望大幅拓展安全通信距離。 “衛(wèi)星傳輸更適用于廣域大尺度覆蓋，以及無法鋪設(shè)光纖的場合，”最新論文的第一作者包小輝教授在接受《環(huán)球科學(xué)》采訪時介紹道，“而基于量子存儲的量子中繼主要適用于光纖地面網(wǎng)絡(luò)，用來實現(xiàn)城域及城際覆蓋。” 然而，實現(xiàn)這一想法的難度頗高。此前，最遠的光纖量子中繼僅有1.3千米。這是2015年時，荷蘭代爾夫特理工大學(xué)的研究人員取得的突破性進展。他們在校園內(nèi)相距1.3千米的地方，首次驗證了實現(xiàn)遠距離量子糾纏的可行性。 對于這項研究，1.3千米的光纖傳輸已是極限;但對于量子通信來說，還遠遠不夠。

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  • Intel 10nm 14核心至強曝光：型號不詳,性能暴漲54％

     近日，SiSoftware數(shù)據(jù)庫里又出現(xiàn)了一顆新的Intel 10nm Ice Lake-SP至強處理器，型號不詳只顯示代表工程樣品的Intel 0000字樣，規(guī)格方面14核心28線程，核心基礎(chǔ)頻率2.0GHz(加速頻率未知)，二級緩存17.5MB，三級緩存21MB。 日前我們曾經(jīng)從GeekBench測試數(shù)據(jù)庫里見到一顆疑似Intel 10nm Ice Lake-SP服務(wù)器平臺的6核心型號，外媒稱對比現(xiàn)有14nm產(chǎn)品，多線程性能提升多達118%，頗為不可思議，但真實性也有待檢驗。 目前代號Cascade Lake-SP的第二代至強可擴展家族中是沒有14核心的，更早的第一代才有，但三級緩存只有19.25MB，所以這顆新U只能是下一代10nm的新品。     那么為什么不是下代14nm Cooper Lake?因為性能。 測試結(jié)果顯示，這顆新的14核心28線程算術(shù)性能360.36GOPS，多媒體性能1471.17Mp/s，高精度加密性能23.04GB/s。     這意味著什么?對比一顆二代可擴展至強金牌6132，雙路組成28核心56線程，主頻3.2GHz的情況下，可以基本代表架構(gòu)能力的算術(shù)性能為749.80GOPS，換成同樣核心同樣頻率，10nm的要領(lǐng)先多達54%! 如果看多媒體性能、加密性能，同頻提升幅度其實更大，分別達到了大約70%、100%!     對于一顆14核心處理器來說，2.0GHz作為基準頻率還算是合格的，就看加速能達到什么程度了，以及能不能突破現(xiàn)在的28核心……     雖然Intel 10nm工藝在代號同樣為Ice Lake的超輕薄筆記本平臺上表現(xiàn)一般，頻率上不去，導(dǎo)致整體性能一般，不得不繼續(xù)依靠14nm來輔助撐場面，但看起來經(jīng)過不斷優(yōu)化，終于能在更多核心的服務(wù)器平臺上大展身手了。

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  • 康佳發(fā)力存儲芯片：2020擬銷售1億顆存儲主控芯片

