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  • 氮化鎵快充充電器

    氮化鎵，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，號(hào)稱(chēng)第三代半導(dǎo)體核心材料。而氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力。而氮化鎵快充在2020年將迎來(lái)快速的發(fā)展，尤其是各大品牌手機(jī)廠(chǎng)商陸續(xù)入局，氮化鎵充電器開(kāi)始引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。 據(jù)充電頭網(wǎng)觀(guān)察，氮化鎵快充市場(chǎng)從概念走向量產(chǎn)民用化，僅用了不到兩年時(shí)間。而在氮化鎵快充的普及過(guò)程中，要說(shuō)“第一個(gè)吃螃蟹的人”，當(dāng)屬RAVPOWER。作為一家頗具實(shí)力的知名跨境電商品牌，RAVPOWER涉足氮化鎵快充至少領(lǐng)先同行半年，成為氮化鎵快充行業(yè)的先行者。到目前為止，RAVPOWER旗下的氮化鎵快充已多達(dá)四款，形成了強(qiáng)大的氮化鎵快充家族整容。 同時(shí)充電頭網(wǎng)也了解到，RAVPOWER在氮化鎵快充上取得長(zhǎng)足發(fā)展，離不開(kāi)氮化鎵芯片原廠(chǎng)納微半導(dǎo)體的支持。據(jù)拆解資料顯示，RAVPOWER旗下的四款氮化鎵快充中，有三款產(chǎn)品均基于納微半導(dǎo)體的高性能GaNFast氮化鎵芯片開(kāi)發(fā)，包括當(dāng)時(shí)領(lǐng)先業(yè)界的45W氮化鎵快充充電器;納微半導(dǎo)體也為此投入了不少的人力和資源。 一、RAVPOWER聯(lián)合納微半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)氮化鎵快充家族 充電頭網(wǎng)通過(guò)拆解了解到，截止目前RAVPOWER已經(jīng)聯(lián)合納微半導(dǎo)體推出了三款氮化鎵快充產(chǎn)品，分別為RAVPOWER 45W氮化鎵快充、RAVPOWER 61W氮化鎵快充以及RAVPOWER 65W 1A1C氮化鎵快充。 1、RAVPOWER 45W氮化鎵快充充電器 RAVPOWER 45W氮化鎵快充充電器可以算得上是最早一批上架銷(xiāo)售的氮化鎵快充產(chǎn)品，也是氮化鎵快充產(chǎn)品從概念走向量產(chǎn)的開(kāi)端。這款充電器采用折疊插腳設(shè)計(jì)，體積小巧、輕薄，攜帶方便，輸出支持最大45W的輸出功率，并且具有5V、9V、12V、15V、20V五檔USB PD輸出，可支持手機(jī)、平板、筆電等數(shù)碼設(shè)備快充。 通過(guò)充電頭網(wǎng)的拆解，我們發(fā)現(xiàn)這款充電器里面的用料也是滿(mǎn)滿(mǎn)的黑科技，整體采用ACF拓?fù)浼軜?gòu)，初級(jí)側(cè)采用了兩顆納微半導(dǎo)體的NV6115GaNFast功率器件，搭配TI高頻控制器UCC28780，實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，次級(jí)則選用MPS同步整流芯片搭配英飛凌MOS實(shí)現(xiàn)同步整流，最后通過(guò)偉詮協(xié)議芯片WT6615F實(shí)現(xiàn)輸出控制。 RAVPOWER 45W氮化鎵快充充電器內(nèi)部核心功率器件——Navitas納微NV6115。 2、RAVPOWER 61W氮化鎵快充充電器 RAVPOWER61W氮化鎵快充充電器給人最深的感受便是體積非常小巧，幾乎只有蘋(píng)果61W快充充電器體積的二分之一大小。性能方面，這款充電器除了支持PD快充之外，還支持APPLE2.4A、DCP協(xié)議以及QC 2.0、QC 3.0快充協(xié)議，可兼容筆記本電腦、手機(jī)、移動(dòng)電源等設(shè)備快充。 用料方面，這款充電器使用的核心功率器件為納微NV6115芯片，AC-DC部分分別采用安森美和德州儀器的控制器，初級(jí)側(cè)由NCP1342控制納微氮化鎵芯片，次級(jí)側(cè)由UCC24612控制恒泰柯同步整流MOS，最后通過(guò)偉詮WT6636F進(jìn)行協(xié)議識(shí)別智能輸出最佳充電功率。設(shè)計(jì)上，這款充電器內(nèi)部設(shè)計(jì)布局合理，元器件焊接整齊緊湊，主要發(fā)熱芯片打膠和配備散熱片幫助導(dǎo)熱，PCB板正背面也配有大塊散熱片來(lái)均勻散熱。 RAVPOWER 61W氮化鎵快充充電器內(nèi)部核心功率器件——Navitas納微NV6115。 3、RAVPOWER 65W 1A1C氮化鎵快充充電器 RAVPOWER 65W 1A1C氮化鎵快充充電器呈方正圓角造型，配上可折疊插腳，使其非常節(jié)省空間，攜帶很方便。充電器的兩個(gè)接口均支持QC2.0/3.0、AFC、FCP多個(gè)快充協(xié)議，C口還具備5/3A、9/3A、12/3A、15V/3A、20V/3.25A五組電壓檔位。雙口最大輸出分別為18W和65W，并支持智能降功率功能，兩臺(tái)設(shè)備充電時(shí)均能實(shí)現(xiàn)快充。 充電頭網(wǎng)通過(guò)拆解發(fā)現(xiàn)，這款充電器輸入輸出端均設(shè)有小PCB板，充分利用內(nèi)部空間減小產(chǎn)品體積，變壓器和電容等打膠固定，電感包裹絕緣膠帶，初級(jí)次級(jí)之間有絕緣板隔離，輸出使用固態(tài)電容濾波。內(nèi)部設(shè)計(jì)布局合理，元器件焊接整齊緊湊，整體做工為業(yè)界主流水準(zhǔn)。 充電器整體采用開(kāi)關(guān)電源+二次降壓的架構(gòu)，開(kāi)關(guān)電源部分初級(jí)側(cè)以納微半導(dǎo)體NV6115為核心，并由安森美高頻控制器控制，次級(jí)由MP6908A搭配萬(wàn)代MOS組成同步整流;DC-DC二次降壓部分采用智融SW3515S和SW3516控制器，兩口獨(dú)立輸出，支持功率智能分配并且集成度高。 RAVPOWER 65W 1A1C氮化鎵快充充電器內(nèi)部核心功率器件——Navitas納微NV6115。 二、納微半導(dǎo)體熱門(mén)氮化鎵快充方案介紹 據(jù)充電頭網(wǎng)了解，納微在氮化鎵快充上，有源嵌位反激ACF和高頻QR架構(gòu)都有涉足，比如上文提到的三款氮化鎵快充中，45W基于有源嵌位反激ACF架構(gòu)開(kāi)發(fā)，61W和65W均基于高頻QR架構(gòu)。 而從目前市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)來(lái)看，也以基于高頻QR架構(gòu)方案開(kāi)發(fā)的氮化鎵快充產(chǎn)品居多，納微半導(dǎo)體的高頻QR架構(gòu)方案也獲得了眾多品牌的廠(chǎng)商采用。充電頭網(wǎng)拆解發(fā)現(xiàn)，納微NV6115、NV6117、NV6252等GaNFast功率芯片目前已被市場(chǎng)廣泛采用，產(chǎn)品的性能獲得了客戶(hù)的認(rèn)可并經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的檢驗(yàn)。 1、納微半導(dǎo)體NV6115 Navitas納微的GaNFast氮化鎵功率芯片NV6115內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及復(fù)雜的邏輯控制電路，170mΩ導(dǎo)阻，耐壓650V，支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率，采用5*6mm QFN封裝，節(jié)省面積。 2、納微半導(dǎo)體NV6117 Navitas納微半導(dǎo)體NV6117氮化鎵功率芯片內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及復(fù)雜的邏輯控制電路，120mΩ導(dǎo)阻，耐壓650V，支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率，采用5*6mm QFN封裝，節(jié)省面積。 3、納微半導(dǎo)體NV6252 納微半導(dǎo)體NV6252 GaNFast功率IC是全球第一款集成驅(qū)動(dòng)的半橋氮化鎵POWER IC ，它內(nèi)置邏輯、驅(qū)動(dòng)/保護(hù)等功能，并且可以靈活設(shè)置dv/dt。由于它的內(nèi)阻300m導(dǎo)通阻抗以及具有非常小的寄生參數(shù)，已經(jīng)廣泛運(yùn)用于中小功率高頻軟開(kāi)關(guān)拓?fù)淅鏷alf-birdge、buck、boost、resonant等。 充電頭網(wǎng)總結(jié) 氮化鎵已經(jīng)成為快充市場(chǎng)的主流，對(duì)于充電器而言，氮化鎵在替代傳統(tǒng)功率器件上，有著無(wú)可比擬的性能優(yōu)勢(shì)，帶給了用戶(hù)更好的使用體驗(yàn)。 作為全球首家GaN功率IC公司，納微半導(dǎo)體公司擁有強(qiáng)大且不斷增長(zhǎng)的功率半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)。其多位創(chuàng)始人擁有的專(zhuān)利數(shù)超過(guò)200項(xiàng);在材料、器件、 應(yīng)用程序、系統(tǒng)和營(yíng)銷(xiāo)及創(chuàng)新成功記錄的領(lǐng)域擁有豐富經(jīng)驗(yàn)。 不得不說(shuō)，在氮化鎵快充的普及進(jìn)程中，納微半導(dǎo)體發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，除RAVPOWER氮化鎵快充家族外，納微半導(dǎo)體還協(xié)助了小米、ANKER、AUKEY、Baseus、Belkin、HYPER JUICE等眾多知名品牌完善其氮化鎵快充家族的產(chǎn)品，并深受消費(fèi)者喜愛(ài);在目前市售熱門(mén)的氮化鎵快充充電器中，有半數(shù)以上的品牌均為納微的客戶(hù)。 氮化鎵充電器可以實(shí)現(xiàn)體積小、重量輕;對(duì)于發(fā)熱量與效率轉(zhuǎn)化也有非常明顯的提高。而未來(lái)的很多領(lǐng)域，氮化鎵都會(huì)發(fā)揮重要作用。

