安森美發(fā)布GaNEXUS?氮化鎵功率產(chǎn)品組合

現(xiàn)已提供樣品，為AI數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人及能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用帶來更高功率密度與能效

TrendForce集邦咨詢：英偉達(dá)下調(diào)Vera CPU搭載容量，凸顯LPDRAM供給缺口難以緩解，且中長期需求呈上揚(yáng)趨勢

Jun. 10, 2026 ---- TrendForce集邦咨詢調(diào)研結(jié)果指出，NVIDIA(英偉達(dá))決議將次世代Vera Rubin Superchip模組所搭載的SOCAMM容量砍半，此一調(diào)整并非NVIDIA下修存儲器總需求量，而是應(yīng)對供應(yīng)端2027年初步規(guī)劃配給NVIDIA的產(chǎn)能不足的事實(shí)。在此背景下，NVIDIA選擇調(diào)降單顆容量、擴(kuò)大模組出貨數(shù)量，以強(qiáng)化其市占，同時(shí)凸顯LPDDR5X供給缺口難以被填補(bǔ)與中長期需求上揚(yáng)的趨勢。

ROS2導(dǎo)航從零搭到崩潰?這份開源方案給你抄作業(yè)

在AGV、服務(wù)機(jī)器人、自動駕駛清掃車等炙手可熱的賽道，自主導(dǎo)航能力是產(chǎn)品的靈魂。然而，無數(shù)機(jī)器人研發(fā)團(tuán)隊(duì)在邁向量產(chǎn)的途中，都曾撞上同一堵看不見的墻：

碳化硅賦能浪潮教程：SiC Cascode JFET與SiC Combo JFET深度解析

摘要：碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價(jià)值。我們已經(jīng)介紹了《碳化硅如何革新電源設(shè)計(jì)、工業(yè)與服務(wù)器電源》《三種替代Si和SiC MOSFET的方案》。本文為第三篇，將介紹SiC Cascode JFET的動態(tài)特性、SiC Combo JFET的應(yīng)用靈活性。

兆易創(chuàng)新推出全新光模塊專用MCU，聚力光互聯(lián)產(chǎn)業(yè)升級

中國北京(2026年6月10日)—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼：603986.SH;3986.HK)宣布推出全新GD32E512和GD32E252系列光模塊專用MCU，精準(zhǔn)覆蓋從傳統(tǒng)低速到新一代高速光模塊的多元應(yīng)用場景。這兩款新品的發(fā)布，將進(jìn)一步拓寬兆易創(chuàng)新在光通信領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣，并將為AI算力中心及下一代網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的高速光互聯(lián)產(chǎn)業(yè)升級提供強(qiáng)有力的底層硬件支撐。

Molex 莫仕參加2026年慕尼黑上海電子展 探討如何為人工智能驅(qū)動汽車、數(shù)據(jù)通信和新興技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)對連接挑戰(zhàn)

伊利諾伊州萊爾市 – 2026年6月10日 – 全球電子設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)暨連接技術(shù)創(chuàng)新企業(yè) Molex 莫仕將參加于 7 月 1 日至 3 日在上海新國際博覽中心舉行的 2026 年慕尼黑上海電子展 (electronica China 2026)，展位編號為W1.301。為配合中國汽車、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)領(lǐng)域的快速發(fā)展，Molex 莫仕將重點(diǎn)展示一系列豐富的連接解決方案，以滿足中國工程師和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員日益復(fù)雜的需求。

借助安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記實(shí)現(xiàn)安全設(shè)計(jì)——第2部分：FMEDA數(shù)據(jù)導(dǎo)入

在完成合理性校驗(yàn)，確認(rèn)器件功能安全(FS)失效率、失效模式分布(FMD)及引腳失效模式與影響分析(FMEA)的推導(dǎo)假設(shè)成立后，系統(tǒng)集成商下一步需將這些數(shù)據(jù)導(dǎo)入其系統(tǒng)的失效模式、影響與診斷分析(FMEDA)中。ADI的安全事項(xiàng)應(yīng)用筆記提供了多種計(jì)算失效率、裸片F(xiàn)MD及引腳FMEA的方法。系統(tǒng)集成商可根據(jù)自身在安全相關(guān)系統(tǒng)(SRS)設(shè)計(jì)或通過FMEDA開展技術(shù)安全分析的經(jīng)驗(yàn)，采用不同方式來運(yùn)用這些信息。本系列文章第2部分旨在介紹一種結(jié)合裸片F(xiàn)MD與引腳FMEA來推導(dǎo)FS器件的失效率分布的方法。