     近日，深康佳的股價持續(xù)攀升，背后是資本市場對這個老牌家電企業(yè)拓展芯片業(yè)務(wù)的期待。康佳2月6日晚曾發(fā)公告稱，旗下康芯威公司2020年爭取銷售1億顆存儲主控芯片。不過，康佳表示，這不構(gòu)成業(yè)績承諾。 2月12日晚，深康佳(000016.SZ，下稱“康佳”)發(fā)布股票交易異常波動公告稱，公司連續(xù)三個交易日收盤價格漲幅偏離值累計超過20%，如果控股子公司康芯威(合肥康芯威存儲技術(shù)有限公司)2020年銷售1億顆存儲主控芯片目標達成，相應(yīng)銷售總金額約為2.5億元，占2020年銷售收入比重將不超過1%。 第一財經(jīng)記者獲悉，康佳投資約10億元的芯片封測廠也計劃于2020年底試生產(chǎn)，年產(chǎn)能將達2億顆，著重在存儲芯片領(lǐng)域。未來，康佳將打造“設(shè)計、封測、渠道”的存儲產(chǎn)業(yè)鏈條，搭建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資平臺。 2月13日，康佳當日股價下跌6.36%，報收8.25元。 2020的1億目標 兩年前，康佳于2018年5月宣布戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，由家電企業(yè)轉(zhuǎn)型為以科技創(chuàng)新驅(qū)動的投資平臺，同時成立了半導(dǎo)體科技事業(yè)部，正式進軍芯片領(lǐng)域。 據(jù)相關(guān)公告，2018年11月，康佳成立了康芯威，控股51%?？敌就灾餮邪l(fā)設(shè)計的eMMC存儲主控芯片，主要功能是控制內(nèi)嵌式存儲器，可用于智能手機、平板電腦、智能電視、機頂盒、筆記本電腦、智能音響等智能終端。 2019年12月，康芯威首款存儲主控芯片實現(xiàn)量產(chǎn)，已于當月銷售10萬顆，銷售金額約20萬元，預(yù)計占康佳2019年銷售收入的比重不足0.01%。已銷售芯片的主要客戶為臺灣某科技公司，康芯威通過該客戶把芯片分銷至平板電腦等產(chǎn)品的品牌廠商。 目前，存儲主控芯片行業(yè)為多寡頭競爭市場，其中三星電子、東芝半導(dǎo)體、SK海力士、閃迪等四家國際主流廠商合計市場占有率預(yù)計約為85%，國產(chǎn)品牌市場占有率約8%。 在此情況下，康芯威爭取2020年銷售存儲主控芯片1億顆，是基于市場、產(chǎn)品等方面的考慮。 全球存儲主控芯片市場巨大。據(jù)研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)，2020年，按照單臺使用一顆存儲主控芯片計算，全球智能手機、平板電腦、智能電視、機頂盒、筆記本電腦、智能音響、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等智能終端產(chǎn)品預(yù)計使用存儲主控芯片約25億~30億顆。如果康芯威在2020年實現(xiàn)1億顆存儲主控芯片銷售，預(yù)計市場占有率約為3.3%~4%。同時，國產(chǎn)化需求較強，國產(chǎn)品牌市占率有提升空間。 此外，康芯威稱，其存儲主控芯片尺寸與行業(yè)主流產(chǎn)品相比小10%以上，綜合成本比行業(yè)平均低15%左右，而其讀寫速度超過行業(yè)平均水平、功耗優(yōu)于行業(yè)主流產(chǎn)品，并具有斷電保護功能。 打通設(shè)計、封測和渠道鏈條 其實，康佳在芯片領(lǐng)域的野心，不止于康芯威。 除了康芯威公司，康佳早于2016年已成立了一家專門做存儲類產(chǎn)品(DRAM、SSD、MicroSD、EMMC)銷售的合資公司——中康存儲科技，其2017年營收7.69億美元，2018年營收13.46億美元，因此，康佳在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)有了一定的積累。 此外，2019年下半年，康佳集團成立了康佳芯盈半導(dǎo)體科技(深圳)有限公司(簡稱“康佳芯盈”)，研發(fā)、封測、銷售“康佳”品牌存儲芯片產(chǎn)品?？敌就?、中康存儲科技和康佳芯盈這三塊業(yè)務(wù)將實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)協(xié)同，以“設(shè)計+封測+渠道”的模式，共同構(gòu)建康佳存儲產(chǎn)業(yè)鏈條。 2019年11月，康佳公告透露，計劃以康佳芯盈為主體在江蘇鹽城建設(shè)半導(dǎo)體芯片封測廠。 調(diào)研機構(gòu)CINNO Research提供給第一財經(jīng)的研究報告顯示，2020年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計從谷底反彈5%，其中存儲行業(yè)將苦盡甘來，2020年將重回上升軌道。經(jīng)歷自2017年第三季開始連續(xù)八個季度產(chǎn)業(yè)供過于求及價格快速滑落的慘淡格局，存儲器廠商自2019年起開始減產(chǎn)抑制產(chǎn)出，預(yù)期2020年存儲器行業(yè)整體行業(yè)供需狀況比2019年健康。 芯片業(yè)務(wù)爆發(fā)的機遇與風(fēng)險 從零起步，今年康佳芯盈的封測產(chǎn)能就達到2億顆?面對外界猜疑的目光，康佳芯盈有關(guān)負責(zé)人在一份提供給第一財經(jīng)的書面數(shù)據(jù)中透露，產(chǎn)品線是固態(tài)硬盤(SSD)、嵌入式存儲(eMMC)和內(nèi)存(DDR)“三管齊下”。 康佳芯盈的eMMC產(chǎn)品將打造穩(wěn)定性能的嵌入式存儲。康佳芯盈預(yù)計，2020年隨著5G及智能終端設(shè)備市場的爆發(fā)，其eMMC產(chǎn)品將銷售超過4000萬顆。而康芯威擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的首款eMMC存儲主控芯片也將應(yīng)用在康佳芯盈的eMMC存儲芯片產(chǎn)品上。 兩者的協(xié)同效應(yīng)將逐步顯現(xiàn)?？导研居漠a(chǎn)能為康芯威2020年銷售1億顆存儲主控芯片的目標打下堅實的基礎(chǔ)。康芯威繼首款存儲主控芯片eMMC5.1量產(chǎn)后，未來兩年內(nèi)還將逐步完成SSD、UFS等存儲主控芯片的設(shè)計及量產(chǎn)工作，為康佳芯盈提供重要的供應(yīng)鏈和技術(shù)支撐。 康佳半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負責(zé)人表示，存儲類產(chǎn)品作為康佳半導(dǎo)體的主要戰(zhàn)略布局方向，經(jīng)過了充分的思考和論證。存儲芯片行業(yè)快速增長，2018年全球存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模已經(jīng)達到1580億美元，其中中國市場規(guī)模達5775億元，同比增長34.18%，超過全球市場規(guī)模一半。中國是全球最大的消費電子產(chǎn)品生產(chǎn)國和消費國，智能手機、平板電腦、藍牙音箱等消費類電子市場的快速發(fā)展，產(chǎn)生了大量存儲芯片產(chǎn)品需求，預(yù)計中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)到2025年將達到7749億元。在此背景下，憑借“設(shè)計+封測+渠道”的模式，康佳存儲業(yè)務(wù)或?qū)⒃?020年迎來爆發(fā)式增長。 不過，業(yè)內(nèi)人士提醒說，首先康佳已表示今年1億顆存儲主控芯片的銷售目標不構(gòu)成業(yè)績承諾;其次即使完成該目標，占康佳今年銷售收入不足1%，對其整體業(yè)績拉動有限;第三存儲行業(yè)剛從產(chǎn)能過剩、價格下滑的谷底反彈，康佳還需打造存儲產(chǎn)品持續(xù)的技術(shù)競爭力，對抗行業(yè)波動的風(fēng)險。 除了eMMC產(chǎn)品，康佳芯盈預(yù)計2020年康佳品牌SSD(固態(tài)硬盤)銷量將超過200萬臺;內(nèi)存DDR產(chǎn)品線預(yù)計2020年第二季度上市，全年銷量將會超過2000萬顆。

