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  • 瓴盛首推11納米AI視覺(jué)芯片

    5G時(shí)代，萬(wàn)物互聯(lián)。8月28日，瓴盛科技在智能物聯(lián)網(wǎng)這一賽道布下關(guān)鍵一子——首顆自研芯片智能物聯(lián)網(wǎng)SoC產(chǎn)品JA310。JA310的研發(fā)團(tuán)隊(duì)不僅使用了三星11nm的先進(jìn)制程，而且只用了一年的時(shí)間，就實(shí)現(xiàn)了一次流片成功，這表示團(tuán)隊(duì)強(qiáng)大的實(shí)力，更是具有劃時(shí)代的意義，也為瓴盛科技下一步的產(chǎn)品研發(fā)打下基礎(chǔ)。 JA310是一款A(yù)IoT SoC芯片，而天生具備通信血統(tǒng)的瓴盛必然會(huì)出5G芯片。移動(dòng)通信芯片和智慧物聯(lián)網(wǎng)芯片將是全球信息產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力,5G+AI、5G+AIoT也是瓴盛戰(zhàn)略聚焦的主賽道。但旺盛的市場(chǎng)需求已經(jīng)吸引到一批頗有實(shí)力的企業(yè)，瓴盛如何從中突圍? 一、首推11納米AI視覺(jué)芯片 有必要先說(shuō)一說(shuō)瓴盛的誕生。2017年5月，大唐電信批露旗下大唐聯(lián)芯將與高通成立中外合資公司，股東還包括兩家投資基金:建廣基金和智路基金。2018年5月，瓴盛科技經(jīng)商務(wù)部審批正式成立，2019年3月瓴盛科技總部正式落戶成都雙流區(qū)。 為什么要從AIoT開始?“未來(lái)邊緣計(jì)算、AIoT重大的方向就是要在無(wú)線連接的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)，有線連接的成本比較高、靈活性低，無(wú)線替代有線是未來(lái)趨勢(shì)，而5G+AI、AIoT就是我們的布局方向?！毙ば∶f(shuō)，“縱觀近幾年行業(yè)發(fā)展，云是大趨勢(shì)，瓴盛把未來(lái)產(chǎn)品局限在手機(jī)上，意義并不大，所以我們將把產(chǎn)品聚焦在移動(dòng)計(jì)算上，AIoT將是智慧連接的基礎(chǔ)，與邊緣計(jì)算、云技術(shù)結(jié)合后，就不是一個(gè)簡(jiǎn)單的AIoT，它的應(yīng)用將非常廣泛，這也是我們未來(lái)的發(fā)展方向。” JA310是一款A(yù)I視覺(jué)芯片系列。AI視覺(jué)應(yīng)用前景廣闊，僅用于智能安防就有千億級(jí)市場(chǎng)，此外還有機(jī)器視覺(jué)、車載攝像、人臉識(shí)別、智能顯示等應(yīng)用。瓴盛科技首席營(yíng)銷官成飛說(shuō)，瓴盛科技成立伊始就決策做AI視覺(jué)芯片。 視覺(jué)應(yīng)用首要的需求是畫質(zhì)清晰流暢，無(wú)論在暗光、高對(duì)比度和快速運(yùn)動(dòng)等場(chǎng)景畫面都需要有非常好的表現(xiàn)。根據(jù)瓴盛公司披露的信息，JA310采用了雙路通道專業(yè)級(jí)監(jiān)控ISP設(shè)計(jì)，單路支持4K像素、每秒30幀的分辨率，采用H.264/265視頻編碼技術(shù)，雙通道ISP設(shè)計(jì)可以支持雙攝像頭傳感器，能夠有效擴(kuò)大視野、增強(qiáng)畫面細(xì)節(jié)，適用于距離測(cè)量、監(jiān)控光學(xué)變焦、暗光效果增強(qiáng)、紅外夜視、色彩還原，以及人臉識(shí)別等; 獨(dú)立的AI硬件單元NPU，與CPU、GPU協(xié)同，混合算力達(dá)到2TOPS，支持多種流行架構(gòu)AI模型。與基于28納米的同類產(chǎn)品相比，采用11納米工藝，使功耗可以下降70%。與JA310同時(shí)推出的還有一款普惠型芯片JA308，支持2K視頻。 目前深度視覺(jué)主要有雙目視覺(jué)、結(jié)構(gòu)光和TOF三種方式，三種方案各有優(yōu)勢(shì)，可以通過(guò)技術(shù)協(xié)作實(shí)現(xiàn)更好的效果。雙目視覺(jué)的應(yīng)用越來(lái)越多，掃地機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、汽車上都有比較好的應(yīng)用前景，需要有像JA310這樣的芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。 二、控成本搭平臺(tái)修練成長(zhǎng)期 控制好成本，實(shí)現(xiàn)好的性價(jià)比，是做好一款電子產(chǎn)品的關(guān)鍵因素之一。 “在成本控制上，我們會(huì)跟各個(gè)供應(yīng)商緊密合作?！毙ば∶f(shuō)，“大家最終關(guān)注的是整個(gè)產(chǎn)品的成本、功能、性能加起來(lái)要比較合理?！? 如何實(shí)現(xiàn)成本、功能、性能總體的合理性，其實(shí)最考驗(yàn)一個(gè)企業(yè)的能力。肖小毛表示，一方面，瓴盛科技結(jié)合自身優(yōu)勢(shì)做集成。根據(jù)客戶提出的需求，集成下游的供應(yīng)商，做成一個(gè)開放式平臺(tái)，目的是幫助客戶縮短研發(fā)時(shí)間，盡快進(jìn)入量產(chǎn)。另一方面，打造自己的生態(tài)和平臺(tái)。瓴盛希望通過(guò)補(bǔ)齊空缺，打造一個(gè)比較完整的生態(tài)，例如一些主要零部件的整合是難點(diǎn)，瓴盛作為平臺(tái)供應(yīng)商就要解決這個(gè)問(wèn)題，最終給客戶一個(gè)整體性比較好的方案，這也使成本控制在合理范圍。 JA310可以應(yīng)用場(chǎng)景比較多，包括智慧監(jiān)控、人臉識(shí)別、視頻會(huì)議、車載終端、運(yùn)動(dòng)相機(jī)等。它的開發(fā)正是走了肖小毛所說(shuō)的這段歷程?！皬娜ツ?2月JA310一次流片成功后，這款芯片在今年3月份就安裝在一款高清攝像機(jī)中，到我們正式發(fā)布這款芯片，已經(jīng)有了一段時(shí)間的應(yīng)用檢驗(yàn)了。”肖小毛說(shuō)。 智能安防解決方案提供商安威士(中國(guó))公司市場(chǎng)總監(jiān)陳銘告訴記者，經(jīng)過(guò)前期驗(yàn)證，搭載JA310芯片的攝像機(jī)計(jì)劃在今年第四季度正式向客戶供貨。“質(zhì)量和同類智能攝像機(jī)相仿，但價(jià)格明顯會(huì)更有競(jìng)爭(zhēng)力。”陳銘說(shuō)。 “無(wú)論是移動(dòng)計(jì)算、邊緣計(jì)算，還是AIoT技術(shù)，做得好就會(huì)形成一個(gè)生態(tài)。在生態(tài)建設(shè)上，我們將自己研發(fā)和上下游合作結(jié)合起來(lái)，根據(jù)上下游合作方的需求，我們會(huì)打造一個(gè)應(yīng)用范圍比較廣的應(yīng)用平臺(tái)?！毙ば∶f(shuō)。 落實(shí)到產(chǎn)品上，從JA310來(lái)看，這款芯片外圍接口豐富，同時(shí)芯片平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了軟硬件解耦設(shè)計(jì)，做到BSP(板級(jí)支持包)與應(yīng)用開發(fā)分離。應(yīng)用軟件可以基于軟件模擬器進(jìn)行開發(fā)，確保其生態(tài)內(nèi)的開發(fā)者和社區(qū)資源能快速實(shí)現(xiàn)軟件開發(fā)，保證安卓的應(yīng)用可以快速?gòu)?fù)用Linux，這對(duì)后期APP應(yīng)用的開發(fā)以及生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)有幫助。 三、培養(yǎng)大個(gè)子企業(yè)有操盤手 做生態(tài)，后期的回報(bào)是長(zhǎng)久和持續(xù)的，但前期投入不菲，比較“燒錢”。作為剛剛成立兩年的公司，瓴盛科技如何去做生態(tài)，是一件值得探研的事情 。 JA310的推出揭開了瓴盛致力于泛視覺(jué)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)的序曲，瓴盛科技未來(lái)還將推出更多的芯片以覆蓋更廣泛的領(lǐng)域。瓴盛的移動(dòng)智能手機(jī)芯片項(xiàng)目也已經(jīng)開始啟動(dòng)，根據(jù)瓴盛的工程師們?cè)贏IoT芯片開發(fā)過(guò)程中積累的FinFET工藝制程經(jīng)驗(yàn)，下一步將重點(diǎn)推進(jìn)移動(dòng)智能手機(jī)芯片的研發(fā)。 北京智路資產(chǎn)管理有限公司管理合伙人張?jiān)軐?duì)中國(guó)電子報(bào)記者表示，建廣、智路主要以做成熟型的投資為主，未來(lái)還是會(huì)以并購(gòu)為主，主要在產(chǎn)業(yè)鏈上下關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)進(jìn)行關(guān)注，通過(guò)投資會(huì)把產(chǎn)業(yè)鏈每個(gè)節(jié)點(diǎn)補(bǔ)齊，而不像風(fēng)險(xiǎn)投資，同一個(gè)賽道投若干個(gè)公司。 物聯(lián)網(wǎng)可能是未來(lái)國(guó)產(chǎn)芯片最主要的一個(gè)突破口。目前國(guó)內(nèi)的芯片設(shè)計(jì)，芯片制造領(lǐng)域可能稍微還有一些落后，主要是靠幾個(gè)大的巨頭在做。但是隨著國(guó)內(nèi)先進(jìn)人才的儲(chǔ)備越來(lái)越多，設(shè)計(jì)能力不斷提高，包括晶圓制造、封裝、設(shè)計(jì)快速發(fā)展，全產(chǎn)業(yè)鏈的生態(tài)體系已經(jīng)逐步成熟。 如果在這個(gè)領(lǐng)域精耕細(xì)作，從方方面面圍繞整個(gè)鏈條進(jìn)行系統(tǒng)化的打造，還需要通過(guò)一段時(shí)間的努力，在各方面的支持下，能夠在這個(gè)領(lǐng)域有所建樹，也希望將來(lái)若干年以后，瓴盛在這個(gè)領(lǐng)域至少在國(guó)內(nèi)是一個(gè)排頭兵的位置。

