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  • 仿冒芯片被查，侵權(quán)單位被罰款，涉事員工被判刑！

    近日，南京法院公號公開了一起集成電路的知識產(chǎn)權(quán)案件[案件號：（2021）蘇0114刑初148號]，侵權(quán)單位負責(zé)人被判處有期徒刑4年，銷售人員被判決有期徒刑3年2個月，侵權(quán)單位被判處罰金400萬元。 案情如下:侵權(quán)單位上海G公司于2017年底發(fā)現(xiàn)被侵權(quán)單位南京Q公司的USB轉(zhuǎn)串口芯片在市場熱銷后便開始抄襲仿冒并銷售。G公司盜版的芯片，功能和引腳封裝和原廠正品芯片相似，可用原廠的驅(qū)動程序軟件，且G公司的銷售人員在銷售過程中宣稱可以替代正品CH340。2019年因一些客戶向原廠反饋質(zhì)量問題而被Q公司發(fā)現(xiàn)市場中存在假貨，Q公司向公安機關(guān)報案，并于2019年底在現(xiàn)場人贓俱獲。經(jīng)檢察機關(guān)公訴，一審于7月份在雨花法院宣判，管總經(jīng)理兼技術(shù)負責(zé)人被判了4年，銷售人員被判了3年2個月，單位被判罰400萬元；二審于上月在南京中院維持原判。 判刑結(jié)果：G公司董事長聲稱盜版事宜皆由總經(jīng)理兼技術(shù)負責(zé)人在組織做，銷售仿冒芯片的具體行為由銷售人員在做，自己不知情且沒有涉及；總經(jīng)理和銷售人員均對盜版行為表示后悔，聲稱自己是普通打工人，所獲利潤主要歸大股東，應(yīng)該單位承擔(dān)責(zé)任。故最終是結(jié)合相關(guān)證據(jù)，判決G公司作為單位被判處罰金，總經(jīng)理兼技術(shù)負責(zé)人和銷售人員分別被判刑。 針對知識產(chǎn)權(quán)保護這項工作，2021年10月28號國務(wù)院發(fā)布了《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十四五”國家知識產(chǎn)權(quán)保護和運用規(guī)劃的通知》，通知明確提出：“構(gòu)建嚴保護、大保護、快保護、同保護的工作格局；完善刑事法律和司機解釋，加大刑事打擊力度，準確適用知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域行政法移送刑事司法標準和刑事案件立案追訴標準，規(guī)范刑罰適用?！?啟示：國運當頭，大勢所趨。少用盜版，多看開源；少點內(nèi)卷，多些創(chuàng)新。創(chuàng)新是引領(lǐng)發(fā)展的第一動力，保護知識產(chǎn)權(quán)就是支持創(chuàng)新，十四五規(guī)劃進一步強調(diào)堅持實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略。這樣的局面對專注搞創(chuàng)新及研發(fā)的工程師和企業(yè)是絕對的利好！