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  • 中國(guó)芯的發(fā)展需突破日本材料，荷蘭光刻機(jī)，美國(guó)設(shè)備

    現(xiàn)在芯片行業(yè)可以說(shuō)是國(guó)家的戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，近年來(lái)，我國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域一直受到美國(guó)的限制，尤其是美國(guó)近期對(duì)華為的打壓，國(guó)產(chǎn)芯片的自主研發(fā)必須要加快速度了。 不過(guò)說(shuō)真的，中國(guó)半導(dǎo)體要全面發(fā)展，還是有很多短板要補(bǔ)的，比如材料要看日本，光刻機(jī)要看荷蘭，設(shè)備、軟件要看美國(guó)。 先說(shuō)說(shuō)原材料方面，30多年前日本半導(dǎo)體是全球第一的，不過(guò)后來(lái)被美國(guó)打壓之后，日本就產(chǎn)業(yè)升級(jí)，轉(zhuǎn)為半導(dǎo)體的原材料方面。 根據(jù)網(wǎng)上的資料顯示，目前在整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域的19種關(guān)鍵材料中，有14種日本的產(chǎn)能是占了全球50%以上的，比如去年的光刻膠事件就是證明，日本一卡光刻膠，韓國(guó)就著急了。 至于中國(guó)在半導(dǎo)體材料方面，也是非常依賴(lài)日本，很多原材料都從日本進(jìn)口的，一旦日本不出口了，也是很麻煩的。 再說(shuō)說(shuō)光刻機(jī)，光刻機(jī)是芯片制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，目前荷蘭的ASML技術(shù)最強(qiáng)，量產(chǎn)的是能夠用于5nm芯片的光刻機(jī)，而國(guó)內(nèi)的技術(shù)還是90nm，離ASML差太遠(yuǎn)。 所以我們看到這幾年網(wǎng)上的關(guān)于光刻機(jī)的信息，大多是中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體采購(gòu)了ASML的先進(jìn)的光刻機(jī)，因?yàn)橹袊?guó)生產(chǎn)不出來(lái)，只有看ASML的。 而在半導(dǎo)體設(shè)備、軟件方面就真的要看美國(guó)的。美國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備方面很厲害，比如應(yīng)用材料、泛林就是全球第一、第四的半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商。 尤其在沉積、刻蝕、離子注入、CMP、勻膠顯影等領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，沒(méi)有廠(chǎng)商可以替代這兩家企業(yè)，像中芯國(guó)際、臺(tái)積電、三星、華虹半導(dǎo)體這些芯片制造個(gè)來(lái)都是應(yīng)用材料、泛林的客戶(hù)。 至于軟件方面，EDA大家就非常清楚了，美國(guó)的Synopsys、美國(guó)的Cadence 和西門(mén)子旗下的 Mentor Graphics 三家企業(yè)壟斷的，這三家企業(yè)占了全球超70%的份額。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈很長(zhǎng)，我們必須從應(yīng)用端逐步往上走，我們?nèi)缃裨谄掠我呀?jīng)有足夠的話(huà)語(yǔ)權(quán)，但是下游依舊受制于上游，因此我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展仍需要時(shí)間以及大量的資金、技術(shù)等支持。

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  • 未來(lái)芯片的下載速度可達(dá)每秒44.2TB

    有沒(méi)有設(shè)想過(guò)，未來(lái)1秒鐘可以下載1000部高清電影，芯片的下載速度可達(dá)每秒44.2TB。這時(shí)，或許會(huì)有一種叫做微梳(micro-comb)的微型設(shè)備取代現(xiàn)有的互聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，在下載速度上創(chuàng)造瘋狂新高，即使在最繁忙的時(shí)期，也能同時(shí)為數(shù)百萬(wàn)人提供充足的數(shù)據(jù)。 這項(xiàng)輕量級(jí)技術(shù)最近在一項(xiàng)實(shí)地試驗(yàn)中得到了驗(yàn)證，該試驗(yàn)測(cè)量的數(shù)據(jù)速率達(dá)到了驚人的44.2 TB每秒，所有數(shù)據(jù)都是由一個(gè)光源發(fā)出的。 微型梳狀晶片本身并不算新，大約十年前就被發(fā)明出來(lái)了。但隨著我們的數(shù)據(jù)高速公路壓力不斷加大，這項(xiàng)技術(shù)現(xiàn)在顯示出希望，有望成為一種瘦身和加速我們互聯(lián)網(wǎng)背后的技術(shù)的方法。斯文伯恩大學(xué)光學(xué)科學(xué)中心主任大衛(wèi)·莫斯說(shuō)：“看到他們?cè)诔邘捁饫w通信方面的能力取得成果，真是令人興奮。這項(xiàng)工作代表了單芯片源光纖帶寬的世界紀(jì)錄，也代表了網(wǎng)絡(luò)中最重要的部分的巨大突破?！? 來(lái)自莫納什大學(xué)、斯文伯恩大學(xué)和澳大利亞RMIT的工程師聲稱(chēng)，芯片的一個(gè)顯著好處是它能夠充分利用現(xiàn)有的基礎(chǔ)設(shè)施，滿(mǎn)足我們未來(lái)幾年的需求。現(xiàn)在有一個(gè)緊迫的擔(dān)憂(yōu)，即當(dāng)前的系統(tǒng)將在未來(lái)幾年內(nèi)陷入困境。為了滿(mǎn)足我們的需求而更換老化電纜的高速公路，是一項(xiàng)耗資巨大、費(fèi)時(shí)費(fèi)力的工作，無(wú)疑將留給子孫后代去解決。同時(shí)，還有其他組件可以升級(jí)以幫助改善流量。其中之一就是我們目前產(chǎn)生光頻率的方式，這種光頻率將比特和字節(jié)通過(guò)電纜傳輸?shù)轿覀兊挠?jì)算機(jī)和智能設(shè)備中。 不同頻率的激光可以產(chǎn)生大量的“通道”，將信息塞進(jìn)微小的折射管中。根據(jù)光線(xiàn)的間隔方式，我們可以將多達(dá)80個(gè)通道照射到網(wǎng)絡(luò)中，以滿(mǎn)足所有數(shù)據(jù)需求。這種創(chuàng)新的新型微型梳狀芯片可以取代現(xiàn)有的方法來(lái)創(chuàng)建所有這些通道，將80個(gè)獨(dú)立的激光器換成可以調(diào)諧成彩虹狀光波的單晶波形發(fā)生器。 從理論上看，這是個(gè)好主意。但為了確保他們的理論是正確的，研究人員將一個(gè)裝置的原型連接到墨爾本大學(xué)兩個(gè)校區(qū)之間76公里長(zhǎng)的“黑暗”光纜上。研究小組發(fā)現(xiàn)，他們可以將每個(gè)通道的數(shù)據(jù)量最大化，顯示出設(shè)備每秒44.2 TB的潛在最高速度。在理想的條件下，如果有合適的系統(tǒng)，理論上可以在一秒鐘內(nèi)下載1000部高清電影。 或許現(xiàn)實(shí)中不可能瞬間下載完所有的視頻，但隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的其他潛在改進(jìn)，即使在短距離上每秒幾兆比特的中等跳躍也是值得關(guān)注的改進(jìn)。這些數(shù)據(jù)可以用于自動(dòng)駕駛汽車(chē)和未來(lái)的交通運(yùn)輸，它可以幫助教育、金融和電子商務(wù)等行業(yè)。最起碼，可以幫助我們實(shí)現(xiàn)更快的通信。