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  • “龍芯”架構(gòu)入伍芯片，中國(guó)芯片能否突出重圍？

    中科院帶來(lái)了一個(gè)重大消息，國(guó)內(nèi)的芯片將會(huì)放棄之前使用的美國(guó)架構(gòu)技術(shù)，準(zhǔn)備轉(zhuǎn)換成正在全面自主研發(fā)國(guó)產(chǎn)的“龍芯”架構(gòu)，這意味著中國(guó)“龍芯”正式開始走向產(chǎn)品。 這次轉(zhuǎn)折可以說(shuō)成是國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的背水一戰(zhàn)，面對(duì)國(guó)外種種壓力之下，國(guó)內(nèi)企業(yè)別無(wú)他法，只能夠自己尋找機(jī)會(huì)突破國(guó)外的封鎖。 國(guó)內(nèi)的海思在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域處在世界上領(lǐng)先的水平，甚至可以設(shè)計(jì)出5nm的芯片。 但是由于我們將重心放在了芯片的設(shè)計(jì)上，卻忽略了芯片的生產(chǎn)，只能依賴國(guó)外的技術(shù)來(lái)生產(chǎn)芯片。國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的中芯國(guó)際，在不久后也只能生產(chǎn)14nm芯片，而眼下正繼續(xù)的7nm和5nm芯片，真的是心有余而力不足。 MIPS架構(gòu)技術(shù)是美國(guó)上世紀(jì)的產(chǎn)物，到時(shí)我國(guó)龍芯一號(hào)的性能和良品率都和對(duì)手相差很遠(yuǎn)，經(jīng)過(guò)不斷的改良使我們的龍芯一號(hào)終于開始將兩者的距離不斷拉近。 啟動(dòng)龍芯，并且決定去除美國(guó)的MIPS架構(gòu)技術(shù)，不僅是為了防止美國(guó)的制裁，更是為了大力發(fā)展國(guó)內(nèi)的芯片行業(yè)，國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)越來(lái)越重視，并且在各方面給予半導(dǎo)體公司優(yōu)惠政策，鼓勵(lì)國(guó)產(chǎn)芯片的大力發(fā)展，逐漸拉近與國(guó)外芯片的距離，并超過(guò)對(duì)方，以期打破國(guó)外對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體的限制。

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  • 碳化硅，氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料爆發(fā)！

    當(dāng)前先進(jìn)半導(dǎo)體材料已上升至國(guó)家戰(zhàn)略層面，2025年目標(biāo)滲透率超過(guò)50%。底層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)，《中國(guó)制造2025》分別對(duì)第三代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊等細(xì)分領(lǐng)域做出了目標(biāo)規(guī)劃。 先進(jìn)半導(dǎo)體成為當(dāng)今世界發(fā)展的重要基石，也影響著各國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的地位。而中國(guó)政府正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中，計(jì)劃在2021到2025年的五年之內(nèi)，舉全國(guó)之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面對(duì)第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。下一個(gè)五年的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)略包括向無(wú)線網(wǎng)絡(luò)到人工智能等技術(shù)領(lǐng)域投入約1.4萬(wàn)億美元。 在任務(wù)目標(biāo)中提到2025實(shí)現(xiàn)在5G通信、高效能源管理中的國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%;在新能源汽車、消費(fèi)電子中實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，在通用照明市場(chǎng)滲透率達(dá)到80%以上。 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個(gè)階段，目前已經(jīng)發(fā)展形成了三代半導(dǎo)體材料。 第一代半導(dǎo)體材料是以主要是指Si、Ge元素半導(dǎo)體，它們是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)材料，但是硅基芯片經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期發(fā)展，已經(jīng)正在逐漸接近材料的極限，硅基器件性能提高的潛力也越來(lái)越小。 第二代半導(dǎo)體材料主要是指如砷化鎵、銻化銦等化合物半導(dǎo)體材料。其中以砷化鎵(GaAs)為代表，砷化鎵擁有一些較硅要好的電子特性，可以用在高于250GHz的場(chǎng)合，并且砷化鎵比同樣的硅基器件更適合運(yùn)用在高功率的場(chǎng)合，可以運(yùn)用在移動(dòng)電話歷史沿革、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)系統(tǒng)等地方。 第三代半導(dǎo)體材料是以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等寬禁帶為代表，跟前兩代相比，第三代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。 第三代化合物半導(dǎo)體材料性能優(yōu)異市場(chǎng)廣闊，YOLE預(yù)計(jì)到2022年，全球GaN功率器件整體市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)到11億美元，SiC市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到4.5億美元。 圖表來(lái)源：MoneyDJ 氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為最成熟的第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，其余包括氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究還處于起步階段。 GaN、SiC能過(guò)夠大幅提升電子器件的高壓、高頻、高功率的工作特性，在軍事、新能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有非常大的應(yīng)用前景。 和傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，禁帶寬度越大允許材料在更高的溫度、更強(qiáng)的電壓與更快的開關(guān)頻率下運(yùn)行。SiC可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如MOSFET、IGBT、SBD等，用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。 由于其優(yōu)異的性能，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在快速成長(zhǎng)，2018年SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模不到5億美元，預(yù)計(jì)到2024年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至20億美元，CAGR約30%，其中汽車市場(chǎng)將成為最重要的驅(qū)動(dòng)因素，預(yù)計(jì)到2024年其在占SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占比將達(dá)50%。 氮化鎵(GaN)是氮和鎵的化合物，與硅元器件相比，GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇，目前氮化鎵的應(yīng)用主要集中在功率、發(fā)光材料、5G通信射頻領(lǐng)域等。 在GaN方面，預(yù)計(jì)消費(fèi)類電子將是前期主要的應(yīng)用領(lǐng)域，激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及新能源汽車等新興市場(chǎng)將成為后期主要驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，到2020年，全球GaN功率器件整體市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)到3億美元以上，2016年至2020年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)80%。 5G基站GaN射頻功率放大器將成為主流技術(shù)，逐漸侵占LDMOS的市場(chǎng)，GaN能較好的適用于大規(guī)模MIMO。GaN的優(yōu)點(diǎn)是禁帶寬度大，熱導(dǎo)率高，因此工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強(qiáng)。未來(lái)，SiC襯底的GaN功率元件，在5G基站預(yù)計(jì)將得到更多的應(yīng)用。 隨著第三代半導(dǎo)體材料的成本因生產(chǎn)技術(shù)的不斷提升而下降，其應(yīng)用市場(chǎng)也將迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。 SiC產(chǎn)業(yè)鏈分為四個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)：上游襯底、中游外延片(EPI硅片)、下游器件、模組制造。 高技術(shù)門檻導(dǎo)致第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)以日美歐寡頭壟斷，全球SiC制造廠商主要是英飛凌、Cree和Rohm，三家企業(yè)占據(jù)90%的碳化硅市場(chǎng)份額。 龍頭企業(yè)Cree擴(kuò)大規(guī)模和鎖定貨源，與意法半導(dǎo)體、英飛凌等中游廠商達(dá)成多項(xiàng)戰(zhàn)略協(xié)議，在價(jià)值1億美元的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議中，Cree為英飛凌的光伏逆變器、機(jī)器人、充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電源、牽引和變速驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品提供SiC晶圓。 另一項(xiàng)為期多年的2.5億美元規(guī)模的協(xié)議中，Cree的Wolfspeed部門將會(huì)向ST供應(yīng)150mmSiC晶圓。 國(guó)際先進(jìn)技術(shù)已將SiC單晶襯底從4英寸推廣到8英寸，預(yù)期未來(lái)碳化硅成本每年下降10-15%。 根據(jù)IHS數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)未來(lái)兩三年內(nèi)MOSFET(SiC)單位成本降至IGBT2-3倍水平，即6000元左右，產(chǎn)業(yè)化值得期待。短期內(nèi)，MOSFET(SiC)路線具備相對(duì)的經(jīng)濟(jì)性和可操作性，有望成為未來(lái)三年內(nèi)的新需求。 目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)形成相對(duì)完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，SiC襯底以4英寸為主，襯底材料方面有山東天岳、天科合達(dá)，EPI硅片有東莞天域半導(dǎo)體、廈門瀚天天成，其他器件和模組公司比如斯達(dá)半導(dǎo)、中車時(shí)代電氣、泰科天潤(rùn)等，國(guó)內(nèi)廠商與海外巨頭差距較小，根據(jù)中研網(wǎng)，本土企業(yè)已在SiC-SBD形成銷售收入，開發(fā)出1700V/1200A的混合模塊、4500V/50A等大容量全SiC功率模塊。 國(guó)內(nèi)目前已實(shí)現(xiàn)4英寸襯底的量產(chǎn);同時(shí)山東天岳、天科合達(dá)、河北同光、中科節(jié)能均已完成6英寸襯底的研發(fā);中電科裝備已成功研制出6英寸半絕緣襯底。 在GaN襯底方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)可以小批量生產(chǎn)2英寸襯底，具備4英寸襯底生產(chǎn)能力，并開發(fā)出6英寸襯底樣品。 目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)包括蘇州納米所的蘇州納維科技公司和北京大學(xué)的東莞市中鎵半導(dǎo)體科技公司，其中蘇州納維目前已推出4英寸襯底產(chǎn)品，并且正在開展6英寸襯底片研發(fā)。 同時(shí)，隨著化合物半導(dǎo)體重要性日漸提升，第三代半導(dǎo)體(以GaN、SiC為代表)材料和芯片生產(chǎn)線不斷涌現(xiàn)，并快速成長(zhǎng)。 硅材料在未來(lái)十年的技術(shù)革新下，將維持主流半導(dǎo)體材料的地位，朝向硅自主材料和硅襯底化合物兩條路徑發(fā)展。 即使在5G/IoT/AI等技術(shù)導(dǎo)入下，硅襯底的化合物材料也能滿足射頻芯片、功率器件對(duì)高頻、高壓、高功率的的需求，而且更具有經(jīng)濟(jì)效益。 在目前的電子產(chǎn)品應(yīng)用中，僅有軍工、安防、航天等少部分需要超高規(guī)格的應(yīng)用領(lǐng)域，才需采用化合物單晶材料。 隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場(chǎng)的重視，國(guó)際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開始。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 碳化硅 氮化鎵