    半導(dǎo)體 芯片 USB轉(zhuǎn)串口 LAN TARGET

  • 芯原圖像信號處理器IP 獲得汽車功能安全標準ISO 26262認證

    領(lǐng)先的芯片設(shè)計平臺即服務(wù)（Silicon Platform as a Service，SiPaaS?）企業(yè)芯原股份（股票代碼：688521.SH ）今日宣布其圖像信號處理器IP（Vivante ISP） ISP8000L-FS V5.0.0作為獨立安全單元（Safety Element out of Context；SEooC），獲頒ISO 26262 ASIL B功能安全產(chǎn)品認證證書。該圖像信號處理器IP專為先進且高性能的攝像頭應(yīng)用而設(shè)計。認證證書由領(lǐng)先的功能安全咨詢公司ResilTech頒發(fā)。 ? 該圖像信號處理器IP獲得ISO 26262功能安全產(chǎn)品認證，是芯原在駕駛員監(jiān)測系統(tǒng)、自動駕駛等高安全性要求的汽車應(yīng)用領(lǐng)域中取得的重要里程碑。 ? 通過認證的ISP8000L-FS V5.0.0 IP支持兩個實時攝像頭，每秒可以處理高達600兆像素。該IP集成了多曝光寬動態(tài)處理技術(shù)，以及空域和時域的高級降噪技術(shù)。按照 ISO 26262標準開發(fā)流程并采用了功能安全設(shè)計，ISP8000L-FS V5.0.0 IP可為汽車系統(tǒng)提供高質(zhì)量且安全可靠的視覺處理。 ? 芯原執(zhí)行副總裁兼IP事業(yè)部總經(jīng)理戴偉進表示：“電動汽車和自動駕駛領(lǐng)域正在快速增長和創(chuàng)新，功能安全的片上系統(tǒng)（SoC）是推動其增長的關(guān)鍵技術(shù)。通過芯原在汽車領(lǐng)域的客戶，我們看到了對于符合ISO 26262標準的IP和專用集成電路（ASIC）的需求越來越高。ISP8000L-FS V5.0.0 IP是芯原豐富的IP中第一個通過ISO 26262認證的IP。芯原其他IP，包括視頻處理器、顯示處理器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器、圖形處理器，以及數(shù)字信號處理器，也將陸續(xù)通過ISO26262認證。”?