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  • 手機(jī)性能可以與電腦相提并論嗎？

    如今手機(jī)的使用率幾乎算是人手一部了，那為什么手機(jī)芯片的主頻和核心數(shù)跟電腦差不多，性能還是不及電腦呢? 在小米10系列發(fā)布的時(shí)候，小米曾經(jīng)做了一個(gè)實(shí)驗(yàn)和電腦來(lái)PK文件讀寫(xiě)速度，在高通驍龍865的加持之下，而且又有DDR5的內(nèi)存加持，就讓手機(jī)的讀取速度真正干過(guò)了電腦，那么目前對(duì)于手機(jī)有著手機(jī)獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，而且也非常強(qiáng)大，而且還能孕育出很多有趣的功能，最近我還看到小米手機(jī)竟然可以讓王者榮耀和吃雞游戲一起開(kāi)啟來(lái)玩，還是官方宣傳的，這個(gè)背后需要多么大的運(yùn)行速度加載! 而電腦的性能則是游戲性能也是最好的證明，當(dāng)然高配電腦還有個(gè)證明那就是對(duì)于視頻剪輯處理、3DMAX渲染，所以電腦主要的是多任務(wù)的解決能力!所以我覺(jué)得目前手機(jī)的性能和電腦的性能都足夠優(yōu)秀，這兩者又是不同領(lǐng)域的代表是沒(méi)有辦法進(jìn)行PK的。 但是如果說(shuō)手機(jī)虛擬成為windows系統(tǒng)，到底速度如何，可能有一些程度上不如電腦，這個(gè)也能理解，因?yàn)槲覀冊(cè)?jīng)說(shuō)過(guò)這樣的一句話(huà)，在電腦領(lǐng)域筆記本和臺(tái)式電腦方面，相同配置，筆記本是不占據(jù)優(yōu)勢(shì)的，因?yàn)榕_(tái)式電腦可以擁有良好的散熱性能擁有強(qiáng)大的空間來(lái)運(yùn)行，而筆記本卻是通過(guò)集成在主板上的，所以自然就在施展空間上有限。 那么再接著對(duì)比手機(jī)，這就相當(dāng)于把三組武功相同的武者來(lái)進(jìn)行PK，一組是在籃球場(chǎng)大小的擂臺(tái)上比武，而一組則是在乒乓球臺(tái)大小的擂臺(tái)上比武，而一組則是站立在木樁上比武，到底那一組更加占據(jù)優(yōu)勢(shì)?自然顯而易見(jiàn)了! 而在手機(jī)方面就相當(dāng)于CPU在木樁上比武的武者，而筆記本就相當(dāng)于在乒乓球臺(tái)子上比武一樣，而臺(tái)式電腦就相當(dāng)于處理器在籃球場(chǎng)上比武一樣，自然可以發(fā)揮的空間是完全不同的!不過(guò)話(huà)說(shuō)回來(lái)，現(xiàn)在也沒(méi)有人進(jìn)行這么對(duì)比了，因?yàn)殡娔X漸漸的已經(jīng)被用得很少了，除非是工作的人員或者必須要用電腦處理東西，或者通過(guò)電腦來(lái)享受電腦游戲的視覺(jué)沖擊力，才會(huì)有用電腦!不然很多看電影、學(xué)習(xí)、玩游戲、聽(tīng)音樂(lè)等等需求都可以在手機(jī)上完成了，所以自然而然手機(jī)的使用頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)的超過(guò)了電腦的使用頻率，所以目前的用戶(hù)群體差距顯而易見(jiàn)的就出來(lái)了。 總之，手機(jī)在移動(dòng)信息處理功能方面，使用率會(huì)高于電腦，但是，在性能、適用性、效率等方面，手機(jī)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到電腦辦公的程度。僅僅對(duì)于辦公文件的處理，電腦的文字輸入速度、編輯修改速度、實(shí)時(shí)多任務(wù)處理能力、存儲(chǔ)能力等，均是手機(jī)無(wú)法達(dá)到的。

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  • 我們?cè)撊绾伪苊庥脖P(pán)數(shù)據(jù)丟失？

    有時(shí)候我們存在硬盤(pán)里的數(shù)據(jù)莫名其妙的丟失，比如聊天記錄找不到了、錄像不見(jiàn)了、硬盤(pán)無(wú)法讀取、誤刪除、或者硬盤(pán)壞了把數(shù)據(jù)搞丟了的問(wèn)題。在使用電腦與手機(jī)的過(guò)程中我們都會(huì)遇到類(lèi)似問(wèn)題，所以關(guān)于數(shù)據(jù)安全的問(wèn)題每個(gè)人都應(yīng)該了解。 硬盤(pán)數(shù)據(jù)丟失都有哪些原因，如何避免呢? 人為原因 很多人的使用習(xí)慣不太好，看到硬盤(pán)上保存的文件不知道做什么用的，也沒(méi)看下級(jí)目錄里面有什么，感覺(jué)沒(méi)什么用或者干脆就是不喜歡就直接刪除了，有的時(shí)候很痛快直接就把分區(qū)給格式化了。 還有的在復(fù)制文件的過(guò)程中提示有同名文件沒(méi)有確認(rèn)是否是相同文件的情況下就進(jìn)行了覆蓋操作，還有一些人在機(jī)箱風(fēng)扇有異響之后拍了一下機(jī)箱聲音消失了，之后一有聲音就拍機(jī)箱導(dǎo)致硬盤(pán)損壞這種純?nèi)藶樵颉? 一般會(huì)表現(xiàn)為，操作系統(tǒng)文件丟失、無(wú)法正常啟動(dòng)系統(tǒng)、磁盤(pán)讀取錯(cuò)誤、找不到文件、文件讀取緩慢等。 環(huán)境原因 有些朋友的使用環(huán)境中電壓不穩(wěn)定或突然停電導(dǎo)致文件丟失，有極個(gè)別遭遇雷擊等自然災(zāi)害的情況。 軟件原因 在360殺毒軟件免費(fèi)之后，仿佛世界上的病毒少了不少，病毒一般會(huì)破壞硬盤(pán)零磁道，勒索病毒一般會(huì)把你的數(shù)據(jù)加密，有些軟件有硬盤(pán)邏輯鎖(有些非惡意軟件也有)。 還有一部分是軟件自身的Bug導(dǎo)致的數(shù)據(jù)丟失，一般常是一些小公司或者個(gè)人開(kāi)發(fā)者，大公司對(duì)數(shù)據(jù)的保護(hù)相對(duì)好一些。 一般表現(xiàn)為操作系統(tǒng)丟失，不能啟動(dòng)系統(tǒng)，讀寫(xiě)錯(cuò)誤文件打不開(kāi)，打開(kāi)出現(xiàn)亂碼，或者提示分區(qū)沒(méi)有格式化。使用DM軟件加鎖之后無(wú)法認(rèn)出硬盤(pán)等情況。 硬件原因 硬盤(pán)也是有壽命的，在硬盤(pán)使用幾年至十幾年之后(每個(gè)人的使用頻率不同)，慢慢地會(huì)出現(xiàn)存儲(chǔ)介質(zhì)老化、磁盤(pán)劃傷、磁頭變形、磁臂變形、芯片組或其他原件損壞等從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。 一般表現(xiàn)為，認(rèn)不出硬盤(pán)，可能還會(huì)有咔噠咔噠或哐當(dāng)哐當(dāng)?shù)穆曇?，或電機(jī)根本不轉(zhuǎn)，讀寫(xiě)錯(cuò)誤等問(wèn)題。 壞道性能變差讀寫(xiě)速度變慢，還會(huì)伴隨著異響等 如何避免 首先要養(yǎng)成好習(xí)慣，不要隨意刪除自己不認(rèn)識(shí)的不知道作用的文件，尤其是系統(tǒng)盤(pán)內(nèi)的文件。 有條件的建議配備UPS電池，防止雷電浪涌以及意外停電對(duì)硬盤(pán)的傷害，平時(shí)使用當(dāng)中不要在有重要數(shù)據(jù)的電腦上隨意下載軟件，以防軟件或者惡意程序問(wèn)題導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。 因此，對(duì)于重要數(shù)據(jù)我們一定要進(jìn)行異地備份，尤其是硬盤(pán)較老或者硬盤(pán)出現(xiàn)明顯異常等情況下。手機(jī)、電腦不要隨意清理，更不要清理自己看不懂的文件，操作之前先備份防范于未然。

    半導(dǎo)體 數(shù)據(jù) 電腦 硬盤(pán)

  • 電腦上涂抹導(dǎo)熱硅脂后，為什么CPU更熱了？

    導(dǎo)熱硅脂，又稱(chēng)散熱膏。具有良好的導(dǎo)熱、耐溫、絕緣性能，是耐熱器件理想的介質(zhì)材料。因此通常被用在電腦、三極管、整流器和顯卡、汽車(chē)電子以及傳感器、通信設(shè)備、LED燈和集成燈、電視中。電子器件使用導(dǎo)熱硅脂后，可以保持長(zhǎng)時(shí)間工作不變熱，幫助電子器件把多余的熱量傳導(dǎo)出去。那么為什么電腦涂抹導(dǎo)熱硅脂后更熱了? 電腦上涂抹導(dǎo)熱硅脂后，CPU溫度會(huì)處于平衡狀態(tài)，如果變得更熱，有以下兩種原因。 1、涂抹不正確。導(dǎo)熱硅脂在涂抹的時(shí)候只需要涂抹在發(fā)熱體和散熱設(shè)施的中間部位即可，邊緣部位如果有多余的，需要用紙巾或者無(wú)絨布擦拭干凈。而且厚度需要控制一張紙的厚度，而且還要均勻、不能有氣泡。 2、硅脂質(zhì)量差。購(gòu)買(mǎi)質(zhì)量差的導(dǎo)熱硅脂涂抹在電腦上就會(huì)出現(xiàn)更熱的現(xiàn)象。因?yàn)橘|(zhì)量差的導(dǎo)熱硅脂會(huì)出現(xiàn)油離，會(huì)出現(xiàn)固化，此時(shí)導(dǎo)熱性能就會(huì)變差。甚至有的一些不合格的導(dǎo)熱硅脂導(dǎo)熱指數(shù)就不達(dá)標(biāo)。 因此在購(gòu)買(mǎi)導(dǎo)熱硅脂的時(shí)候，需要觀(guān)察產(chǎn)品是否達(dá)到環(huán)保級(jí)別，是否是合格產(chǎn)品。為了安全起見(jiàn)，用戶(hù)可以和大品牌的公司合作，如柯斯摩爾，專(zhuān)注導(dǎo)熱硅脂的研究，提供定制化的導(dǎo)熱硅脂應(yīng)用解決方案，用途廣泛，能應(yīng)用于新能源、軍工、醫(yī)療、航空、船舶、電子、汽車(chē)、儀器、電源、高鐵等行業(yè)領(lǐng)域。這樣在導(dǎo)熱硅脂的質(zhì)量上有保證。 質(zhì)量好的導(dǎo)熱硅脂有什么特性? 質(zhì)量好的導(dǎo)熱硅脂可以放心用在電器或者其他電器、電子中。因?yàn)橘|(zhì)量好的導(dǎo)熱硅脂不但具備良好的導(dǎo)熱性能，還有絕緣性能，在高低溫變化的時(shí)候也不會(huì)發(fā)生性能變化，可以擴(kuò)大使用領(lǐng)域。 在涂抹導(dǎo)熱硅脂前一定要確保潤(rùn)滑部件表面的清潔干燥，確保注脂過(guò)程的清潔。并且一定要謹(jǐn)記不同品牌的潤(rùn)滑脂混用。