  • 臺(tái)積電宣布為未來(lái)發(fā)展3nm制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)做準(zhǔn)備

    據(jù)國(guó)外網(wǎng)絡(luò)媒體報(bào)道，5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)使用之后，臺(tái)積電下一代技術(shù)工藝設(shè)計(jì)研發(fā)的重點(diǎn)發(fā)展已轉(zhuǎn)移到了3nm，目前我國(guó)正在按計(jì)劃全面推進(jìn)，計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年開始大規(guī)模投產(chǎn)。 三星將從5nm節(jié)點(diǎn)跳到3nm節(jié)點(diǎn)，但臺(tái)積電似乎已經(jīng)找到了一條提升OEM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的途徑。臺(tái)積電的3nm技術(shù)預(yù)計(jì)在2022年完成。 1、臺(tái)積電和Craphcore為3nm AI加速做準(zhǔn)備 臺(tái)積電在最近的技術(shù)研討會(huì)上的一個(gè)附帶聲明是，公司已經(jīng)在為未來(lái)發(fā)展3nm制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)做準(zhǔn)備。臺(tái)積電正在研發(fā)其3nm芯片，用于明年的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，并將于2022年下半年進(jìn)行量產(chǎn)。因此，目前臺(tái)積電的主要合作伙伴已經(jīng)在其最初的3nm版本上開發(fā)了其未來(lái)的硅片。 臺(tái)積電重點(diǎn)提到的公司是GraphCore。Graphcore是一家讓IPU(一種“智能處理單元”)加速“機(jī)器智能”的AI硅公司。它最近公布了第二代巨像Mk2 IPU，基于臺(tái)積電N7制造工藝，擁有592億個(gè)晶體管。Mk2的有效核數(shù)為1,472個(gè)，它可以運(yùn)行9,000個(gè)線程，用于250Teraflop的FP16 AI訓(xùn)練工作負(fù)載。該公司將其中四個(gè)芯片集成到一個(gè)1U中，以支持1Petaflop以及450 GB內(nèi)存和IPU之間的自定義低延遲光纖網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。 據(jù)臺(tái)積電介紹，GraphCore的下一代產(chǎn)品將考慮臺(tái)積電的3nm制程開發(fā)，跳過(guò)臺(tái)積電的5nm制程。巨像IPU生產(chǎn)線涉及晶體管數(shù)量高的大芯片，使用更密集的工藝節(jié)點(diǎn)提供的額外晶體管預(yù)算。 2、臺(tái)積電目前擁有超過(guò)50%的市場(chǎng)份額 最新報(bào)道指出，臺(tái)積電已確定新竹寶山將成為2nm技術(shù)開發(fā)的中心。雖然還沒(méi)有證實(shí)是哪些客戶設(shè)法從臺(tái)積電獲得了他們2nm節(jié)點(diǎn)的訂單，但報(bào)道中確實(shí)提到了可能是蘋果。據(jù)悉，蘋果已經(jīng)多次向臺(tái)積電提供其5nm訂單，而一旦蘋果準(zhǔn)備定制3nmSoC，也會(huì)尋找臺(tái)積電。 另一方面，三星似乎也在稍微放慢腳步。這家韓國(guó)廠商顯然把高通的5nm訂單輸給了臺(tái)積電。直到現(xiàn)在，一直有傳聞稱三星將擴(kuò)大生產(chǎn)以贏得Snapdragon 875和Snapdragon X60的訂單。不過(guò)，由于臺(tái)積電的技術(shù)實(shí)力，優(yōu)勢(shì)以及廠商的可靠性，他們很可能會(huì)在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候大量交付芯片，而高通會(huì)將大部分訂單分配給臺(tái)積電，而不是三星。 根據(jù)最新報(bào)道，如果臺(tái)積電繼續(xù)勝出，如果三星在高良率和改進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面得不到回應(yīng)，那么到2030年，這家韓國(guó)巨頭可能無(wú)法擊敗臺(tái)積電。有傳聞稱臺(tái)積電將向蘋果交付8000萬(wàn)顆在5nm節(jié)點(diǎn)上制造的A14芯片，這表明該公司在代工方面與最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比已經(jīng)取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。

    半導(dǎo)體 三星 臺(tái)積電 3nm

  • 三星AMOLED屏+7納米工藝+8核CPU，vivo NEX3S5G旗艦降價(jià)

    我們都知道降價(jià)會(huì)直接導(dǎo)致手機(jī)不能保值，但是也會(huì)產(chǎn)生降價(jià)后的刺激銷售。前段時(shí)間，在5G技術(shù)的影響下，蘋果4G手機(jī)大幅降價(jià)，銷量也有一定程度的增長(zhǎng)。近日，國(guó)產(chǎn)手機(jī)Vivo NEX3S從4998元跌至3858元，手機(jī)跳水1140元，直逼5G中端手機(jī)水平，以期銷量上漲。 vivo是現(xiàn)在市場(chǎng)上有影響力的廠商，所以vivo NEX3S的降價(jià)也影響了不少朋友。華為，小米，OPPO的5G旗艦也在vivo NEX3s的影響下出現(xiàn)了一定程度的降價(jià)。此次vivo NEX3S的降價(jià)也為其他多方帶來(lái)了勝利，畢竟不到4000元就能買到一款5G旗艦，還是很超值的。 為了看起來(lái)與眾不同，vivoNEX3S設(shè)計(jì)了一塊6.89英寸的無(wú)界瀑布屏，屏占比高達(dá)99.6%，分辨率為2256*1080，采用三星AMOLED打造。 攝像頭方面，vivo NEX3S配備了高像素三攝像頭，6400萬(wàn)像素主攝像頭+1300萬(wàn)像素廣角微距+1300萬(wàn)像素長(zhǎng)焦，其中主攝像頭功能最為強(qiáng)大，支持EIS視頻防抖，還可以在動(dòng)態(tài)條件下拍攝4K高清視頻。Vivo NEX3S的前置攝像頭比較特別。它是一款1600萬(wàn)像素的升降攝像頭。擅長(zhǎng)短視頻，夜景，動(dòng)態(tài)照片。 vivoNEX3S的性能由驍龍865提供。它由7納米工藝和8核CPU制造而成。在性能上絕對(duì)強(qiáng)悍。VivoNEX3S在電池和充電方面也有新的改進(jìn)。內(nèi)置4500毫安大容量電池，支持44W有線超級(jí)快充，短時(shí)間內(nèi)即可將電池充滿電。 存儲(chǔ)空間部分，vivo NEX3S準(zhǔn)備了256GB版本的大內(nèi)存，下載更大的應(yīng)用也不用擔(dān)心。 這款vivoNEX3S是一款用心頗多的5G旗艦。在屏幕上配備瀑布屏，性能上有驍龍865的輔助，拍照上配備高像素三攝像頭。 僅憑三大能力，絕對(duì)是5G高端手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)頭羊。此外，這款vivo NEX3S還可以運(yùn)行高耗能游戲。采用均熱板散熱，X軸電機(jī)為游戲提供便利。