    文傳商訊 圖像信號處理器

  • 科普貼——漫談數(shù)字通信技術(shù)起源與演變

    通信一詞的由來 通信一詞，最初出現(xiàn)于《晉書·王澄傳》：“因下牀而謂澄曰：‘何與杜弢通信？” ，“通信”一詞，在這里是指互通音信。唐·李德裕的《代劉沔與回鶻宰相書意》：“又恐回鶻與吐蕃通信，已令兵馬把斷三河口道路?！币蔡岬酵ㄐ乓辉~。從以上兩個說法來看，大抵是指：部族之間，相互聯(lián)絡(luò)、結(jié)盟之意。 后來，《初刻拍案驚奇》卷五：“那裴仆射家揀定了做親日期，叫媒人到張尚書家來通信。”《九命奇冤》第十八回：“哪一個不受過侄老爹大恩，誰還去通信呢？”通信一詞，又泛指通報消息。 到了近現(xiàn)代，通信指用電訊設(shè)備或用書信傳遞消息，反映情況。張鴻在為曾樸做《續(xù)孽?；ā返谖迨兀骸?華福又奏明請頒一種密電本，以便秘密通信?！敝链?，通信一詞，基本成型。 古代通信技術(shù)的演進 廣義來說，通信是指信息傳遞的意思，原始人為了捕獲獵物，通過吶喊溝通，呼喚同伴過來共同捕獲野獸，即為通信的開端。 再后來，到了商周時期，天子為了迅速傳遞邊關(guān)戰(zhàn)報，遍設(shè)烽火臺，一有敵情，便點燃烽火狼煙，下級烽火臺看到上級狼煙，也迅速點燃烽火傳遞，這樣一級一級往下傳，直到信息到達京畿，然后由天子號令諸侯勤王，歷史上最著名的烽火戲諸侯就來源于此，這也是最早的光通信。 除了采用光做通信介質(zhì)，古人也采用鼓鑼來傳遞消息。大凡帝王早朝，首先要鳴鞭，云板三響，鼓樂聲中開始議題；又如行軍打仗，鼓手擊鼓號令三軍，變換陣法；再者，衙門升堂，先要擊鼓。 以上這些都是比較簡單的信息傳遞，略微復(fù)雜一點的信息如果需要傳輸?shù)脑?，該怎么辦呢？這里就涉及到兩個問題，首先是把信息編輯成文字，我們稱之為明文。有些情況下，為了防止敵人破獲這些信息情報，還會專門翻譯成密文。文字寫好了，怎么送出去呢？一般會修建驛道，開設(shè)驛站，派遣專門的驛卒，飛馬傳書，部分交通不便的地方，又有人專門訓(xùn)練鴻雁或者飛鴿，做飛鴿傳書。 近、現(xiàn)代通信 近代通信技術(shù)主要是以1820年，法蘭西人安德烈·瑪麗·安培發(fā)明電報通信，作為近代數(shù)字通信的開始。此后，電報技術(shù)不斷完善，到1838年，摩爾斯將電報通信推向?qū)嵱眯浴? 再后來，英吉利人亞歷山大·貝爾于1875年發(fā)明了電話機，被稱為模擬通信的開始。不過，關(guān)于電話的發(fā)明人，眾說紛紜，一說是羅馬人安東尼奧·梅烏奇，一說是美利堅的伊萊沙·格雷。 電話通信作為一種實時、交互式通信，比電報更便于使用。所以，在20世紀上半葉，采用這種模擬模擬通信技術(shù)的電話通信，得到迅速和廣泛的應(yīng)用。但模擬通信有一個最大的弊端，即信號衰減快，容易產(chǎn)生畸變。 到了20世紀60年代，隨著半導(dǎo)體技術(shù)、計算機和激光技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)字通信在數(shù)據(jù)計算、字符傳輸、防止信號失真等方面都大大優(yōu)于模擬通信，因此，數(shù)字通信又得到了爆發(fā)性的增長。 數(shù)字通信技術(shù) 數(shù)字通信基本概念 通信的目的是傳遞消息。比如，語音、文字、圖像等等，都是消息。我們的消息來源，可能是模擬信號，也可能是數(shù)字信號。對于模擬信號，需要做數(shù)模轉(zhuǎn)換、數(shù)字調(diào)制、壓縮打包。這就跟我們午餐點外賣一個道理，首先需要購買食材、然后加工、再后打包，一個道理。 為何要強烈建議采用數(shù)字通信 通信系統(tǒng)分為模擬通信和數(shù)字通信，無論是模擬通信系統(tǒng)還是數(shù)字通信系統(tǒng)，總存在噪聲和干擾，引起傳輸信號的失真，從而影響信號傳輸質(zhì)量。 在模擬通信系統(tǒng)中，傳輸?shù)氖沁B續(xù)的模擬波形，因此要求接收端能以高保真度來復(fù)原接收到的模擬波形。而這個過程需要估算信噪比，是一項非常復(fù)雜的過程，而且大概率會丟數(shù)據(jù)。在數(shù)字通信系統(tǒng)中，傳輸信息為離散值，只要接收端能正確判斷出離散值即可。對于接收波形失真，只要不足以影響接收端的判斷，就沒有什么關(guān)系。 打個比方，我們?nèi)ベI菜，即使極新鮮的白菜，如果運輸距離有點遠，等你買回家里一看，發(fā)現(xiàn)壞了就只能扔了。這就跟模擬傳輸一個道理，不太好保真。 我很小時候，最喜歡一種美食——方便面。方便面工廠把方便面里的蔬菜通過脫水、切割等程序，變成容易保存的食材，等到需要的時候，再加水還原，即可食用。中國大多數(shù)老百姓也都利用這一原理來保存食材，這大概就是數(shù)字傳輸?shù)木杷诎伞? 在數(shù)字通信中，除了對失真波形的有效恢復(fù)之外，還可以采用糾錯編碼，提高系統(tǒng)的抗干擾性；采用數(shù)字加密技術(shù)，提高系統(tǒng)保密系數(shù)；利用數(shù)字集成電路易于集成的特點，縮小產(chǎn)品體積等。 數(shù)字通信系統(tǒng)模型 現(xiàn)代數(shù)字通信技術(shù)，主要是對信源信號和信道做編碼、調(diào)制，通過信道發(fā)送到接收端，再通過解調(diào)、解碼，還原信號到信宿。 Microchip通信系統(tǒng)一攬子解決方案 隨著5G技術(shù)的加速，世健代理的Microchip產(chǎn)品線，可以為客戶提供通信系統(tǒng)一攬子解決方案，加上世健代理的ADI和高通等其他產(chǎn)品線，更能為客戶提供完整和系統(tǒng)化的產(chǎn)品解決方案。

    小狼雜談 通信

  • 擁抱大數(shù)據(jù)時代 解讀5G通信時鐘同步技術(shù)

