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  • 利用波特圖顯示控制環(huán)路特性

    本文解釋了為何要利用波特圖來(lái)展示電源環(huán)路的傳遞函數(shù)。雖然存在時(shí)域負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試，但這種測(cè)試并不能揭示波特圖所能提供的其他重要信息。讀者將了解二者的區(qū)別，并認(rèn)識(shí)到波特圖計(jì)算、仿真與測(cè)量的實(shí)際意義。

  • 在探針卡層面進(jìn)行集成，實(shí)現(xiàn)ATE系統(tǒng)中的可擴(kuò)展LCR測(cè)量

    隨著半導(dǎo)體測(cè)試向更高復(fù)雜性與并行度演進(jìn)，多工位自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)和SiC/GaN測(cè)試對(duì)電感、電容和電阻(LCR)測(cè)量的需求不斷提升。然而，傳統(tǒng)的外接臺(tái)式LCR儀表和基于線纜的設(shè)置難以擴(kuò)展，而且會(huì)降低可重復(fù)性。本文介紹了一種嵌入式模塊化LCR方案，并結(jié)合探針卡集成案例，說(shuō)明了如何實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的并行LCR測(cè)試。文章最后展望了這種方案在未來(lái)ATE中的應(yīng)用。

  • 借助安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)——第4部分：使用功能安全型器件

    ADI公司的工業(yè)功能安全(FS)產(chǎn)品系列包含四類器件，如表1所示。所謂功能安全型器件，是指如下的標(biāo)準(zhǔn)集成電路(IC)或產(chǎn)品：本身并不符合任何功能安全標(biāo)準(zhǔn)，但憑借所具備的功能與特性1和廣泛應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，外加可通過(guò)安全應(yīng)用筆記獲取的功能安全文檔，被ADI推薦用于功能安全場(chǎng)景。

    ADI
    2026-06-12
    FMD FS器件 引腳FMEA

  • 借助安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)——第3部分：提升功能安全性能

    對(duì)安全功能電路進(jìn)行首次失效模式、影響與診斷分析(FMEDA)后，結(jié)果只有兩種。第一種結(jié)果是系統(tǒng)完整性等級(jí)(SIL)要求得到滿足，第二種結(jié)果是要求未能滿足。對(duì)于后者，要在不進(jìn)行重大架構(gòu)變更的情況下解決問(wèn)題，系統(tǒng)集成商可以提高診斷覆蓋率、調(diào)整運(yùn)行條件和/或采用額外安全措施。ADI公司安全應(yīng)用筆記中的信息可以幫助系統(tǒng)集成商實(shí)施此類設(shè)計(jì)改進(jìn)，從而達(dá)到每小時(shí)危險(xiǎn)失效概率(PFH)/按需危險(xiǎn)失效概率(PFDAVG)和安全失效比率(SFF)要求。因此，本系列的第3部分深入探討系統(tǒng)集成商如何使用功能安全(FS)型器件的安全應(yīng)用筆記，來(lái)提升IC在系統(tǒng)中的功能安全性能。

    ADI
    2026-06-11
    FMD FS器件 引腳FMEA

  • AI數(shù)據(jù)中心正在撞上“三堵墻”：為什么高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)最終都會(huì)回到PI與SI？

    AI數(shù)據(jù)中心的發(fā)展正在不斷突破功耗、內(nèi)存與帶寬邊界。隨著GPU功率持續(xù)攀升、HBM帶寬持續(xù)增長(zhǎng)以及高速互聯(lián)不斷升級(jí)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)也正在從單一模塊優(yōu)化轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級(jí)協(xié)同優(yōu)化。對(duì)于今天的工程師而言，真正需要解決的問(wèn)題已經(jīng)不再是某一個(gè)高速接口是否能夠正常工作，而是整個(gè)系統(tǒng)能否在高功率、高帶寬以及高動(dòng)態(tài)負(fù)載環(huán)境下持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行。這也正是為什么，PI與SI正在成為AI數(shù)據(jù)中心時(shí)代最關(guān)鍵的底層能力。

  • ROS2導(dǎo)航從零搭到崩潰?這份開(kāi)源方案給你抄作業(yè)

