新款紧凑、超薄电源设计采用高集成度、1700V额定耐压的PowiGaN™单HEMT IC， 可节省空间、简化方案、提升可靠性并减少BOM元件数，同时实现高达88%的效率
美国德州圣安东尼奥--(BUSINESS WIRE) -- (美国商业资讯) --，2026年3月23日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出了一项反激拓扑的突破性技术，将反激变换器的功率范围扩展至440W——远超传统上需要更复杂的LLC谐振拓扑结构所能达到的极限。全新的TOPSwitchGaN™反激式IC系列产品将该公司的突破性PowiGaN™技术与其标志性的TOPSwitch™IC架构相结合，简化了系统设计，在许多情况下无需使用散热片，缩短了设计周期，提高了可生产性，并降低了系统总成本。
该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势
模拟芯片行业资深人士将接棒掌舵多年的领导者Balu Balakrishnan
五款全新参考设计全页展示采用宽爬电距离封装的InnoSwitch™3-AQ反激式IC的性能
第五代标志性开关IC产品系列可在经典反激式架构中实现高达175W的输出功率和92%的效率
性能强大的芯片组采用紧凑、高效散热的封装，可实现高达98%的效率
该软件与BridgeSwitch电机驱动器IC搭配使用，可实现对高效单相和三相无刷直流逆变器的控制和配置。
1700V InnoSwitch™3-AQ反激式开关符合IEC 60664-1绝缘标准
1700V额定耐压的氮化镓InnoMux-2 IC可在1000VDC母线电压下实现高于90%的效率， 并通过三路精确调整的输出提供高达70W的功率
使用软硬件结合的方式将BLDC电机逆变器睡眠模式功耗降低至10mW以下，输出功率扩展至1马力的应用
该笔交易有利于高电压、高功率氮化镓技术的持续发展
新款氮化镓IC将AC-DC和DC-DC变换级简化为一个单级功率变换器;可将系统功率损耗降低高达50%
零电压开关(ZVS)反激式拓扑结构加上先进的SR FET控制技术，可实现95%的效率、缩小电源尺寸并减少元件数目