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  • 聯(lián)想正式官宣電競手機：“拯救者”搭載驍龍865處理器

     今天，聯(lián)想正式宣布拯救者電競手機將搭載驍龍865 5G SoC，號稱“端游級電競旗艦”。拯救者是聯(lián)想的游戲本品牌，官方海報中也出現(xiàn)了拯救者標志性的“Y”Logo。 去年四月份，時任聯(lián)想集團副總裁、手機事業(yè)部總經(jīng)理的常程就透露拯救者電競手機將于今年初發(fā)布。 而聯(lián)想中國區(qū)手機業(yè)務(wù)部總經(jīng)理陳勁此前在接受采訪時表示，拯救者游戲手機依將靠拯救者對游戲電競領(lǐng)域的多年深耕，憑借其研發(fā)、品牌運營、粉絲用戶群體等資源，實現(xiàn)拯救者手機游戲手機行業(yè)市場第一的目標。 此外，去年12月，聯(lián)想官方開通了拯救者電競手機官方微博。

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  • Semtech捐款35萬元以支持抗擊新型冠狀病毒疫情

    2020年2月10日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Semtech Corporation（納斯達克股票代碼：SMTC），通過其中國的子公司升特半導(dǎo)體（深圳）有限公司向深圳市紅十字會捐贈35萬元人民幣。這筆捐款將通過深圳紅十字會，定向捐贈到湖北武漢的抗擊新型冠狀病毒專項基金，用于購買相應(yīng)的醫(yī)療物資以及為受感染的患者提供醫(yī)療救助。 同時，Semtech正在積極支持我們的國內(nèi)生態(tài)合作伙伴，并加大研發(fā)投入和生產(chǎn)基于LoRa技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品，如用于智慧工廠和社區(qū)人員管控的智能門磁，以及更多基于LoRa的傳感器、監(jiān)測產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，以助于更高效便捷地做好疫情防控。 “首先，我代表Semtech全體同仁向每一位奮戰(zhàn)在防疫前線的醫(yī)護人員和工作人員致敬！”Semtech集團亞洲區(qū)人力資源總監(jiān)章燕冰女士說，“Semtech進入中國市場已近20年，這次突如其來的病毒疫情牽動著我司所有員工的心。Semtech高度重視自己的社會責(zé)任，我們已向深圳市紅十字會捐款35萬元人民幣，用于定向支持湖北省武漢市的新型冠狀病毒疫情治療和防控工作，以盡我們的綿薄之力。”沒有一個冬天不可逾越，沒有一個春天不會來臨。和大家一樣，我們期盼著疫情早日終結(jié)，所有的患者得到救治，所有的醫(yī)護人員平安歸來。讓我們攜手相助，共渡難關(guān)。