    時鐘同步技術(shù) 系統(tǒng)中各時鐘的同步，需要對比各時鐘與系統(tǒng)標準時鐘的差值，以及對相對漂移做修正處理。比如，在GPS導(dǎo)航系統(tǒng)用戶設(shè)備中，我們一般通過調(diào)整1PPS信號前沿出現(xiàn)時刻，來做時鐘同步。還有一種就是通過以太網(wǎng)的時鐘恢復(fù)技術(shù)來做時鐘同步，這個技術(shù)稱為同步以太技術(shù)，或者SyncE。當然，還有其他一些技術(shù)，比如通過無線電波來傳播時間信息，不過這些傳輸方式只能實現(xiàn)同頻傳輸。 為了達到更高精度要求，有人提出了一種PTP的傳輸方式。后來，隨著5G技術(shù)的不斷提高，又提出采用SyncE+PTP相結(jié)合的方式。 GPS時鐘同步 GPS同步三維坐標理論 GPS系統(tǒng)，利用工作衛(wèi)星確定接收機三維坐標，得到接收機的時鐘偏差，來進行授時。理論上來說，只要接收到4顆或者4顆以上工作衛(wèi)星，通過空間三維坐標公式，就可以準確地對其進行定位和授時，其坐標理論如下圖，具體推導(dǎo)過程不贅述。 GPS高穩(wěn)頻綜器系統(tǒng)原理 2004年， Nicholls和Carleton提出了著名的N/C系統(tǒng)，N/C系統(tǒng)的核心技術(shù)是利用10MHz的OCXO同時接入一個分頻器和一個倍頻器，分別產(chǎn)生1pps和160MHz的信號，利用鎖相環(huán)，實時校正OCXO的輸出頻率。 為了便于直觀分析，我們重構(gòu)系統(tǒng)，GPS接收機產(chǎn)生1PPS輸出信號，和OCXO產(chǎn)生的10MHz分頻輸出1PPS信號，再通過10MHz倍頻160MHz的信號檢測相位偏移量，實現(xiàn)同步。 同步的本質(zhì)，就是通過鎖相環(huán)來調(diào)整頻率和相位，數(shù)字鎖相環(huán)DPLL對數(shù)字電路噪聲容忍能力強、捕獲時間快、易于集成、可以提供復(fù)雜的處理算法。 數(shù)字鎖相環(huán)主要包括鑒相器、數(shù)字環(huán)路濾波、相位累加器、DA轉(zhuǎn)換等。鑒相器把本地估算信號和輸入信號做相位比較，產(chǎn)生對應(yīng)相位誤差序列，經(jīng)過環(huán)路濾波，產(chǎn)生相位控制字，調(diào)節(jié)相位，同時，頻率控制字調(diào)整頻率輸出。 目前，大多數(shù)鎖相環(huán)采用一種基于DDS+PLL的結(jié)構(gòu)，通過分別計算頻率控制字和相位控制字做調(diào)整，來實現(xiàn)快速鎖定相位和頻率。 SyncE時鐘同步 SyncE（同步以太網(wǎng)）架構(gòu) 同步以太網(wǎng)技術(shù)，是一種采用以太網(wǎng)鏈路碼流恢復(fù)時鐘頻率的技術(shù)，簡稱SyncE，在以太網(wǎng)源端使用高精度時鐘，利用現(xiàn)有的以太網(wǎng)物理層接口PHY發(fā)送數(shù)據(jù)，在接收端通過CDR恢復(fù)并提取該時鐘頻率，保持高精度時鐘性能，SyncE技術(shù)框圖如下： CDR（時鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)）基本原理 以太網(wǎng)PHY層傳輸NRZ碼流，在傳輸側(cè)，對碼流重新編碼成4B/5B、8B/10B、64B/66B碼，通過CDR（時鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)）可以完成時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)。 CDR原理大致如下：鑒頻環(huán)Coarse Loop完成頻率捕獲，鑒相環(huán)Fine Loop調(diào)整相位和恢復(fù)時鐘關(guān)系，恢復(fù)數(shù)據(jù)信號。 