    半導(dǎo)體 vivo 驍龍 amoled屏

  • 繼臺(tái)積電之后，美光公開表示斷供華為

    華為重要內(nèi)存及閃存芯片供應(yīng)商美光科技高管在BMO全球技術(shù)大會(huì)上正式宣布：受美國(guó)禁令影響，美光在9月14日之后，將不能繼續(xù)向華為供貨!這是繼臺(tái)積電之后，第二個(gè)公開表示在9月14日之后斷供華為的公司。 美光科技于1978年在美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州首府博伊西市，它的主營(yíng)業(yè)務(wù)是DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，美光科技已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一! 美光與華為的合作超過(guò)了二十年，是華為的主要內(nèi)存及閃存芯片供應(yīng)商，而且沒(méi)有之一!華為每年都要從美光采購(gòu)的元器件超過(guò)26億美元。 受美國(guó)禁令的影響，不但華為的發(fā)展受到了嚴(yán)重的阻礙，美光科技也將為此損失慘重。 去年，華為被列入“實(shí)體清單”的時(shí)候，美光科技就曾向美國(guó)政府講明利害，并發(fā)出警告，稱如果美光不能恢復(fù)與華為的合作，其將遭受巨額的經(jīng)濟(jì)損失，并有被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手超越的危險(xiǎn)。特朗普政府思慮再三，給美光開出了一張臨時(shí)許可證，允許其與華為合作。 如今，這張臨時(shí)許可證已經(jīng)到期，美光高管又做出如此聲明，想必是美光的再次申請(qǐng)沒(méi)有得到政府的批準(zhǔn)。 受美國(guó)禁令的影響，華為遭遇了前所未有的難題，而這些難題都是圍繞著芯片展開的。 為了解決“中國(guó)芯”之痛，讓我國(guó)科技企業(yè)的發(fā)展再無(wú)后顧之憂，近日，國(guó)務(wù)院正式下發(fā)了文件，制定了在2025年實(shí)現(xiàn)芯片自給率達(dá)到70%的這一戰(zhàn)略目標(biāo)! 我國(guó)是芯片消耗大國(guó)，然而，截止到目前，我國(guó)芯片自給率還不足30%，每年都要花費(fèi)上萬(wàn)億的外匯儲(chǔ)備從外進(jìn)口芯片。技不如人，我們?cè)敢饣ㄥX從外進(jìn)口芯片，但是，由于把命運(yùn)交給了別人，時(shí)常受到別人的凌辱、打壓，發(fā)展受到了嚴(yán)重的影響! 為了實(shí)現(xiàn)芯片自給率在五年內(nèi)達(dá)到70%這一目標(biāo)，我國(guó)在下發(fā)文件之前就已經(jīng)開始布局。 今年6月，兩大國(guó)有基金向我國(guó)芯片代工巨頭中芯國(guó)際注入百億巨資，不久，又將上?；癁槲覈?guó)半導(dǎo)體企業(yè)基地，打造成我國(guó)最大的半導(dǎo)體集群。 該文件正式下發(fā)之后，必將激發(fā)我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的積極性，促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展，為我國(guó)科技企業(yè)的發(fā)展搖旗吶喊。 余承東曾說(shuō)過(guò)，美國(guó)之所以不斷升級(jí)打壓華為的手段，欲致華為于死地，是因?yàn)槿A為的發(fā)展威脅到了它的“科技霸權(quán)”。在經(jīng)濟(jì)全球化的今天，美國(guó)的打壓行為，雖然讓華為的發(fā)展受到了阻礙，但是美企同樣損失慘重，嚴(yán)重破壞了世界貿(mào)易公平貿(mào)易的規(guī)則，成為了世界文明進(jìn)步的絆腳石。

    半導(dǎo)體 華為 美光 臺(tái)積電

  • 國(guó)內(nèi)兩大芯片廠挖走臺(tái)積電數(shù)百名工程師

    科技發(fā)展最重要的還是人才，美國(guó)制裁中國(guó)高科技的攻勢(shì)越猛，大陸招攬半導(dǎo)體人才的力度就會(huì)越強(qiáng)悍。自2019年起,泉芯集成電路制造(濟(jì)南)有限公司、武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司，這個(gè)中國(guó)集成IC生產(chǎn)商已招攬100多位臺(tái)積電閱歷豐富的工程師和企業(yè)經(jīng)理人員，旨在開發(fā)14nm及12nm的芯片制程。 據(jù)有關(guān)媒體報(bào)道，目前這兩個(gè)企業(yè)中除去50多位員工外，其余的員工包括部分內(nèi)部工作人均來(lái)自臺(tái)積電，而這兩家企業(yè)如此費(fèi)盡心機(jī)的挖人是為了設(shè)計(jì)14nm技術(shù)和12nm技術(shù)的集成IC。至于為什么這些員工紛紛跳槽，當(dāng)然是因?yàn)樾劫Y待遇，據(jù)一位內(nèi)部人員表示，他們提供的薪酬和獎(jiǎng)勵(lì)是在臺(tái)積電薪酬和待遇總工資的2-2.5倍，在高額回報(bào)的誘惑下自然有不少人跳槽。 對(duì)于臺(tái)積電而言，人才流失對(duì)企業(yè)帶來(lái)的影響不會(huì)立竿見(jiàn)影，在領(lǐng)域的頂尖地位也不會(huì)立馬被改變。 但臺(tái)積電作為行業(yè)龍頭企業(yè)，也不會(huì)虧待員工，每年還是會(huì)有很多優(yōu)秀人才選擇去臺(tái)積電工作。據(jù)一位從業(yè)半導(dǎo)體材料研究的知情人士表示，臺(tái)灣相關(guān)技術(shù)大學(xué)畢業(yè)生剛加入臺(tái)積電的薪水大約在50萬(wàn)左右，兩年之后，薪酬就股利分紅大約在200萬(wàn)左右，如果在晉升為部門小領(lǐng)導(dǎo)薪酬可能在好幾百萬(wàn)。 相對(duì)而言，臺(tái)積電的薪酬水平國(guó)內(nèi)大多數(shù)集成公司都達(dá)不到，據(jù)調(diào)查，中國(guó)目前集成ic大公司中馨國(guó)際一線技術(shù)工程師的平均薪資不足15萬(wàn)元，著名實(shí)驗(yàn)室出來(lái)的博士研究生年薪也不足30萬(wàn)元。 相比于臺(tái)積電開出的薪酬，對(duì)于許多技術(shù)人員沒(méi)有太大的誘惑力，所以在2018年臺(tái)積電的離職率只有4.8%，而中芯國(guó)際卻是它的5倍。臺(tái)積電在2015-2019年員工的流失率平均都維持在5%之下。 其實(shí)在集成IC領(lǐng)域挖人的現(xiàn)象是很常見(jiàn)，歸根結(jié)底還是因?yàn)閲?guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料人才的稀少，加之現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速成長(zhǎng)，新增項(xiàng)目多，新廠建設(shè)規(guī)劃拉開序幕，需要更多對(duì)口專業(yè)的優(yōu)秀人才，所以就出現(xiàn)了高薪挖人的現(xiàn)象?，F(xiàn)如今這兩個(gè)集成IC以2-4倍的薪酬挖臺(tái)積電的員工，但是人是挖到了，搞好“育、用、留”的工作就要看各自本事了。 與海外相比，中國(guó)半導(dǎo)體人才匱乏的原因還是中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)缺少相應(yīng)的企業(yè)內(nèi)部培育體制，現(xiàn)階段中國(guó)半導(dǎo)體公司對(duì)外界優(yōu)秀人才的依賴性很強(qiáng)，大多數(shù)優(yōu)秀人才都是被挖來(lái)的，他們有豐富的國(guó)外背景，本土化京城IC優(yōu)秀人才較少。以中國(guó)目前的開放式教育模式，將來(lái)會(huì)培養(yǎng)出更多更優(yōu)秀的半導(dǎo)體行業(yè)人才，實(shí)現(xiàn)“人才自主”。 據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)臺(tái)灣有3000多名芯片工程師先后被挖到大陸。高薪與平臺(tái)，是吸引這群人到中國(guó)大陸的關(guān)鍵。