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  • IGBT功率半導(dǎo)體市場(chǎng)呈壟斷格局

    IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)和BJT(雙極型三極管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面優(yōu)點(diǎn)，具有驅(qū)動(dòng)功率小、壓降低和載流密度小等優(yōu)勢(shì)。 IGBT是公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命代表性產(chǎn)品，是工控及自動(dòng)化領(lǐng)域核心元器件，其作用類(lèi)似于心臟，能夠根據(jù)裝置中信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電壓、電流、頻率、相位等，被稱(chēng)為電力電子行業(yè)的“CPU”，主要分為工業(yè)級(jí)、軍用級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)三大類(lèi)，在軌道交通、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、家電、航空航天等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了廣泛應(yīng)用。按照電壓范圍，軌道交通、智能電網(wǎng)等主要應(yīng)用大容量高壓IGBT，而家電、新能源汽車(chē)等則應(yīng)用中低壓IGBT。 車(chē)規(guī)級(jí)IGBT有望成為最大的應(yīng)用市場(chǎng)，而新能源汽車(chē)又占據(jù)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)的近八成。在新能源汽車(chē)制造中，IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的50%，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車(chē)成本的15-20%，IGBT占到整車(chē)成本的7-10%。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球車(chē)規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)規(guī)模為58.36億美元，同比增長(zhǎng)11.1%，繼續(xù)維持穩(wěn)定高速增長(zhǎng)。我國(guó)是車(chē)規(guī)級(jí)IGBT的主要市場(chǎng)之一，約占全球的四分之一，2018年我國(guó)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT的市場(chǎng)規(guī)模約160億元，近五年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)20%。 目前IGBT市場(chǎng)主要為國(guó)外壟斷，根據(jù)HIS數(shù)據(jù)，2017年全球前十大IGBT模塊企業(yè)分別為英飛凌、三菱、富士電機(jī)、賽米控、安森美半導(dǎo)體、威科電子、丹佛斯、艾賽斯、日立、斯達(dá)半導(dǎo)，市場(chǎng)份額分別為22.4%、17.9%、9.0%、8.3%、6.9%、3.6%、2.7%、2.6%、2.2%、2.2%。前十強(qiáng)市場(chǎng)集中度接近80%，前五強(qiáng)市場(chǎng)集中度為64.5%，呈現(xiàn)寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。國(guó)內(nèi)方面，中車(chē)時(shí)代電氣制造了全球首條8英寸高壓IGBT芯片生產(chǎn)線(xiàn)，在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、制造及裝車(chē)應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。比亞迪發(fā)布了IGBT4.0技術(shù)，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)貫通新能源汽車(chē)IGBT芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、仿真測(cè)試以及整車(chē)測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，目前正在長(zhǎng)沙建設(shè)25萬(wàn)片8英寸新能源汽車(chē)電子芯片生產(chǎn)線(xiàn)。斯達(dá)半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)唯一進(jìn)入全球前十的IGBT模塊廠(chǎng)商，具備國(guó)際主流IGBT(第六代)IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片的能力，是國(guó)內(nèi)IGBT行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。 IGBT經(jīng)過(guò)30年的發(fā)展，已發(fā)展到第七代技術(shù)。三菱推出的第七代采用了一體化基板和樹(shù)脂直接灌封的SLC技術(shù)，并優(yōu)化了一體化基板中的絕緣材料和灌封的樹(shù)脂材料，模塊的熱循環(huán)壽命和功率循環(huán)壽命得到極大的提升。新材料、新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)將成為IGBT技術(shù)發(fā)展的主要趨勢(shì)。新材料的突破表現(xiàn)為采取碳化硅、氮化鎵等第三代寬禁帶半導(dǎo)體，碳化硅已在1200V以上高壓模塊中使用，且取得了良好效應(yīng)。新技術(shù)的突破表現(xiàn)為封裝工藝和集成技術(shù)，比如雙面焊接、高溫塑封工藝、雙面散熱技術(shù)等及集成式輪轂電機(jī)等。新結(jié)構(gòu)的突破表現(xiàn)為微溝槽柵結(jié)構(gòu)的溝道密度、體積等。 IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端，輸變電端及用電端。在新能源領(lǐng)域，中國(guó)已成為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的第一大國(guó)，意味著中國(guó)新能源市場(chǎng)蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。