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  • 2019全球半導(dǎo)體開支超4183億美元，誰是最大買家？

    近日，美國市場研究機構(gòu)Gartner發(fā)布了“2019年全球十大半導(dǎo)體采購商”榜單。 該榜單顯示，由于受到總體經(jīng)濟趨緩、內(nèi)存芯片價格下降的影響，導(dǎo)致2019年全球領(lǐng)先的原始設(shè)備制造商（OEM）降低了半導(dǎo)體開支。其中，排名前三的分別為蘋果、三星、華為。 ◆ 蘋果：2019年蘋果的半導(dǎo)體開支為361.3億美元，由此超越三星成為全球最大的半導(dǎo)體買家，而這主要得益于其在可穿戴產(chǎn)品方面的成功，即Apple Watch和AirPods。 ◆ 三星：2019年三星的半導(dǎo)體開支為334.05億美元，由于主力產(chǎn)品存儲芯片的行情惡化而退居第二。 ◆ 華為：2019年華為的半導(dǎo)體開支為208.84億美元，盡管中美貿(mào)易戰(zhàn)對其帶來了不利影響，但受到智能手機業(yè)務(wù)的持續(xù)推動，進而保住了第三的位置。 值得一提的是，2019年小米的半導(dǎo)體開支為70.16億美元，雖然僅僅排名第八，但其卻是唯一一家半導(dǎo)體開支出現(xiàn)增長的OEM廠商，漲幅為1.4%。 此外，Gartner高級首席分析師Masatsune Yamaji指出，2019年全球市場不確定性及總體經(jīng)濟趨緩，對半導(dǎo)體買家?guī)砹藰O大沖擊。中美貿(mào)易戰(zhàn)、英國脫歐、日韓關(guān)系緊張、香港抗爭等政治沖突增加，導(dǎo)致全球經(jīng)濟成長速度下降?？傮w經(jīng)濟環(huán)境使各種電子設(shè)備需求降溫，2019年整體電子設(shè)備營收減少47億美元，較2018年下滑0.2%。

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  • 中國最杰出商界女性排行榜：芯片女皇進前10!

    福布斯中國連續(xù)第六次推出 “中國最杰出商界女性排行榜”。今年，仍然以女性管理者所執(zhí)掌公司的營運規(guī)模與質(zhì)量、管理人數(shù)及外界影響力等為衡量指標，采取量化的方式對其進行排名。榜單不僅關(guān)注候選人所在企業(yè)的財富數(shù)值，同樣注重女性高管在企業(yè)中所扮演的管理角色，對企業(yè)成長所產(chǎn)生的實際控制力和影響力。 今年上榜的100 位商界女性所管理企業(yè)總市值近10萬億元。其中，超過半數(shù)的上榜者擁有碩士及以上(包括MBA)學(xué)歷，擁有本科及以上學(xué)歷的比例接近90%。地域上，上海、杭州、北京成為擁有最多上榜者的城市。 時隔兩年后，65歲的格力電器董事長董明珠再次問鼎榜首。 與往年相比，今年的商界女性榜出現(xiàn)多張新面孔，這其中包括被媒體盛譽 “芯片女皇”的華為董事、海思總裁何庭波。1996年，何庭波被任正非招入麾下受命研發(fā)自有芯片。在低調(diào)潛行20多年后，海思已成為國內(nèi)最大的半導(dǎo)體公司，并進入全球芯片設(shè)計公司前五名。 何庭波的鋒芒同樣意味著女性在科技領(lǐng)域不容忽視的影響力。此次上榜的百位女性高管中，接近1/4的上榜者來自TMT行業(yè)，金融、房地產(chǎn)、醫(yī)藥緊隨其后。 以下是最杰出商界女性排行榜TOP10：

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  • 富士康計劃2月底恢復(fù)中國大陸50%生產(chǎn) 3月恢復(fù)80%

    據(jù)路透社報道，富士康計劃在2月底之前恢復(fù)其在中國大陸50%的生產(chǎn)，并計劃在3月份繼續(xù)恢復(fù)至80%。 據(jù)路透社此前報道，知情人士周一稱，富士康在中國北部鄭州的一座重要工廠已經(jīng)獲得了中國政府的批準，恢復(fù)生產(chǎn)。不過知情人士稱，富士康仍在與政府磋商中國南部深圳工廠的復(fù)產(chǎn)。深圳地方當局在周日稱其仍在與蘋果組裝合作伙伴合作，在確保工人安全的前提下進行生產(chǎn)。 此前Wedbush分析師Daniel Ives表示，富士康推遲復(fù)工“將對系統(tǒng)造成沖擊”，并進一步擾亂蘋果公司的供應(yīng)鏈。

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