    在AGV、服務(wù)機(jī)器人、自動(dòng)駕駛清掃車等炙手可熱的賽道，自主導(dǎo)航能力是產(chǎn)品的靈魂。然而，無(wú)數(shù)機(jī)器人研發(fā)團(tuán)隊(duì)在邁向量產(chǎn)的途中，都曾撞上同一堵看不見(jiàn)的墻：

  • 借助安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)——第2部分：FMEDA數(shù)據(jù)導(dǎo)入

    在完成合理性校驗(yàn)，確認(rèn)器件功能安全(FS)失效率、失效模式分布(FMD)及引腳失效模式與影響分析(FMEA)的推導(dǎo)假設(shè)成立后，系統(tǒng)集成商下一步需將這些數(shù)據(jù)導(dǎo)入其系統(tǒng)的失效模式、影響與診斷分析(FMEDA)中。ADI的安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記提供了多種計(jì)算失效率、裸片F(xiàn)MD及引腳FMEA的方法。系統(tǒng)集成商可根據(jù)自身在安全相關(guān)系統(tǒng)(SRS)設(shè)計(jì)或通過(guò)FMEDA開(kāi)展技術(shù)安全分析的經(jīng)驗(yàn)，采用不同方式來(lái)運(yùn)用這些信息。本系列文章第2部分旨在介紹一種結(jié)合裸片F(xiàn)MD與引腳FMEA來(lái)推導(dǎo)FS器件的失效率分布的方法。

    ADI
    2026-06-10
    FMD FS器件 引腳FMEA

  • 極海G32F031超高性價(jià)比高速風(fēng)筒參考方案

    極海G32F031超高性價(jià)比高速風(fēng)筒參考方案近年來(lái)，隨著護(hù)發(fā)消費(fèi)需求升級(jí)，高速風(fēng)筒憑借低溫速干、護(hù)發(fā)效果優(yōu)異等特點(diǎn)，成為個(gè)人護(hù)理電器領(lǐng)域的熱門(mén)品類。該類產(chǎn)品依托每分鐘超10萬(wàn)轉(zhuǎn)的高速無(wú)刷電機(jī)，以強(qiáng)勁氣流替代傳統(tǒng)高溫吹風(fēng)，減少對(duì)頭發(fā)的熱損傷；同時(shí)，搭配負(fù)離子功能讓秀發(fā)更加順滑有光澤。

  • 借助安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)——第1部分：開(kāi)始使用

    ADI公司的工業(yè)功能安全(FS)產(chǎn)品系列中包含支持FS特性的器件，這些器件的安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記可在相應(yīng)的產(chǎn)品頁(yè)面上公開(kāi)查閱。這些安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記提供了器件的FS信息，例如失效率、失效模式分布(FMD)、引腳失效模式與影響分析(FMEA)等。借助此類筆記，系統(tǒng)集成商能輕松獲取重要信息，高效完成安全相關(guān)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。因此，本系列文章的第一部分將討論系統(tǒng)集成商在使用器件的安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記之前，需要進(jìn)行哪些推薦的健全性檢查。

  • 從環(huán)視到監(jiān)測(cè)：RK3576基于DMA-BUF零拷貝技術(shù)的車載雙視覺(jué)系統(tǒng)

    在360環(huán)視系統(tǒng)的初始驗(yàn)證階段，我們采用了一套直觀且廣泛使用的技術(shù)棧：OpenCV負(fù)責(zé)從采集到顯示的全部圖像處理任務(wù)。功能層面，這套方案完全跑通了——四路魚(yú)眼去畸變、透視投影、鳥(niǎo)瞰拼接，所有算法邏輯均正確。但當(dāng)我們將目光從「能不能跑」轉(zhuǎn)向「能不能用」時(shí)，一個(gè)嚴(yán)峻的問(wèn)題浮出水面：端到端延遲高達(dá)約300ms，遠(yuǎn)超25fps對(duì)應(yīng)的40ms幀預(yù)算。

    米爾電子
    2026-06-09
    CPU Linux GPU

  • 助力未來(lái)創(chuàng)新—第3部分：2kW 1/4磚模塊參考設(shè)計(jì)