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  • 三代半導(dǎo)體材料之間的區(qū)別？

    半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段，那么有網(wǎng)友有疑問(wèn)：第三代半導(dǎo)體材料誕生之后，第一代和第二代半導(dǎo)體材料還在發(fā)揮作用嗎?以及第三代半導(dǎo)體相較第一代、第二代有哪些進(jìn)步?這三代半導(dǎo)體之間有什么技術(shù)區(qū)別?為何氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在第三代半導(dǎo)體中備受追捧? 第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體原料; 第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表; 第三階段是以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、硒化鋅(ZnSe)等寬帶半導(dǎo)體原料為主。 半導(dǎo)體材料與器件發(fā)展史 在材料領(lǐng)域的第一代，第二代，第三代并不具有“后一代優(yōu)于前一代”的說(shuō)法。國(guó)外一般會(huì)把氮化鎵、碳化硅等材料叫做寬禁帶半導(dǎo)體;把氮化鎵、氮化鋁、氮化銦和他們的混晶材料成為氮化物半導(dǎo)體、或者把氮化鎵、砷化鎵、磷化銦成為III-V族半導(dǎo)體。我國(guó)采用的第三代半導(dǎo)體材料的說(shuō)法是與人類(lèi)歷史上的由半導(dǎo)體材料大規(guī)模應(yīng)用帶來(lái)的三次產(chǎn)業(yè)革命相對(duì)應(yīng)。目前，第三代半導(dǎo)體正在高速發(fā)展，第一、二代半導(dǎo)體也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用，發(fā)揮第三代半導(dǎo)體無(wú)法替代的作用。 第一代半導(dǎo)體材料 興起時(shí)間：二十世紀(jì)五十年代; 代表材料：硅(Si)、鍺元素(Ge)半導(dǎo)體材料。 歷史意義：第一代半導(dǎo)體材料引發(fā)了集成電路(IC)為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。 由于硅材料的帶隙較窄、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)較低，Si 在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用受到諸多限制。但第一代半導(dǎo)體具有技術(shù)成熟度較高且具有成本優(yōu)勢(shì)，仍廣泛應(yīng)用在電子信息領(lǐng)域及新能源、硅光伏產(chǎn)業(yè)中。 硅在光伏領(lǐng)域應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈 第二代半導(dǎo)體材料 興起時(shí)間：20世紀(jì)九十年代以來(lái),隨著移動(dòng)通信的飛速發(fā)展、以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起,以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料開(kāi)始嶄露頭角。 代表材料：第二代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體;如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導(dǎo)體(又稱(chēng)非晶態(tài)半導(dǎo)體)，如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體;有機(jī)半導(dǎo)體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。 性能特點(diǎn)：以砷化鎵為例，相比于第一代半導(dǎo)體，砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，因此廣泛應(yīng)用在主流的商用無(wú)線(xiàn)通信、光通訊以及國(guó)防軍工用途上。 歷史意義：第二代半導(dǎo)體材料主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。因信息高速公路和互聯(lián)網(wǎng)的興起，還被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊、光通信和GPS導(dǎo)航等領(lǐng)域。如相比于第一代半導(dǎo)體，砷化鎵(GaAs)能夠應(yīng)用在光電子領(lǐng)域，尤其在紅外激光器和高亮度的紅光二極管等方面。 從21世紀(jì)開(kāi)始，智能手機(jī)、新能源汽車(chē)、機(jī)器人等新興的電子科技發(fā)展迅速，同時(shí)全球能源和環(huán)境危機(jī)突出，能源利用趨向低功耗和精細(xì)管理，傳統(tǒng)的第一、二代半導(dǎo)體材料由于自身的性能限制已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足科技的需求，這就呼喚需要出現(xiàn)新的材料來(lái)進(jìn)行替代。 第三代半導(dǎo)體材料 起源時(shí)間：美國(guó)早在1993年就已經(jīng)研制出第一支氮化鎵的材料和器件，而我國(guó)最早的研究隊(duì)伍——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在1995年也起步該方面的研究，并于2000年做出HEMT結(jié)構(gòu)材料。 代表材料：第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(Eg》2.3eV)半導(dǎo)體材料。 發(fā)展現(xiàn)狀：在5G通信、新能源汽車(chē)、光伏逆變器等應(yīng)用需求的明確牽引下，目前，應(yīng)用領(lǐng)域的頭部企業(yè)已開(kāi)始使用第三代半導(dǎo)體技術(shù)，也進(jìn)一步提振了行業(yè)信心和堅(jiān)定對(duì)第三代半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)的投資。 性能分析：與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度(>2.2eV)、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、大功率及抗輻射器件，可廣泛應(yīng)用在高壓、高頻、高溫以及高可靠性等領(lǐng)域，包括射頻通信、雷達(dá)、衛(wèi)星、電源管理、汽車(chē)電子、工業(yè)電力電子等。 半導(dǎo)體主要材料及應(yīng)用 第三代半導(dǎo)體中，SiC 與 GaN 相比較，前者相對(duì) GaN 發(fā)展更早一些，技術(shù)成熟度也更高一些;兩者有一個(gè)很大的區(qū)別是熱導(dǎo)率，這使得在高功率應(yīng)用中，SiC占據(jù)統(tǒng)治地位;同時(shí)由于GaN具有更高的電子遷移率，因而能夠比SiC 或Si 具有更高的開(kāi)關(guān)速度，在高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，GaN具備優(yōu)勢(shì)。 從下表常用的“優(yōu)值(Figure of Merit, FOM)”可以清晰地看出，SiC和GaN相較于前兩代半導(dǎo)體材料在功能與特性上有了巨大的提升。 GaN和SiC在材料性能上各有優(yōu)劣，因此在應(yīng)用領(lǐng)域上各有側(cè)重和互補(bǔ)。如GaN的高頻Baliga優(yōu)值顯著高于SiC，因此GaN的優(yōu)勢(shì)在高頻小電力領(lǐng)域，集中在1000V以下，例如通信基站、毫米波等。SiC的Keye優(yōu)值顯著高于GaN，因此SiC的優(yōu)勢(shì)在高溫和1200V以上的大電力領(lǐng)域，包括電力、高鐵、電動(dòng)車(chē)、工業(yè)電機(jī)等。在中低頻、中低功率領(lǐng)域，GaN和SiC都可以應(yīng)用，與傳統(tǒng)Si基器件競(jìng)爭(zhēng)。 第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN) GaN器件主要包括射頻器件、電力電子功率器件、以及光電器件三類(lèi)。GaN的商業(yè)化應(yīng)用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直接帶隙特性和光譜特性，相關(guān)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)發(fā)展的非常成熟。射頻器件和功率器件是發(fā)揮GaN寬禁帶半導(dǎo)體特性的主要應(yīng)用領(lǐng)域. 應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：體積小、高頻高功率、低能耗速度快;5G通信將是GaN射頻器件市場(chǎng)的主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素。 5G基站會(huì)用到多發(fā)多收天線(xiàn)陣列方案，GaN射頻器件對(duì)于整個(gè)天線(xiàn)系統(tǒng)的功耗和尺寸都有巨大的改進(jìn)。在高功率，高頻率射頻應(yīng)用中，獲得更高的帶寬、更快的傳輸速率，以及更低的系統(tǒng)功耗此外，GaN射頻功率晶體管，可作為新的固態(tài)能量微波源，替代傳統(tǒng)的2.45GHz磁控管，應(yīng)用于從微波爐到高功率焊接機(jī)等消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域。 2017年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為327億美元，預(yù)計(jì)到2022年達(dá)到426億美元。工業(yè)、汽車(chē)、無(wú)線(xiàn)通訊和消費(fèi)電子是前四大終端市場(chǎng)。 第三代半導(dǎo)體-碳化硅(SiC) SiC從上世紀(jì)70年代開(kāi)始研發(fā)。2001年SiCSBD商用，2010年SiCMOSFET商用。SiCIGBT目前還在研發(fā)中。SiC能大大降低功率轉(zhuǎn)換中的開(kāi)關(guān)損耗，因此具有更好的能源轉(zhuǎn)換效率，更容易實(shí)現(xiàn)模塊的小型化，更耐高溫。 SiC功率器件的主要應(yīng)用：智能電網(wǎng)、交通、新能源汽車(chē)、光伏、風(fēng)電;新能源汽車(chē)是SiC功率器件市場(chǎng)的主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素。目前SiC器件在新能源車(chē)上應(yīng)用主要是功率控制單元(PCU)、逆變器，DC-DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器等方面。 2017年全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)總額達(dá)3.99億美元。預(yù)計(jì)到2023年，SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)總額將達(dá)16.44億美元。 第一、二代半導(dǎo)體技術(shù)長(zhǎng)期共存：現(xiàn)階段是第一、二、三代半導(dǎo)體材料均在廣泛使用的階段。為什么第二代的出現(xiàn)沒(méi)有取代第一代呢?第三代半導(dǎo)體是否可以全面取代傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料呢? 那是因?yàn)镾i和化合物半導(dǎo)體是兩種互補(bǔ)的材料，化合物的某些性能優(yōu)點(diǎn)彌補(bǔ)了Si晶體的缺點(diǎn)，而Si晶體的生產(chǎn)工藝又明顯的有不可取代的優(yōu)勢(shì)，且兩者在應(yīng)用領(lǐng)域都有一定的局限性，因此在半導(dǎo)體的應(yīng)用上常常采用兼容手段將這二者兼容，取各自的優(yōu)點(diǎn)，從而生產(chǎn)出符合更高要求的產(chǎn)品，如高可靠、高速度的國(guó)防軍事產(chǎn)品。因此第一、二代是一種長(zhǎng)期共同的狀態(tài)。 第三代有望全面取代：第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，可以被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，消費(fèi)電子、照明、新能源汽車(chē)、導(dǎo)彈、衛(wèi)星等，且具備眾多的優(yōu)良性能可突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，故被市場(chǎng)看好的同時(shí)，隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導(dǎo)體材料。 新基建為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠(chǎng)商提供巨大發(fā)展機(jī)遇：我國(guó)在第三半導(dǎo)體材料上的起步比較晚，且相對(duì)國(guó)外的技術(shù)水平較低。這是一次彎道超車(chē)的機(jī)會(huì)，但是我國(guó)需要面對(duì)的困難和挑戰(zhàn)還是很多的。 4月20日，國(guó)家發(fā)改委首次官宣“新基建”的范圍，正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等七大領(lǐng)域的發(fā)展方向。“新基建”作為新興產(chǎn)業(yè)，一端連接著不斷升級(jí)的消費(fèi)市場(chǎng)，另一端連接著飛速發(fā)展的科技創(chuàng)新。以碳化硅(SiC)以及IGBT為核心的功率半導(dǎo)體，支撐著新能源汽車(chē)、充電樁、基站/數(shù)據(jù)中心電源、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)的建設(shè);以AI芯片為核心的SOC芯片，支撐著數(shù)據(jù)中心、人工智能系統(tǒng)的建設(shè)。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為首的第三代半導(dǎo)體是支持“新基建”的核心材料。在“新基建”與國(guó)產(chǎn)替代的加持下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠(chǎng)商將迎來(lái)巨大的發(fā)展機(jī)遇。

    半導(dǎo)體 碳化硅 半導(dǎo)體材料 氮化鎵

  • SiC晶圓激光切割技術(shù)