    半導(dǎo)體 集成電路 芯片 臺(tái)積電

  • 中芯國(guó)際2020年上半年凈賺14億，國(guó)產(chǎn)芯片看到曙光

    數(shù)多晶圓代工廠中，坐落于臺(tái)積電憑借一己之力拿下全球60%的晶圓產(chǎn)量，坐穩(wěn)晶圓代工廠的頭一把交椅。除了臺(tái)積電，來(lái)自大陸第一的芯片巨頭，中芯國(guó)際這顆新星也在冉冉升起。 8月27日，中芯國(guó)際發(fā)布2020年上半年財(cái)報(bào)，公司營(yíng)收創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到131.61億，同比增長(zhǎng)29.4%，其中歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn)為13.86億元，相較于2019年同期暴增329.8%。 短短半年凈賺近14億元，中芯國(guó)際的吸金能力雖不及臺(tái)積電，但也是業(yè)內(nèi)的佼佼者。至于芯國(guó)際上半年?duì)I收增長(zhǎng)的主要原因，則是晶圓出貨數(shù)量增加所導(dǎo)致，據(jù)悉，中芯國(guó)際上半年銷售晶圓的數(shù)量達(dá)280萬(wàn)片，同比增長(zhǎng)19.7%。 在成熟應(yīng)用平臺(tái)的需求，一如既往強(qiáng)勁的同時(shí)，中芯國(guó)際還在持續(xù)推進(jìn)研發(fā)進(jìn)度，其中最值得一提的當(dāng)屬7nm工藝節(jié)點(diǎn)。因?yàn)榉N種原因，中芯國(guó)際目前仍停留在14nm工藝節(jié)點(diǎn)，對(duì)比已經(jīng)量產(chǎn)5nm工藝的臺(tái)積電，差距不是一星半點(diǎn)。 雖然中芯國(guó)際在7nm工藝的量產(chǎn)上遲遲未取得突破，但對(duì)于中芯國(guó)際來(lái)說(shuō)7nm芯片技術(shù)其實(shí)并不遙遠(yuǎn)。不過(guò)，7nm工藝在中國(guó)芯片被稱為N+1，相較于14nm工藝芯片，功耗降低57%，邏輯編輯縮小63%，SOC面積減少55%。 7nm工藝相比14nm工藝更先進(jìn)，性能功耗有更好的表現(xiàn)，這是眾所周知的事情，但需要注意的是，無(wú)論臺(tái)積電還是三星的7nm工藝芯片，都需要EUV光刻機(jī)，而中芯國(guó)際的N+1技術(shù)，卻并不需要EUV光刻機(jī)。 中芯國(guó)際可利用193nm波長(zhǎng)的光刻機(jī)，輔以浸潤(rùn)式技術(shù)，等效于134nm的波長(zhǎng)，最終實(shí)現(xiàn)7nm的精度。EUV光刻機(jī)目前只有荷蘭ASML公司能夠生產(chǎn)，不僅價(jià)格昂貴還產(chǎn)量有限，受美方制裁影響，中芯國(guó)際2018年購(gòu)買的光刻機(jī)至今仍未到貨。 倘若中芯國(guó)際的7nm工藝，不需要ASML得EUV光刻機(jī)即可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這無(wú)疑讓國(guó)產(chǎn)芯片看到曙光。 值得注意的是，在8月有消息人士稱，中芯國(guó)際將在2021年開始為低功率器件生產(chǎn)7nm芯片。 除了N+1技術(shù)外，中芯國(guó)際還有N+2技術(shù)。雖然N+2技術(shù)具體的性能參數(shù)還未曝光，但業(yè)內(nèi)人士頻頻猜測(cè)，N+2技術(shù)正是5nm工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

    半導(dǎo)體 中芯國(guó)際 臺(tái)積電 7nm

  • 臺(tái)積電占據(jù)業(yè)界 EUV光刻機(jī)安裝量的 50%，晶圓累計(jì)產(chǎn)量達(dá)60%

    臺(tái)積電最近舉行了年度技術(shù)研討會(huì)，在會(huì)上透露了大量關(guān)于未來(lái)芯片制造業(yè)務(wù)的信息。其中包括關(guān)于臺(tái)積電先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的新細(xì)節(jié)，比如 N5、N4、N3 和 N12e。 此外，臺(tái)積電也透露了其在尖端制造實(shí)力方面的情況。臺(tái)積電現(xiàn)在占據(jù)了業(yè)界 EUV(極紫外光)設(shè)備安裝量的 50%。臺(tái)積電還擁有約 60% 的 EUV 晶圓累計(jì)產(chǎn)量。 臺(tái)積電的 N7 + 制程是該公司第一個(gè)利用 EUV 光刻技術(shù)的節(jié)點(diǎn)，而該公司的 N5 制程將更加傾向于使用 EUV 光刻技術(shù)。此外，5nm 以后的任何產(chǎn)品都將廣泛采用 EUV 光刻技術(shù)。 目前已知的大廠公開的 EUV 工藝包括臺(tái)積電的 7 + 和 N5，以及三星的 7LPP(以及下面的任何工藝)，英特爾的 EUV 工藝要到明年才進(jìn)入自己的 7nm 產(chǎn)品。 ASML 是唯一一家生產(chǎn)和銷售 EUV 光刻設(shè)備的公司，按照 Cutress 的估計(jì)，臺(tái)積電已經(jīng)從 ASML 購(gòu)買了 30-35 臺(tái)設(shè)備。據(jù)此估算，ASML 已售出約 70 臺(tái)機(jī)器，到 2020 年底可能會(huì)賣到 90 臺(tái)。 值得一提的是，臺(tái)積電的說(shuō)法是 “已安裝的 EUV”機(jī)器，而從拿到零件到校準(zhǔn)機(jī)器使用，需要長(zhǎng)達(dá) 6 個(gè)月的時(shí)間。因此，目前這些晶圓廠中，有部分 EUV 機(jī)器還在閑置等待安裝，或者可能只是在早期測(cè)試或預(yù)風(fēng)險(xiǎn)試驗(yàn)中使用。 GlobalFoundries 有兩臺(tái)早期的 EUV 機(jī)器，安裝了一臺(tái)，但最后決定不追求領(lǐng)先的 7nm 工藝，將兩臺(tái)機(jī)器都賣掉了，而中芯國(guó)際也訂購(gòu)了一臺(tái)，但據(jù)悉由于美國(guó)的限制，并沒(méi)有安裝。