    隨著對(duì)人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)及云應(yīng)用的依賴日益加深，市場(chǎng)對(duì)緊湊、高效且可靠的電源轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)生了前所未有的需求。本文將介紹一款面向傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心48V中間總線轉(zhuǎn)換的1/4磚DC?DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，其性能優(yōu)于現(xiàn)有市售方案。這款參考設(shè)計(jì)在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸內(nèi)采用了ADI分立器件方案，可提供極具競(jìng)爭(zhēng)力且可擴(kuò)展的解決方案，以滿足高性能應(yīng)用（包括超大規(guī)模計(jì)算與工業(yè)系統(tǒng)）不斷增長(zhǎng)的需求。

  • 助力未來(lái)創(chuàng)新：適用于1/4磚電源的混合轉(zhuǎn)換器—第2部分：性能

    隨著48 V架構(gòu)的出現(xiàn)，1/4磚電源成為數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的一個(gè)關(guān)鍵組成部分。電源必須在效率和瞬態(tài)響應(yīng)方面表現(xiàn)出色，同時(shí)仍保持1/4磚的尺寸規(guī)格。在嚴(yán)格的尺寸限制下，基于混合轉(zhuǎn)換器的1/4磚電源能夠同時(shí)滿足高效率和瞬態(tài)響應(yīng)的要求，并提供高達(dá)2 kW的輸出功率。4相混合轉(zhuǎn)換器集成了一個(gè)雙2相耦合電感，在降壓部分使用2:1的降壓比，從而顯著降低了電流紋波，進(jìn)一步提升了性能。參考設(shè)計(jì)在48 V輸入下的峰值效率為98.59%，在54 V輸入下的滿載效率為97.68%。

  • 碳化硅賦能浪潮教程：替代Si和SiC MOSFET的方案

    摘要：碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場(chǎng)景的應(yīng)用價(jià)值。我們已經(jīng)介紹了碳化硅如何革新電源設(shè)計(jì)、工業(yè)與服務(wù)器電源。本文為第二篇，將介紹三種替代Si和SiC MOSFET的方案。

  • 降壓穩(wěn)壓器輸出電壓紋波測(cè)量中的高頻噪聲

    與低壓差(LDO)穩(wěn)壓器相比，開(kāi)關(guān)電源具有更高的效率和更強(qiáng)的功率處理能力。但與此同時(shí)，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的快速開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程會(huì)產(chǎn)生向周圍輻射的電磁噪聲。在測(cè)量輸出電壓紋波時(shí)，這類輻射噪聲可被檢測(cè)到，并表現(xiàn)為高頻噪聲。倘若測(cè)試設(shè)置不當(dāng)，可能會(huì)影響開(kāi)關(guān)電源的真實(shí)性能表現(xiàn)。本文分析了電壓測(cè)量中出現(xiàn)高頻噪聲的根本原因，并闡述客戶是否需要為這類噪聲擔(dān)憂。文章通過(guò)Ansys Maxwell仿真模擬電源周圍的輻射磁通分布，直觀呈現(xiàn)輻射效應(yīng)。此外，本文提出了一種可測(cè)量電路中實(shí)際輸出電壓紋波并識(shí)別高頻噪聲引發(fā)的潛在問(wèn)題的方法。

  • 從“逐路測(cè)量”到“系統(tǒng)級(jí)觀察”：多相電源中的三態(tài)PWM測(cè)試為何越來(lái)越重要

    隨著AI服務(wù)器、電源模塊以及高性能計(jì)算平臺(tái)持續(xù)提升供電能力，多相供電架構(gòu)的復(fù)雜度還將繼續(xù)增加。未來(lái)工程師面對(duì)的問(wèn)題，已經(jīng)不再只是“能否測(cè)到PWM信號(hào)”，而是能否同時(shí)觀察所有相位、同步分析系統(tǒng)行為以及快速定位減相與輕載控制邏輯。在這一背景下，邏輯探頭與高通道示波器的結(jié)合，正在讓多相電源測(cè)試從傳統(tǒng)逐路觀察，逐步轉(zhuǎn)向更加高效的系統(tǒng)級(jí)分析。

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