    常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料，主要由硅、鍺、硒等;化合物半導(dǎo)體分為二元系、三元系、多元系和有機(jī)化合物半導(dǎo)體。 自1960年代起，以硅為標(biāo)志的第一代半導(dǎo)體材料一直是半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)品中使用最多的材料，由于其在通常條件下具備良好的穩(wěn)定性，硅襯底一直被廣泛使用于集成電路芯片領(lǐng)域;但硅襯底在光電應(yīng)用領(lǐng)域、高頻高功率應(yīng)用領(lǐng)域中存在材料性能不足的缺點(diǎn)，因此以光通訊為代表的行業(yè)開(kāi)始使用GaAs和、InP等二代半導(dǎo)體材料作為器件襯底。 SiC和GaN為代表的寬禁帶寬度材料(Eg≥2.3eV)則被稱(chēng)之為第三代半導(dǎo)體材料。除了寬禁帶寬度的特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體的主要特點(diǎn)在于高擊穿電壓、高熱傳導(dǎo)率、高飽和電子濃度以及高耐輻射能力，這些特性決定了第三代半導(dǎo)體材料在眾多嚴(yán)酷環(huán)境中也能正常工作。SiC作為第三代半導(dǎo)體中的代表材料，可以應(yīng)用于各種領(lǐng)域的高電壓環(huán)境中，包括汽車(chē)、能源、運(yùn)輸、消費(fèi)類(lèi)電子等。據(jù)預(yù)測(cè)，到2025年全球SiC市場(chǎng)將會(huì)增加到60.4億美元(ResearchAndMarkets.com)。 第三代半導(dǎo)體SiC晶圓的激光內(nèi)部改質(zhì)切割技術(shù) SiC晶圓傳統(tǒng)上采用刀輪進(jìn)行切割，但由于SiC的Mohs硬度達(dá)到了9以上，需要選用相對(duì)昂貴的金剛石材質(zhì)作為刀輪，且刀輪耗材的使用壽命也大大減小。正因?yàn)镾iC擁有較高的機(jī)械強(qiáng)度，使得刀輪耗材的成本更高、切割效率極低。 目前激光切割SiC晶圓的方案為激光內(nèi)部改質(zhì)切割，其原理為激光在SiC晶圓內(nèi)部聚焦，在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層后，配合裂片進(jìn)行晶粒分離。SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度在3.2eV左右，這也意味著材料表面的對(duì)于大部分波長(zhǎng)的吸收率很低，使得SiC晶圓與激光內(nèi)部改質(zhì)切割擁有絕佳的相匹配性。 激光切割難點(diǎn)與技術(shù)突破 由于碳化硅自然界中擁有多態(tài)(Polymorphs)，例如3C-SiC，4H-SiC，6H-SiC等，其中六方晶系的碳化硅理論上有無(wú)數(shù)種多態(tài)可能性。目前行業(yè)內(nèi)選用的碳化硅多態(tài)為4H-SiC。為了獲得想要的低缺陷4H-SiC，SiC晶圓通常需要以4°偏軸在種子晶格上進(jìn)行晶錠生長(zhǎng)。因此，在切割垂直晶圓平邊的方向時(shí)，裂紋會(huì)與C面軸向[0001]產(chǎn)生4°偏角。使用普通激光切割設(shè)備進(jìn)行切割時(shí)，4°的偏角會(huì)使材料裂開(kāi)變得困難，從而使得最終該方向產(chǎn)生嚴(yán)重崩邊(chipping)和切割痕跡蜿蜒(meandering)。 大族顯視與半導(dǎo)體自主研發(fā)的第三代半導(dǎo)體SiC晶圓激光內(nèi)部改質(zhì)切割設(shè)備(圖六)，針對(duì)晶格結(jié)構(gòu)的方向，對(duì)激光器和光路系統(tǒng)進(jìn)行了升級(jí)，配合精準(zhǔn)的平臺(tái)移動(dòng)和焦點(diǎn)能量密度控制;針對(duì)SiC的晶體學(xué)特性壓制了材料的斜裂，從而在垂直平邊的切割方向也能獲得優(yōu)秀的效果，最終產(chǎn)品晶粒兩個(gè)方向均無(wú)崩邊、無(wú)碎屑、無(wú)雙晶、無(wú)可見(jiàn)蜿蜒(能控制在1μm以?xún)?nèi))。 該設(shè)備為國(guó)內(nèi)首臺(tái)第三代半導(dǎo)體SiC晶圓激光內(nèi)部改質(zhì)切割設(shè)備。自2015年開(kāi)始，大族顯視與半導(dǎo)體配合半導(dǎo)體行業(yè)客戶(hù)需求，自主研發(fā)并生產(chǎn)了該設(shè)備，打破了國(guó)外技術(shù)壟斷，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白。該技術(shù)自成型以來(lái)，已形成批量銷(xiāo)售，大族顯視與半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)以激光切割設(shè)備為核心在多個(gè)客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)提供整套的碳化硅切割解決方案，備受客戶(hù)贊譽(yù)。 SiC高頻、耐高電壓、耐高溫等顯著優(yōu)勢(shì)，必將崛起成為5G時(shí)代的半導(dǎo)體材料明日之星。而隨著SiC市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大，SiC必將成為市場(chǎng)焦點(diǎn)，SiC晶圓加工行業(yè)更面臨著巨大的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。大族顯視與半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體晶圓激光切割領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，將不斷創(chuàng)新、研發(fā)，為半導(dǎo)體行業(yè)提供最專(zhuān)業(yè)的激光加工設(shè)備及方案。

    半導(dǎo)體 碳化硅 激光切割 半導(dǎo)體

  • 電磁加熱器的逆變電路特性及溫度保護(hù)

    電磁加熱器，是如今工業(yè)領(lǐng)域和民用設(shè)備中最廣泛的一種加熱方式，采用電磁感應(yīng)加熱技術(shù)，是國(guó)家提倡的一種環(huán)保的加熱方案。然而也有朋友有疑問(wèn)：電磁加熱器IGBT逆變電路特性及溫度保護(hù)是什么?今天來(lái)介紹一下電磁加熱器，首先介紹一下電磁加熱器IGBT逆變電路特性。 一、電磁加熱器IGBT逆變電路特性 IGBT( (nsulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管，是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS和BJT(雙極型三極管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，它不僅有GTR特點(diǎn)：低導(dǎo)通壓降，也有MOSFET的特點(diǎn)：高輸入阻抗，兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 MOSFET的特點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度快，驅(qū)動(dòng)能力小，載流密度小，但導(dǎo)通壓降大;GTR的特點(diǎn)：載流密度大，飽和壓降低，但驅(qū)動(dòng)電流大。IGBT正是集中了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)。因此該器件十分適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 要使管導(dǎo)通，則應(yīng)在此管的柵極G和發(fā)射極E之間加上導(dǎo)通電壓，這樣PNP晶體管的基極B與集電極C之間的阻抗值的大小將變得比較低，晶體管就得以導(dǎo)通;若要使此管截止，切斷此管E端的電流，則要在IGBT的發(fā)射極和柵極之間加上0V電壓。IGBT與場(chǎng)效應(yīng)管樣也是電壓控制型半導(dǎo)體器件，而且此晶體管的驅(qū)動(dòng)電流很小，只要在它的G極和E極之間加上十幾伏的電壓，然后當(dāng)漏電流流過(guò)時(shí)就可以驅(qū)動(dòng)，基本上不消耗功率。 當(dāng)加在IGBT的G端與E端的驅(qū)動(dòng)電壓比較低時(shí)，則此芯片就不能正常的運(yùn)作，但當(dāng)加在芯片上的電壓過(guò)高超過(guò)它的耐壓值時(shí)，則芯片將被永久性破壞;同理，當(dāng)加在芯片的C端與E端的電壓過(guò)高，超過(guò)它的耐壓幅值時(shí)，此時(shí)流過(guò)芯片C端一E端的電流就將超過(guò)允許電流的最大值，芯片工作的溫度將超過(guò)其允許的溫度，芯片也將被永久的破壞。 二、電磁加熱器溫度保護(hù) 溫度保護(hù)也就是功率模塊的過(guò)熱保護(hù)。IGBT工作時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗會(huì)引起器件溫度的升高，當(dāng)溫度超過(guò)IGBT的允許最高溫度時(shí)，電子器件的許多性能和參數(shù)也會(huì)隨之改變，甚至溫度過(guò)高會(huì)損壞這些元器件。如果在溫度達(dá)到最高值之前將其關(guān)閉，使元器件的溫度不在上升，則就可以起到保護(hù)作用。在保護(hù)電路中，我們使用到熱敏電阻傳感器，在檢測(cè)溫度過(guò)程中，單片機(jī)會(huì)隨時(shí)讀取溫度，當(dāng)檢測(cè)到的溫度值超過(guò)預(yù)定值時(shí)，系統(tǒng)會(huì)發(fā)出一個(gè)報(bào)警信號(hào)，并關(guān)斷輸出脈沖，使系統(tǒng)入重啟動(dòng)狀態(tài)。 電磁加熱器是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)化為熱能的裝置，是隨時(shí)代發(fā)展需求而涌現(xiàn)的新型節(jié)能產(chǎn)品，較傳統(tǒng)工業(yè)加熱，可以說(shuō)是一次技術(shù)大變革。