    半導(dǎo)體 臺(tái)積電 光刻機(jī) euv

  • 三星進(jìn)入5nm，成功拿下高通訂單

    近段時(shí)間，臺(tái)積電最近傳來(lái)生產(chǎn)出10億顆7nm芯片的消息，引起了芯片界的廣泛關(guān)注。臺(tái)積電在2018年正式進(jìn)入7nm量產(chǎn)階段。只用2年的時(shí)間，相當(dāng)于每個(gè)月生產(chǎn)3700顆7nm芯片才可達(dá)到10億顆7nm芯片。 1、進(jìn)入5nm 在市場(chǎng)主流的產(chǎn)品中，7nm是最常見(jiàn)的。其實(shí)有能力生產(chǎn)7nm的不只是臺(tái)積電，還有三星。 三星同樣是一位芯片巨頭，和臺(tái)積電不同的是，三星業(yè)務(wù)范圍更廣泛。就拿芯片產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，包括了存儲(chǔ)芯片，手機(jī)處理器芯片等等。而且都是做到了世界領(lǐng)先，作為臺(tái)積電的對(duì)手，一點(diǎn)都不虛。 臺(tái)積電之所以領(lǐng)先三星并不是沒(méi)有原因的，產(chǎn)量、質(zhì)量、工藝等等都一騎絕塵。可是三星并不打算放棄追趕臺(tái)積電，三星定下了目標(biāo)，要在2030年成為世界上最大的芯片系統(tǒng)生產(chǎn)商，要想完成這個(gè)目標(biāo)，臺(tái)積電就是不可忽略的。 為了趕上臺(tái)積電的進(jìn)程，三星決定進(jìn)入5nm，在最近有消息稱，三星將于年底量產(chǎn)5nm芯片。5nm是目前全球能夠達(dá)到最高的制程技術(shù)，在5nm之上就是4nm，3nm。 按照臺(tái)積電的計(jì)劃，明年市場(chǎng)上就會(huì)出現(xiàn)3nm的產(chǎn)品，后年開始大規(guī)模量產(chǎn)。這段時(shí)間對(duì)三星有非常大的優(yōu)勢(shì)，不過(guò)有了制程技術(shù)還不行，最重要的是客戶。 2、高通訂單重要性 在客戶資源上，臺(tái)積電一直都是占有最大優(yōu)勢(shì)的，想要生產(chǎn)高端芯片，眾多IC芯片設(shè)計(jì)廠商都會(huì)選擇和臺(tái)積電合作。 掌握了客戶就等于擁有了市場(chǎng)，有了市場(chǎng)才能維持領(lǐng)先地位。三星非常清楚這一點(diǎn)，所以把目光放在了高通身上，并且成功拿下高通訂單。 從已知的消息來(lái)看，下半年三星生產(chǎn)的5nm訂單中包含了高通驍龍875、Exynos 1000處理器和5G基帶芯片驍龍X60。 因?yàn)槭莿傔M(jìn)入量產(chǎn)階段，所以在產(chǎn)品上并不會(huì)太豐富。因此拿下了高通下一代芯片的訂單對(duì)三星來(lái)說(shuō)非常重要。 高通訂單的重要性就在于可以起到一個(gè)帶頭的作用，只要到時(shí)候驍龍875被完整生產(chǎn)出來(lái)，并且保證性能，質(zhì)量，就能建立三星5nm口碑。有了口碑，在市場(chǎng)上便可以吸引更多的客戶下單。 超越臺(tái)積電不只是擁有工藝技術(shù)，還要有客戶。沒(méi)有客戶只有技術(shù)，也只是荒廢。為了超越臺(tái)積電，三星做了很多的努力。比如在5nm工藝上，三星其實(shí)早就進(jìn)入到試產(chǎn)階段，去年三星打算在工藝制程上超越臺(tái)積電，結(jié)果還是被臺(tái)積電領(lǐng)先。 現(xiàn)在三星終于把5nm提上日程，所以在這個(gè)關(guān)鍵階段，高通訂單就很關(guān)鍵了。明年高通驍龍875進(jìn)入國(guó)產(chǎn)高端市場(chǎng)，可能因?yàn)闆](méi)有華為海思競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，高端市場(chǎng)就要讓高通說(shuō)了算。 屆時(shí)高通芯片會(huì)迎來(lái)一波銷量大漲，國(guó)產(chǎn)廠商都有進(jìn)入高端市場(chǎng)的想法。能夠選擇的高端芯片產(chǎn)品十分有限。而高通的水漲船高，也讓三星從中受益。 3、臺(tái)積電新挑戰(zhàn) 臺(tái)積電選擇擁有全球一半的市場(chǎng)份額，這并不代表會(huì)一直領(lǐng)先。三星同樣也有進(jìn)入3nm制程的想法，可能在時(shí)間上會(huì)稍微落后一些。 其實(shí)到了這種層次的工藝，三星和臺(tái)積電基本上是站在同一起跑線上。為什么這么說(shuō)呢?理由很簡(jiǎn)單，因?yàn)榭蛻?。不管是臺(tái)積電還是三星的客戶，能夠設(shè)計(jì)出的芯片也就5nm層次，再往上發(fā)展的話，4nm，3nm芯片的設(shè)計(jì)難度將成倍上升。 所以說(shuō)客戶跟不上進(jìn)度的話，三星，臺(tái)積電差距并不是很大。甚至臺(tái)積電貿(mào)然建立3nm生產(chǎn)線，卻沒(méi)有客戶的訂單，還有可能虧錢。 三星進(jìn)入了高端5nm，臺(tái)積電必然迎來(lái)新挑戰(zhàn)。未來(lái)三星要做的事情就是不斷提升5nm工藝水平，保證良品率，從臺(tái)積電手中搶占客戶訂單。盡管臺(tái)積電明年就能有3nm產(chǎn)品亮相，也不用擔(dān)心，客戶跟不上，臺(tái)積電獨(dú)自進(jìn)步也沒(méi)用。 站在市場(chǎng)發(fā)展的角度，三星進(jìn)入5nm制程可以快速成長(zhǎng)，拒絕一家企業(yè)壟斷。否則對(duì)于客戶來(lái)說(shuō)，壟斷市場(chǎng)的一方可以隨意定制市場(chǎng)規(guī)則。三星的5nm能否成為制約臺(tái)積電的因素，就要看高通驍龍芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)。

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  • 臺(tái)積電正研發(fā)3nm和4nm，芯片性能有巨大提升

    臺(tái)積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球確認(rèn)，3nm芯片將在2022年進(jìn)入量產(chǎn)階段。在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域中，臺(tái)積電是目前行業(yè)最具優(yōu)勢(shì)的供應(yīng)商，憑著一家獨(dú)大，已經(jīng)拿下蘋果、華為、高通等科技巨頭的大量訂單。 而我們目前手頭所使用的機(jī)器，大部分都是采用臺(tái)積電所生產(chǎn)的芯片，從2018年開始，華為正式發(fā)布了麒麟980，正式讓手機(jī)芯片進(jìn)入7nm時(shí)代。而時(shí)隔兩年，基于5nm的芯片也即將發(fā)布(麒麟9000)。 雖然咱們還沒(méi)有真正用上5nm的芯片，不過(guò)在臺(tái)積電第26屆技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電已經(jīng)確認(rèn)開始研發(fā)3nm和4nm工藝。 據(jù)臺(tái)積電介紹，3nm和5nm是自然的迭代，4nm理論上算是5nm的終極改良。技術(shù)指標(biāo)方面，3nm將在明年晚點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。 相較于5nm，3nm可以帶來(lái)25%~30%的功耗減少和10%~15%的性能提升。而4nm則同樣定于明年晚些時(shí)候進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。對(duì)于5nm的客戶來(lái)說(shuō)，到時(shí)候能很平滑的過(guò)渡到4nm上，流片成本將大大降低，并且進(jìn)度會(huì)大大加快。 其實(shí)除了臺(tái)積電之外，三星也是一家不可忽視的廠商。作為臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，三星也開始進(jìn)攻3nm工藝的芯片，兩家最大的不同則是臺(tái)積電將繼續(xù)采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)，而三星則改用環(huán)繞柵極晶體管(GAA)。 其實(shí)按照他們的規(guī)劃和行業(yè)發(fā)展時(shí)間來(lái)看，如果沒(méi)有什么特別因素，2022年應(yīng)該都會(huì)成功量產(chǎn)，到時(shí)候我們也能嘗到4nm或3nm芯片所帶來(lái)的強(qiáng)大性能。 臺(tái)積電芯片研發(fā)的路徑，則一直是穩(wěn)扎穩(wěn)打——從7nm到5nm，再到4nm和3nm，一步一個(gè)腳印。對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，這次布局2nm的芯片制造，需要完成從Fin向GAA的轉(zhuǎn)型。 對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，由于已經(jīng)研發(fā)完成了GAA的研發(fā)，下一步需要利用這項(xiàng)技術(shù)來(lái)生產(chǎn)更高密度的芯片。同一起跑線上的兩種路徑，誰(shuí)比較快、誰(shuí)走得更遠(yuǎn)，只有交給時(shí)間來(lái)驗(yàn)證。

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  • 新一款智能手表：華為mate Watch

    在2020年上半年可穿戴設(shè)備市場(chǎng)中，華為取得了巨大成功，增長(zhǎng)率超過(guò)57%。華為手表飛度，以其功能和價(jià)格成為正式產(chǎn)品。在智能可穿戴設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)日趨白熱化的今天，這款堪稱華為力作的智能手表又能給我們帶來(lái)怎樣的新驚喜? 與許多廉價(jià)的設(shè)計(jì)方案不同，華為Watch直接采用了制造難度相對(duì)較大的圓形設(shè)計(jì)。 Watch Fit的1.64英寸2.5D曲面AMOLED屏幕的分辨率為280×456像素，屏殼比為70%。當(dāng)電源按鈕位于設(shè)備的左側(cè)時(shí)，由于屏幕始終處于打開狀態(tài)，所以可以連續(xù)看到時(shí)間。 Watch Fit的尺寸為46 x 30 x 10.7 mm，可讓您通過(guò)12種不同的動(dòng)畫練習(xí)在工作中或在家中進(jìn)行運(yùn)動(dòng)。此外，該設(shè)備可顯示44次運(yùn)動(dòng)，并擁有11種運(yùn)動(dòng)模式，包括跑步，游泳和騎自行車。 這款智能手表具有內(nèi)置GPS傳感器和5ATM防水功能，并具有光學(xué)心率傳感器。這樣，您可以控制自己的健康狀況。 這款手表可為所發(fā)出各種命令的命令，從用手機(jī)拍照到控制音樂(lè)播放器，在健康方面具有24小時(shí)心率監(jiān)測(cè)和SpO2血氧飽和度檢測(cè)等功能。 這款手表具有TruSleep 2.0(用于睡眠跟蹤)和TruRelax技術(shù)(用于壓力測(cè)量)，電池壽命在7天到10天之間。Huawei Watch Fit的價(jià)格定為110美元。 它的續(xù)航或可達(dá)2天配備一塊大尺寸的屏幕但續(xù)航時(shí)間較短，這幾乎是目前智能手表的通病。我猜測(cè)不過(guò)提供了僅僅一天的待機(jī)時(shí)間，華為Watch又能堅(jiān)持多久呢? 不過(guò)似乎華為Watch將帶來(lái)2天左右的續(xù)航能力，這相比較Moto360的一天已經(jīng)是個(gè)不小的優(yōu)勢(shì)。不過(guò)距離能給用戶帶來(lái)不錯(cuò)體驗(yàn)，續(xù)航達(dá)到半個(gè)月甚至和一個(gè)月的智能手環(huán)產(chǎn)品來(lái)說(shuō)依然有相當(dāng)?shù)牟罹唷? 它的觸點(diǎn)式充在表盤的背面我們可以發(fā)現(xiàn)明顯的觸點(diǎn)設(shè)計(jì)，這顯然是充電觸點(diǎn)。之所以采用觸點(diǎn)充電而沒(méi)有使用無(wú)線充電方式。 估計(jì)華為還是更多地考慮了手表的厚度因素以及觸點(diǎn)充電器的便攜性，畢竟不是新技術(shù)就一定都好用，特定設(shè)備上，比如智能手表或許還是傳統(tǒng)的方式好一些。 今年華為會(huì)發(fā)布搭載鴻蒙系統(tǒng)的國(guó)產(chǎn)創(chuàng)新PC、手表、手環(huán)、車機(jī)。從剛公布的發(fā)布會(huì)海報(bào)來(lái)看，正好也包含了筆記本電腦和手表。