英飛凌攜手西門子：以碳化硅技術(shù)賦能數(shù)據(jù)中心及工廠電氣保護(hù)

【2026年6月10日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)與西門子股份公司(以下簡稱西門子)開展合作，共同提升數(shù)據(jù)中心、生產(chǎn)設(shè)施及電池儲能系統(tǒng)的電氣保護(hù)水平，保障運(yùn)行可靠性。合作內(nèi)容包括英飛凌將向西門子供應(yīng)碳化硅(SiC)功率模塊，用于西門子的SENTRON 3QD2半導(dǎo)體斷路器。這將提升西門子斷路器保護(hù)解決方案的效率、功率密度和可靠性。

達(dá)尼森推出緊湊型高精度MBC4000I磁通門交流/直流電流傳感器

提供比傳統(tǒng)霍爾效應(yīng)傳感器解決方案高10倍的電流測量性能水平

MIKROE推出適配蘋果Vision Pro 的 Spatial Anchor S1和R1 空間追蹤模塊

緊湊型追蹤設(shè)備，可搭配蘋果Vision Pro 實(shí)現(xiàn)高精度、實(shí)時(shí)物體追蹤

Vox Power Ltd. – 全新發(fā)布支持?jǐn)?shù)字控制的輸出模塊，適用于NEVO+可配置AC-DC電源系列。

愛爾蘭，都柏林 — 2026年5月21日 — Vox Power正在擴(kuò)展其NEVO+系列輸出模塊家族，新增兼容PMBus? 1.2接口的數(shù)字控制功能，并支持通過I2C無縫集成到嵌入式系統(tǒng)中。

Wolfspeed 發(fā)布新一代技術(shù)，推出業(yè)界最低導(dǎo)通電阻的碳化硅 MOSFET

美國東部時(shí)間 2026 年 6 月 9 日，美國北卡羅來納州達(dá)勒姆市 — 碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域行業(yè)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司宣布推出第五代 (Gen 5) 技術(shù)，將為下一代 1200 V 和 750 V 汽車及工業(yè)應(yīng)用帶來效率方面的性能跨越式提升。

英飛凌推出面向 AI 數(shù)據(jù)中心電源設(shè)計(jì)的 EiceDRIVER? 2EDL90xG3驅(qū)動芯片，適用于硅基與氮化鎵器件設(shè)計(jì)，封裝兼容

【2026年6月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)近日宣布推出 EiceDRIVER? 2EDL90xG3。這是一款120 V，兼容硅(Si)和氮化鎵(GaN)器件的驅(qū)動芯片。隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高的功率密度邁進(jìn)，電源工程師會希望在不更改 PCB 的情況下，能夠靈活地評估和比較硅與氮化鎵方案。這對 HV/MV IBC 設(shè)計(jì)尤為重要。2EDL90xG3直接滿足了這一需求。其獨(dú)特的內(nèi)置5 V 柵極鉗位功能進(jìn)一步簡化了 GaN 柵極驅(qū)動電源的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)與 Si 器件共 PCB。

直擊華南工博會｜ZLG致遠(yuǎn)電子：EtherCAT與自動化總線應(yīng)用方案動態(tài)實(shí)景呈現(xiàn)

極海G32F031超高性價(jià)比高速風(fēng)筒參考方案

極海G32F031超高性價(jià)比高速風(fēng)筒參考方案近年來，隨著護(hù)發(fā)消費(fèi)需求升級，高速風(fēng)筒憑借低溫速干、護(hù)發(fā)效果優(yōu)異等特點(diǎn)，成為個人護(hù)理電器領(lǐng)域的熱門品類。該類產(chǎn)品依托每分鐘超10萬轉(zhuǎn)的高速無刷電機(jī)，以強(qiáng)勁氣流替代傳統(tǒng)高溫吹風(fēng)，減少對頭發(fā)的熱損傷；同時(shí)，搭配負(fù)離子功能讓秀發(fā)更加順滑有光澤。