    半導(dǎo)體 晶體管 igbt 電磁加熱器

  • 聯(lián)發(fā)科5G芯片上位，國(guó)產(chǎn)手機(jī)趁勢(shì)崛起

    我們最常見(jiàn)的處理器無(wú)非是高通驍龍、蘋(píng)果A系列處理器以及華為自主研發(fā)的麒麟系列處理器，而在安卓智能手機(jī)中，高通驍龍、聯(lián)發(fā)科、三星Exynos、華為海思麒麟等四大主流芯片陣營(yíng)。我國(guó)國(guó)產(chǎn)品牌基本上是高通驍龍占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，然后為華為麒麟、聯(lián)發(fā)科以及三星三分天下。 但是，在今年卻發(fā)生了翻天覆地式的改變。以最近剛剛發(fā)布的一些新機(jī)為例，Redmi 10X全球首發(fā)搭載聯(lián)發(fā)科天璣810、IQOO Z1則首發(fā)搭載聯(lián)發(fā)科天璣1000+、Vivo也和三星合作推出Exynos980處理器機(jī)型，可以說(shuō)除了主流旗艦機(jī)仍在使用高通驍龍865之外，中高端機(jī)型大家在今年都用上了聯(lián)發(fā)科和三星，而傳統(tǒng)首選芯片高通驍龍765G則慘遭拋棄。 這是什么原因造成的呢?很簡(jiǎn)單，聯(lián)發(fā)科和三星的芯片太給力了。華為毫無(wú)疑問(wèn)是目前安卓陣營(yíng)中的“老大哥”，大家都在奮力追趕并意圖超越它，而華為手機(jī)最核心明顯的優(yōu)勢(shì)就是搭載自主研發(fā)的海思麒麟芯片。在今年5G普及時(shí)代，華為推出了定位中端的麒麟820 5G雙模芯片，在性能上實(shí)現(xiàn)了對(duì)高通驍龍765G的碾壓，并且搭載麒麟820芯片的榮耀X10起步價(jià)才1999元，價(jià)格又很低。 這就給其他國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商造成了很大壓力，繼續(xù)使用高通驍龍765G芯片不僅性能打不過(guò)華為，并且成本還很高，價(jià)格也壓不下來(lái)。因此，伴隨5G時(shí)代重新發(fā)力的聯(lián)發(fā)科和三星則成為了更好的選擇。聯(lián)發(fā)科在今年推出了天璣1000+旗艦級(jí)芯片、天璣1000高端芯片、以及天璣820中端芯片。 其中，天璣1000+采用7nm工藝制程，集成式5G基帶，CPU架構(gòu)由4顆A77大核心+4顆A55小核心共同組成，GPU則是Mail-G77 MC9，支持最高144Hz屏幕刷新率和LPDDR5存儲(chǔ)。同時(shí)還是全球首款支持5G+5G雙卡雙待的旗艦芯片。雖然在性能跑分上略微落后于高通驍龍865，但仍然是旗艦級(jí)工藝、基帶、以及硬件規(guī)格。 性能落后靠性?xún)r(jià)比來(lái)彌補(bǔ)。同樣的定位于旗艦級(jí)別的5G芯片機(jī)型，像上半年的高通驍龍865國(guó)產(chǎn)機(jī)普遍售價(jià)都接近4000元，一些3000多元的產(chǎn)品在其他硬件配置上閹割嚴(yán)重。相比之下，首發(fā)搭載天璣1000+的IQOO Z1起步價(jià)才2198元，支持144Hz屏幕、44W快充、WiFi6、4800萬(wàn)三攝等主流配置，性?xún)r(jià)比簡(jiǎn)直是喪心病狂。 在中端芯片戰(zhàn)場(chǎng)上，天璣820的出現(xiàn)也一舉搶走了輸于麒麟820芯片的“中端性能最強(qiáng)”稱(chēng)號(hào)。兩款芯片都是A76+A55八核心CPU，天璣820上4顆A76均為大核心，而麒麟820芯片僅一顆A76大核心，3顆A76中核心，因此在最終性能跑分結(jié)果上，聯(lián)發(fā)科高達(dá)41W分，華為麒麟為37W分，高通驍龍765G更是才不到32W分。另外，天璣820在三者當(dāng)中也是唯一支持5G+5G雙卡雙待的中端芯片。 國(guó)產(chǎn)5G手機(jī)的春天終于要來(lái)了 總之，5G時(shí)代的到來(lái)為手機(jī)處理器帶來(lái)了重新洗牌的機(jī)會(huì)，華為卡住了高通的軟肋，聯(lián)發(fā)科則“螳螂捕蟬，黃雀在后”。對(duì)于消費(fèi)者而言，打破市場(chǎng)壟斷，這樣的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)必將會(huì)使高性能5G手機(jī)降價(jià)，想必這是我們很樂(lè)意看到的。

    半導(dǎo)體 國(guó)產(chǎn) 聯(lián)發(fā)科

  • OPPO開(kāi)始“造芯”，由一枝獨(dú)秀走向百花齊放

    芯片作為科技行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的第一要素，始終都是各個(gè)國(guó)家著重發(fā)展的一項(xiàng)技術(shù)，芯片屬于半導(dǎo)體行業(yè)，在我們生活中扮演著重要角色。而目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)主要由美國(guó)、韓國(guó)以及中國(guó)臺(tái)灣領(lǐng)導(dǎo)。在全球制造業(yè)領(lǐng)域，半導(dǎo)體制造高門(mén)檻、高投入、高收入，其更是我國(guó)由制造業(yè)大國(guó)轉(zhuǎn)向制造業(yè)強(qiáng)國(guó)必須跨過(guò)的坎。 國(guó)產(chǎn)科技發(fā)展之時(shí)，卻迎來(lái)意外挫折 當(dāng)然，我國(guó)這些年來(lái)在半導(dǎo)體方面也不含糊，華為、紫光、中芯等企業(yè)在芯片方面的成績(jī)已經(jīng)比之前優(yōu)秀太多，雖然整體實(shí)力比不上三星、高通等企業(yè)，但對(duì)于我們自己來(lái)說(shuō)，進(jìn)步已經(jīng)相當(dāng)大了。不過(guò)就在國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體蓬勃發(fā)展的時(shí)候，一個(gè)消息的出現(xiàn)，卻打亂了我們的計(jì)劃。 特朗普對(duì)國(guó)產(chǎn)企業(yè)華為的打壓再次加重，這次的打壓是從根源斷供，也就是技術(shù)方面。特朗普不顧半導(dǎo)體行業(yè)的整體局勢(shì)，一意孤行打壓華為，這一點(diǎn)還是讓很多人都始料未及的，畢竟這個(gè)“狠招”一經(jīng)出現(xiàn)，影響的不僅僅只是華為，其中還包括了半導(dǎo)體行業(yè)中的其他企業(yè)，范圍可謂是相當(dāng)?shù)凝嫶蟆? 又一個(gè)國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商傳來(lái)好消息，芯片自主化在路上 在華為備受打壓的時(shí)候，其他企業(yè)也都沒(méi)有閑著，甚至還有一些國(guó)產(chǎn)企業(yè)通過(guò)華為事件也意識(shí)到了自己的芯片危機(jī)，開(kāi)始在芯片自主化上做出了改變，這家國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商就是我們熟悉的OPPO。 很多人第一時(shí)間聽(tīng)到OPPO開(kāi)始造芯，可能都感到一臉的不相信，畢竟OPPO可是出了名的“低配高價(jià)”代表，一直以來(lái)都只注重線(xiàn)下銷(xiāo)售和明星代言，指望OPPO能自研芯片，豈不是在開(kāi)玩笑? 其實(shí)這次還真的不是開(kāi)玩笑，其實(shí)早在去年的時(shí)候，我們就曾聽(tīng)說(shuō)過(guò)OPPO打算進(jìn)軍芯片領(lǐng)域，并且也已經(jīng)注冊(cè)了公司，公司所涉及的業(yè)務(wù)就包括了半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)，所以說(shuō)OPPO研發(fā)芯片并不是一時(shí)間的心血來(lái)潮。而近日根據(jù)相關(guān)消息表示，OPPO已經(jīng)在臺(tái)灣成立了芯片設(shè)計(jì)部門(mén)，其中還包括了一些聯(lián)發(fā)科的老員工，足以見(jiàn)得OPPO現(xiàn)在已經(jīng)正式開(kāi)始“造芯”了。 不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎能見(jiàn)得彩虹 不難想象，國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商O(píng)PPO開(kāi)始自研芯片這條艱難無(wú)比的道路，前期肯定會(huì)十分困難，因?yàn)椴还苁侨A為、高通還是蘋(píng)果，在剛開(kāi)始設(shè)計(jì)芯片的時(shí)候都有過(guò)困難和挫折，只不過(guò)它們堅(jiān)持了下來(lái)。所以O(shè)PPO自研芯片肯定也不可避免地會(huì)遇到一些挫折和困難，只有無(wú)懼困難和挫折，才是自研芯片成功的大前提。 從國(guó)內(nèi)智能手機(jī)市場(chǎng)發(fā)展到現(xiàn)在，我們對(duì)于美國(guó)企業(yè)的依賴(lài)過(guò)于嚴(yán)重，只有華為在自研芯片方面堅(jiān)持了下來(lái)，而如今我們也希望OPPO同樣能夠堅(jiān)持下來(lái)，這樣我國(guó)手機(jī)行業(yè)就不會(huì)再受限于人，不會(huì)再成為美國(guó)打壓我們的“突破口”，同時(shí)華為也不會(huì)再孤軍奮戰(zhàn)了。 由一枝獨(dú)秀走向百花齊放，或許不是很容易，但是華為最先邁開(kāi)第一步，OPPO緊跟其后，相信我國(guó)國(guó)有產(chǎn)業(yè)也必將隨之加快造芯進(jìn)度。讓世界見(jiàn)識(shí)我國(guó)國(guó)產(chǎn)企業(yè)實(shí)力，華為必將可以挺過(guò)難關(guān)“打不倒的，終將使我們更強(qiáng)大”。