    半導(dǎo)體 華為 可穿戴 智能手表

  • 瓴盛推首款11nm AIoT芯片！

    8月28日，瓴盛科技公司在成都推出其首款采用11nm工藝的AIoT SoC芯片“JA310”。據(jù)了解，JA310采用4核CPU系統(tǒng)及雙通道ISP，支持視頻信號(hào)處理、編解碼。同時(shí)，這款芯片內(nèi)置AI引擎，支持多核協(xié)同計(jì)算，可應(yīng)用于智能安防監(jiān)控、人臉識(shí)別、視頻會(huì)議等場(chǎng)景。 JA310采用業(yè)界領(lǐng)先的芯片架構(gòu)，基于三星的11nm FinFET工藝制程，與目前市場(chǎng)上普遍采用的28nm工藝智慧物聯(lián)網(wǎng)芯片相比，性能顯著提升的同時(shí)功耗降低70%，在性能和功耗多個(gè)維度上達(dá)到AIoT業(yè)界領(lǐng)先的水平。 JA310采用雙路通道專業(yè)級(jí)別監(jiān)控ISP設(shè)計(jì)，單路支持高達(dá)4K@30fps的分辨率。而高壓縮率的H.264/265技術(shù)確保低變形率、低延時(shí)和低碼率，對(duì)于打造多種流媒體音視頻混合算法提供了游刃有余的高性能解決方案。雙通道ISP設(shè)計(jì)可以支持雙攝像頭傳感器，能夠有效擴(kuò)大視野、增強(qiáng)畫面細(xì)節(jié)，適用于距離測(cè)量、監(jiān)控光學(xué)變焦、暗光效果增強(qiáng)、紅外夜視、色彩還原，以及人臉識(shí)別等。 此外，混合算力高達(dá)2Tops的獨(dú)立NPU支持多種流行架構(gòu)AI模型。通過(guò)ISP和AI算法深度融合，為越來(lái)越強(qiáng)調(diào)智慧化的視頻終端應(yīng)用賦予了強(qiáng)大的"大腦"。而高達(dá)1.5GHz主頻的高性能4核CPU對(duì)于終端設(shè)備多APP運(yùn)行應(yīng)用也毫無(wú)壓力?，F(xiàn)場(chǎng)還同期發(fā)布面向2K市場(chǎng)的AIoT SoC JA308。 JA310芯片是瓴盛科技落戶雙流以來(lái)自主研發(fā)的首款芯片，吹響了萬(wàn)億級(jí)AIoT市場(chǎng)的進(jìn)軍號(hào)角。數(shù)據(jù)顯示，全球物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)到2023年將達(dá)到11000億美元，這對(duì)于移動(dòng)通信和AIoT芯片雙輪驅(qū)動(dòng)的瓴盛科技來(lái)說(shuō)意味著巨大的機(jī)會(huì)。 除了JA310芯片，8月28日AIoT峰會(huì)的另一大看點(diǎn)是開放式平臺(tái)。正如融信產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)、建廣資產(chǎn)投評(píng)會(huì)主席、瓴盛科技董事長(zhǎng)李濱所說(shuō)，"集成電路產(chǎn)業(yè)逐步進(jìn)入'拐點(diǎn)'，單點(diǎn)技術(shù)和產(chǎn)品突破已不夠，需要全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)聯(lián)動(dòng)，協(xié)同創(chuàng)新才能提升產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。" JA310面向智慧監(jiān)控、人臉識(shí)別、視頻會(huì)議、車載終端、運(yùn)動(dòng)相機(jī)等廣泛的智慧物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，打造開放式平臺(tái)化解決方案。據(jù)了解，JA310不僅外圍接口豐富，同時(shí)芯片平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了軟硬件解耦設(shè)計(jì)，做到BSP與應(yīng)用開發(fā)分離。應(yīng)用軟件可以基于軟件模擬器進(jìn)行開發(fā)，確保其生態(tài)內(nèi)的海量開發(fā)者和社區(qū)資源能快速實(shí)現(xiàn)軟件生態(tài)開發(fā)進(jìn)程，保證安卓的應(yīng)用可以快速?gòu)?fù)用到Linux，對(duì)客戶后期APP的開發(fā)以及生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)有極大的幫助。 此外，開放式平臺(tái)還使得基于JA310的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了高可靠性和安全性，避免應(yīng)用程序的任何故障造成導(dǎo)致系統(tǒng)宕機(jī)的危害。 目前，瓴盛與眾多的合作伙伴密切配合，努力打造包括圍繞芯片的元器件適配、軟件開發(fā)環(huán)境、上層應(yīng)用整合的完整、開放生態(tài)體系。此外，瓴盛還將對(duì)各行業(yè)應(yīng)用提供多種細(xì)分領(lǐng)域的交鑰匙方案以降低進(jìn)入的門檻，幫助更多的中小企業(yè)在細(xì)分領(lǐng)域的應(yīng)用創(chuàng)新。 這一系列動(dòng)作，堪稱是瓴盛科技成立兩年多來(lái)的最重磅舉動(dòng)。據(jù)瓴盛科技CEO肖小毛透露，目前瓴盛已經(jīng)打造一支實(shí)力完備、工藝精湛，技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平的團(tuán)隊(duì)，員工超過(guò)400人，已經(jīng)形成 '一總部三大研發(fā)中心'的企業(yè)分布。 在AIoT賽道破局的同時(shí)，瓴盛的智能手機(jī)芯片項(xiàng)目也在緊鑼密鼓啟動(dòng)。據(jù)了解，瓴盛的工程師正在充分利用AIoT芯片開發(fā)過(guò)程中積累的FinFET工藝制程經(jīng)驗(yàn)，重點(diǎn)推進(jìn)移動(dòng)智能手機(jī)芯片的研發(fā)，充分利用已有的軟硬件生態(tài)系統(tǒng)成果快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 瓴盛科技推出了其經(jīng)過(guò)多年積累，一次成功流片的AIoT SoC芯片，對(duì)瓴盛科技來(lái)說(shuō)是從移動(dòng)通信領(lǐng)域步入以智能安防、智能交通等為代表的泛物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的一塊重量級(jí)敲門磚，對(duì)智能安防領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，也是一股新的氣息。

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  • 華為海思IPC SOC芯片受美影響供不應(yīng)求

    網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)(IPC)的核心就是IPC SoC芯片。IPC SoC通常集成了嵌入式處理器(CPU)、圖像信號(hào)處理(ISP)模塊、視音頻編碼模塊、網(wǎng)絡(luò)接口模塊、安全加密模塊和內(nèi)存子系統(tǒng)，部分芯片還集成了視頻智能處理模塊。而華為海思的IPC SOC芯片在美國(guó)制裁的下，供應(yīng)開始滿足不了市面上的需求，現(xiàn)階段市場(chǎng)也因此受到了影響。 一些監(jiān)控?cái)z像頭價(jià)錢高漲，一些代理商和分銷商剛開始囤貨，更嚴(yán)重的是出現(xiàn)炒貨的情況。出現(xiàn)這些問(wèn)題，主要是受芯片上游供應(yīng)的影響，漲價(jià)是大勢(shì)所趨。 對(duì)于安防行業(yè)而言，美國(guó)斷供的危害已經(jīng)開始浮出水面。依現(xiàn)階段銷售市場(chǎng)的反饋來(lái)看，芯片斷供反映的主要是中小型安防公司，而問(wèn)題就出現(xiàn)SOC芯片的供應(yīng)上。 現(xiàn)階段的難題關(guān)鍵在，當(dāng)SoC的龍頭企業(yè)海思企業(yè)不供應(yīng)后，市場(chǎng)上的SoC芯片的價(jià)錢將暴漲。 事實(shí)上，作為SoC芯片的巨頭，海思于全球占據(jù)超過(guò)70%的市場(chǎng)份額，也在視頻監(jiān)控市場(chǎng)超過(guò)了90%的市場(chǎng)占有率，國(guó)內(nèi)眾多的代理商都依賴于華為海思。而當(dāng)華為遭遇斷供時(shí)，芯片的價(jià)錢也是隨著快速增漲，一些老知名的SOC公司或?qū)⑴d起，市場(chǎng)恐將邁入新一輪猛烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。 值得一提的是，前些年海思在SOC行業(yè)戰(zhàn)勝TI，除開商品自身的性價(jià)比高以外，它的優(yōu)點(diǎn)取決于成本管理及其在全世界范疇內(nèi)的本土化的策略。從技術(shù)性層面看，下一代H.266專利最多的企業(yè)也非海思莫屬，不僅如此，海思還有著H.265標(biāo)準(zhǔn)下的高清網(wǎng)絡(luò)攝像頭的處理器Hi3516A。 因此，華為海思的SOC不管在技術(shù)性、服務(wù)項(xiàng)目還是成本費(fèi)層面，早已在安防領(lǐng)域近乎完美。 并且此次的斷供潮，給了海思的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手等生產(chǎn)商還擊的機(jī)會(huì)。因?yàn)榕_(tái)積電公布斷供華為，將來(lái)海思芯片生產(chǎn)能力下降，而SOC芯片價(jià)錢上漲已是毋庸置疑的事實(shí)。對(duì)于成本的上漲，安防生產(chǎn)商提升產(chǎn)品報(bào)價(jià)已是無(wú)可奈何。 從現(xiàn)階段的狀況看來(lái)，除開海康大華等大顧客外，智能安防生產(chǎn)商也因地域不一樣，遭遇著不一樣的斷供狀況。 可是也有視頻監(jiān)控系統(tǒng)公司說(shuō)，現(xiàn)階段的芯片供應(yīng)一切正常，因此企業(yè)沒(méi)有開展價(jià)格調(diào)整，攝像機(jī)價(jià)格平穩(wěn)，將來(lái)將依據(jù)市場(chǎng)的需求和供應(yīng)鏈構(gòu)造做出相應(yīng)的措施。 依據(jù)海思供應(yīng)商表示，全部系列產(chǎn)品的視頻監(jiān)控系統(tǒng)芯片現(xiàn)階段都處在緊缺情況;在美國(guó)財(cái)政部公布禁令以前，海思安全性芯片的供應(yīng)還是相對(duì)性平穩(wěn)的，禁令執(zhí)行以后，銷售市場(chǎng)上就剛開始有供應(yīng)緊缺的情況，價(jià)錢也開始伴隨著供應(yīng)短缺的焦慮不安而上漲。但從長(zhǎng)久看來(lái)，海思芯片的價(jià)錢將在一個(gè)合理的范疇內(nèi)起伏，喪失競(jìng)爭(zhēng)力是無(wú)稽之談。 SOC芯片的生產(chǎn)制造與手機(jī)芯片加工對(duì)比，工藝并不繁雜，聯(lián)發(fā)科、中芯都能承攬有關(guān)的訂單。 因此長(zhǎng)期看來(lái)，海思的安防SOC芯片不容易斷供，只不過(guò)是失去臺(tái)積電這一金牌代工廠，其生產(chǎn)能力將相對(duì)性降低，也就是說(shuō)會(huì)推動(dòng)有關(guān)芯片的漲價(jià)。但對(duì)工程項(xiàng)目商而言，如今更應(yīng)當(dāng)保持購(gòu)買渠道的穩(wěn)定，保證元器件的庫(kù)存，增強(qiáng)其抗風(fēng)險(xiǎn)能力。 IPC SOC芯片市場(chǎng)提升空間大，是國(guó)內(nèi)各大安防芯片廠商競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。在安防監(jiān)控網(wǎng)絡(luò)化、智能化已成趨勢(shì)的當(dāng)下，應(yīng)用IPC SOC芯片的網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)占比逐年增高，也成為安防芯片廠商重點(diǎn)開拓的方向。

    半導(dǎo)體 華為 芯片 SoC ipc

  • 新算力爆炸時(shí)代，國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的征程該如何走？

    在5G大規(guī)模商用普及的背景下，日益爆炸的數(shù)據(jù)傳輸和計(jì)算要求、存儲(chǔ)能力的躍進(jìn)、安全保障訴求的提升，都逐漸成為走在數(shù)字世界前沿的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍突破的方向。在新算力時(shí)代，如何在國(guó)產(chǎn)化浪潮中夯實(shí)自身的技術(shù)能力?在各自細(xì)分領(lǐng)域的突破方向又在哪里?成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化國(guó)產(chǎn)征程該考慮的重點(diǎn)。 一、NB-IoT：集成式SOC是大勢(shì)所趨 在NB-IoT(物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)的一種)正式被3GPP組織納入5G標(biāo)準(zhǔn)之后，市場(chǎng)對(duì)該領(lǐng)域的關(guān)注度愈發(fā)高漲起來(lái)。實(shí)際上在這些年的綿延探索過(guò)程中，國(guó)內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)不少NB-IoT領(lǐng)域的廠商，經(jīng)歷過(guò)初期的跑馬圈地之后，接下來(lái)的路徑該怎么走將是一個(gè)關(guān)鍵性問(wèn)題。 當(dāng)今物聯(lián)網(wǎng)世界有兩大趨勢(shì)：第一是傳統(tǒng)行業(yè)現(xiàn)代化、智能化;第二是物理世界數(shù)字化、機(jī)器海量連接。未來(lái)，集成式芯片會(huì)是歷史大勢(shì)，不可阻擋。具備集成多項(xiàng)技術(shù)能力的SOC可以更好獲得市場(chǎng)。 而IP成敗在一定程度上決定了芯片設(shè)計(jì)的成敗，用IP搭建芯片，集成，集成，再集成將是行業(yè)發(fā)展大勢(shì)。在封測(cè)端，高集成、高帶寬、低功耗、應(yīng)用場(chǎng)景定制化也驅(qū)使芯片封裝設(shè)計(jì)走向一體化。 作為中國(guó)芯片IP和芯片定制的一站式領(lǐng)軍企業(yè)，芯動(dòng)科技Innosilicon的發(fā)展一直受到半導(dǎo)體行業(yè)同仁的關(guān)注。有機(jī)構(gòu)直言：芯動(dòng)是中國(guó)少數(shù)在細(xì)分領(lǐng)域能夠引領(lǐng)全球產(chǎn)品創(chuàng)新的一站式IP和芯片定制領(lǐng)軍企業(yè)。 二、內(nèi)存接口芯片：站穩(wěn)并拓寬應(yīng)用方向 在對(duì)國(guó)內(nèi)SoC設(shè)計(jì)項(xiàng)目的調(diào)查中發(fā)現(xiàn)，一些高速接口IP核還依賴于國(guó)外企業(yè)，而且這些IP核的供應(yīng)商較少，國(guó)內(nèi)企業(yè)的選擇面較窄，IP核的價(jià)格也十分昂貴。 據(jù)了解，芯動(dòng)科技全國(guó)產(chǎn)自主可控的高速混合電路IP核在滿足國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，還可根據(jù)客戶應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行面積、功耗等PPA優(yōu)化，一步到位交鑰匙快速集成，全程為客戶產(chǎn)品成功保駕護(hù)航，實(shí)現(xiàn)芯片差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)圈來(lái)說(shuō)真的是一個(gè)好消息，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)，都能使用全國(guó)產(chǎn)自主可控的IP了。 據(jù)東方證券估算，DDR5 需要使用更多內(nèi)存接口芯片。相比DDR3只采用1顆寄存緩存芯片、DDR4最多采用“1+9” 個(gè)內(nèi)存芯片，DDR5對(duì)內(nèi)存接口的需求進(jìn)一步提升，最多達(dá)到“1+10”個(gè)(1RCD+10DB)，此外，內(nèi)存性能顯著提升要求內(nèi)存接口芯片也顯著提升。內(nèi)存接口芯片有望迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升。 從官方消息了解，芯動(dòng)科技突破“內(nèi)存墻”瓶頸推出的DDR系列內(nèi)存產(chǎn)品，始終處于行業(yè)前沿，除了早已成功運(yùn)用于過(guò)去主流計(jì)算市場(chǎng)的DDR3/4/LPDDR3/4，以其靈活的combo phy出名，還推出更大容量、更高帶寬、更低功耗、更高穩(wěn)定性產(chǎn)品涵蓋高性能產(chǎn)品GDDR6(16GT/s，1.35V)、主流產(chǎn)品DDR5(6.4GT/s，1.1V)、低功耗產(chǎn)品LPDDR5(6.4GT/s，0.5.V)等。 三、服務(wù)器：國(guó)產(chǎn)化新材料助推新技術(shù) 隨著云計(jì)算時(shí)代的到來(lái)，服務(wù)器需求正呈現(xiàn)井噴態(tài)勢(shì)。本質(zhì)來(lái)說(shuō)，這也是基于新算力時(shí)代需求而來(lái)的產(chǎn)物。 中科曙光工程師指出，早期使用風(fēng)冷方式散熱，是因?yàn)樵缙诔?jí)計(jì)算機(jī)采用的芯片功率較低，沒(méi)有超級(jí)大規(guī)模的運(yùn)算需求和能力，但隨著運(yùn)算需求提升，逐漸變成類似風(fēng)扇的方式，把服務(wù)器內(nèi)的熱氣“吹”出來(lái)。 但其弊端在于，可以容納的服務(wù)器內(nèi)置刀片(類似內(nèi)存盤)密度不夠大，為了適應(yīng)當(dāng)前的算力需求、增加刀片密度，因此具備更高功率密度、更高電源轉(zhuǎn)換效率的計(jì)算機(jī)產(chǎn)品便應(yīng)運(yùn)而生。

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