    半導(dǎo)體 華為 oppo 造芯

  • 中芯國(guó)際會(huì)受到美國(guó)全球限令的影響嗎？

    美國(guó)對(duì)中興和華為“圍追堵截”，并且華為直面美國(guó)威脅。美在全球限制華為芯片領(lǐng)域中的技術(shù)合作發(fā)展，只要是含有美國(guó)技術(shù)在與華為合作之前都要向美國(guó)政府申請(qǐng)?jiān)S可證。意味著華為在海外的芯片代工基本上癱瘓，那么在此情況下，華為唯一能夠擁抱的中芯國(guó)際有沒(méi)有受限的技術(shù)和設(shè)備呢?如果有，那么我國(guó)中芯國(guó)際也需要向美國(guó)申請(qǐng)審批嗎? 這就要從中芯國(guó)際的創(chuàng)始人說(shuō)起了，早前我國(guó)中芯國(guó)際就曾因?yàn)槭褂昧伺_(tái)積電的相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利而受到臺(tái)積電的起訴，并且付出了1.75億美元的代價(jià)。在美國(guó)的德州儀器工作了二十多年的張汝京，回國(guó)后在臺(tái)灣創(chuàng)建了世大半導(dǎo)體企業(yè)，并且在德州儀器的幫助下迅速成長(zhǎng)。但是世大半導(dǎo)體的成長(zhǎng)速度影響到了臺(tái)積電的發(fā)展，臺(tái)積電對(duì)世大啟用了系列手段最后臺(tái)積電將世大半導(dǎo)體收入囊中，張汝京的創(chuàng)業(yè)也宣告失敗。 在失敗后張汝京并沒(méi)有選擇放棄，而是回到國(guó)內(nèi)創(chuàng)立了中芯國(guó)際，憑借著多年在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的經(jīng)驗(yàn)，中芯國(guó)際也在他的手中迅速成長(zhǎng)了起來(lái)。也正因此臺(tái)積電再次對(duì)張汝京動(dòng)手，以專(zhuān)利技術(shù)問(wèn)題起訴中芯國(guó)際，為了保全中芯國(guó)際，創(chuàng)始人張汝京離開(kāi)了中芯國(guó)際。從張汝京的第一次創(chuàng)業(yè)中，我們能夠知道世大其實(shí)是在德州儀器的扶持下迅速發(fā)展的，因此持有美國(guó)的技術(shù)和設(shè)備是必定的。而在張汝京第二次創(chuàng)業(yè)中，臺(tái)積電以專(zhuān)利問(wèn)題起訴中芯國(guó)際，因此在中芯國(guó)際中肯定會(huì)有部分美國(guó)的技術(shù)和儀器存在。 但是美國(guó)的技術(shù)和儀器，現(xiàn)如今在中芯國(guó)際中的使用率已經(jīng)在下降，中芯國(guó)際不會(huì)受到美國(guó)技術(shù)和設(shè)備的限制。并且我們完全可以相信中芯國(guó)際能夠?qū)⒚绹?guó)技術(shù)和設(shè)備降低到10%以下，從而做到不需要美國(guó)的審批!隨著訂單增加，中芯國(guó)際的發(fā)展必將會(huì)越來(lái)越快，距離國(guó)際頂尖技術(shù)必會(huì)越來(lái)越近。

    半導(dǎo)體 華為 中芯國(guó)際 代工

  • 華為被美禁用，中國(guó)為何不能禁用蘋(píng)果？

    關(guān)于華為手機(jī)與蘋(píng)果手機(jī)，很多人選擇支持國(guó)產(chǎn)，助力我國(guó)科技發(fā)展。面對(duì)最近中美技術(shù)戰(zhàn)持續(xù)升級(jí)，華為在芯片領(lǐng)域的發(fā)展陷入危機(jī)，而我國(guó)芯片領(lǐng)域的問(wèn)題更是迫在眉睫。 在這場(chǎng)技術(shù)戰(zhàn)中，肯定會(huì)有很多小伙伴對(duì)一個(gè)問(wèn)題十分疑惑。那就是為什么美國(guó)能禁用華為，中國(guó)不能禁用蘋(píng)果?現(xiàn)在小編來(lái)為大家做一下中美技術(shù)戰(zhàn)解答，其實(shí)在這場(chǎng)中美技術(shù)戰(zhàn)中，我國(guó)華為雖然能夠生產(chǎn)出完全“無(wú)美化”的設(shè)備，但是其實(shí)華為在美國(guó)的打壓中的處境還是十分被動(dòng)的，因?yàn)槊绹?guó)在其國(guó)內(nèi)禁用華為是十分容易的。 雖然一定程度上來(lái)說(shuō)，美國(guó)并不是直接禁止華為進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)，而是禁止華為進(jìn)入美國(guó)通信運(yùn)營(yíng)商的市場(chǎng)之中。因?yàn)樵诿绹?guó)的智能手機(jī)消費(fèi)市場(chǎng)之中，美國(guó)消費(fèi)者熱衷于購(gòu)置合約機(jī)，而合約機(jī)就是手機(jī)和手機(jī)卡綁定消費(fèi)，為什么消費(fèi)者熱衷于此呢?那是因?yàn)楹霞s機(jī)消費(fèi)更契合美國(guó)人的消費(fèi)觀(guān)，在美國(guó)購(gòu)置一臺(tái)手機(jī)，如果你選擇購(gòu)置一臺(tái)合約機(jī)那么你可能只需要付出三分之一的價(jià)錢(qián)就可以了，雖然合約機(jī)需要簽訂一兩年的合約合同，并且在合約期間或者此后都只能夠使用該通信運(yùn)營(yíng)商的手機(jī)卡。但是合約機(jī)真的便宜，并且在美國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)中，合約機(jī)占了美國(guó)市場(chǎng)的99%!因此美國(guó)只需要限制美國(guó)的通信運(yùn)營(yíng)商，就能夠直接在國(guó)內(nèi)禁用華為。 而我國(guó)呢?我國(guó)正好與美國(guó)相反，我國(guó)因?yàn)閷?shí)體店和線(xiàn)上銷(xiāo)售機(jī)制發(fā)達(dá)的原因，主流銷(xiāo)售仍是裸機(jī)，并且最主要的還是我國(guó)三大通信運(yùn)營(yíng)商也并不會(huì)提供如此巨大的優(yōu)惠力度。因此想要在中國(guó)禁用蘋(píng)果的話(huà)，難度十分的大。 現(xiàn)如今我國(guó)國(guó)民的國(guó)產(chǎn)意識(shí)正在逐漸加強(qiáng)，我國(guó)各大智能手機(jī)廠(chǎng)商和科技領(lǐng)域中的企業(yè)都在努力發(fā)展，并且我國(guó)現(xiàn)如今的科技發(fā)展勢(shì)頭極為迅猛。而中國(guó)要科技自強(qiáng)，就需要繼續(xù)推進(jìn)教育和加大基礎(chǔ)科研，創(chuàng)造全球科技人才來(lái)華發(fā)展的沃土，營(yíng)造更好的更公平的商業(yè)環(huán)境，助力我國(guó)半導(dǎo)體科技的發(fā)展。

    半導(dǎo)體 華為 蘋(píng)果 中美

  • 我國(guó)若拒絕芯片進(jìn)口，美國(guó)損失有多重？

    最近，關(guān)于美國(guó)對(duì)華為封殺升級(jí)的消息再次引發(fā)眾多關(guān)注，美國(guó)加碼打壓華為，美國(guó)商務(wù)部再次延長(zhǎng)華為的臨時(shí)許可到8月13日，同時(shí)更改出口規(guī)則，企圖從芯片供應(yīng)鏈源頭打壓華為。 也因如此，問(wèn)題來(lái)了，目前美國(guó)供應(yīng)著全球大部分的芯片，而中國(guó)是芯片進(jìn)口大國(guó)，如果中國(guó)決定要依靠自己的力量，自力更生，艱苦奮斗，不買(mǎi)美國(guó)芯片了，美國(guó)損失會(huì)有多慘重? 隨著經(jīng)濟(jì)世界全球化的發(fā)展，國(guó)與國(guó)之間的每個(gè)行業(yè)所構(gòu)成的影響都是雙向的，目前我國(guó)芯片技術(shù)仍未進(jìn)入成熟階段，卻是世界芯片消耗大國(guó)。在2018年，中國(guó)進(jìn)口芯片3121億美元;中國(guó)在2019年進(jìn)口了芯片3040億美元，而同年全球半導(dǎo)體規(guī)模大約為4183億美元，也就是說(shuō)，全球生產(chǎn)的芯片有約2/3被我國(guó)所消耗。而國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)的自給率大約在20%，其余的80%的芯片缺口需從海外進(jìn)口。 我國(guó)進(jìn)口的大部分芯片都來(lái)自于美國(guó)，美國(guó)供應(yīng)著全球大約52%的芯片，那么去年在芯片進(jìn)口中花費(fèi)的3040億美元，我國(guó)至少有50%的芯片都來(lái)自于美國(guó)，即1500多億美元，那么一旦我國(guó)不買(mǎi)美國(guó)芯片，美國(guó)將損失超萬(wàn)億元。 在2019年的半導(dǎo)體廠(chǎng)商排行榜中，前10大中有5家是美國(guó)企業(yè)，來(lái)看看它們的營(yíng)收狀況，英特爾營(yíng)收約為660億美元，美光科技營(yíng)收約為200億美元，博通約為153億美元，高通公司營(yíng)收135億美元左右，德州儀器大約132億美元，這5家企業(yè)營(yíng)收總額約為1150億美元。 這5家芯片企業(yè)營(yíng)收額加起來(lái)都不到1500億美元，那么可以說(shuō)，假如中國(guó)不買(mǎi)美國(guó)芯片，美國(guó)所面臨的損失，相當(dāng)于這5家美國(guó)芯片公司全倒閉。 美國(guó)對(duì)華為一次次打壓，就是認(rèn)為在華為GPU等科技領(lǐng)域，暫時(shí)還找不到能代替美國(guó)芯片的東西。但是，面對(duì)美國(guó)長(zhǎng)期的打壓，我國(guó)更應(yīng)該提高自主研發(fā)力度，加快補(bǔ)齊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的短板，瓦解對(duì)華的科技脫鉤與制裁。

    半導(dǎo)體 美國(guó) 華為 芯片

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