CDR電路主要分為： ●雙環(huán)結(jié)構(gòu)CDR、 由鎖相環(huán)和延遲鎖相環(huán)組成，鎖相環(huán)提供所需頻率的低抖動正交時鐘，鎖相環(huán)將正交時鐘的相位調(diào)整為最佳采樣相位； ●全數(shù)字化CDR、此電路采用全數(shù)字電路通過過采樣法實現(xiàn)，功耗較低，但精度有限； ●還有一種無參考時鐘CDR、此電路不需要提供片外參考時鐘，應(yīng)用靈活，但工作頻率范圍較小。 SyncE在時鐘同步中，表現(xiàn)出了非常出色的頻率跟蹤作用，但是SyncE在時鐘傳輸中無法判斷時鐘信號在線路上的傳輸延時。 精確時間協(xié)議PTP（Precision time protocol）演進 網(wǎng)絡(luò)時間同步協(xié)議NTP（Network time protocol）理論 PTP是由NTP演變過來的，我們先談?wù)凬TP網(wǎng)絡(luò)協(xié)議，從時鐘向主時鐘發(fā)送一個消息包，記錄發(fā)出消息包的從時間戳T1，主時鐘收到消息包立即記錄主時間戳T2，同時，主時鐘向從時鐘返回一個帶主時鐘時間戳T3的消息包，從時鐘收到返回消息包后，立刻記錄下從時鐘的時間戳T4。 同時，我們假定雙向路徑對稱，即主到從或者從到主所用時間一致?；谝陨?，我們可以很輕松得出雙向路徑的傳送時間。 缺點：純軟件計算時間，需要組織報文傳輸，需要多次校準，報文傳輸存在不對稱，延時等可能，所以精度不高。 精確時間協(xié)議PTP（Precision time protocol）理論 IEEE 1588 PTP協(xié)議是在NTP協(xié)議基礎(chǔ)上做了一些優(yōu)化，在硬件上要求每個網(wǎng)絡(luò)節(jié)點必須有一個包含實時時鐘的網(wǎng)絡(luò)接口卡來滿足時間戳要求。 IEEE 1588網(wǎng)絡(luò)時鐘主要分成普通時鐘OC（Ordinary clock）、邊界時鐘BC（Boundary clock），只有一個PTP通信端口的時鐘是普通時鐘，有多個PTP通信端口的時鐘是邊界時鐘，每個PTP端口獨立通信。理論上來說，我們首先確定一個最優(yōu)的時鐘作為該網(wǎng)主時鐘。PTP通過時戳單元（TSU）來標記主從時鐘時間戳，TSU同時監(jiān)測輸入輸出數(shù)據(jù)流，當識別到IEEE 1588 PTP數(shù)據(jù)包的前導(dǎo)碼時發(fā)布一個時間戳，用于精確標記PTP時間數(shù)據(jù)包的到達或者離開時間。 PTP協(xié)議基于純軟件同步數(shù)據(jù)包傳輸，PTP通信報文主要分為：同步報文Sync，跟隨報文Follow_up（備注：Follow_up message不是必須的，部分模式不需要，例如one-step模式），延遲請求報文Delay_Req，延遲應(yīng)答報文Delay_Resp和管理報文。 IEEE 1588 PTP協(xié)議時間偏差修正： ●主時鐘向從時鐘發(fā)送Sync報文，并記錄發(fā)送時間tm1，同時啟動定時器，從時鐘收到該報文后，記錄接收時間ts1； ●主時鐘接著發(fā)送攜帶tm1的Follow_up報文； ●通過以上兩條信息，計算偏移時間Offset； ●間隔時間主時鐘向從時鐘發(fā)送第二條Sync報文，并記錄發(fā)送時間tm2，從時鐘收到該報文后，記錄接收時間ts2； ●主時鐘接著發(fā)送攜帶tm2的Follow_up報文； ●通過以上偏移時間Offset，修正ts時間。 基于以上步奏，修正ts時間與tm時間一致。 IEEE 1588 PTP協(xié)議延遲計算： ●主時鐘向從時鐘發(fā)送Sync報文，并記錄發(fā)送時間t1，從時鐘收到該報文后，記錄接收時間t2； ●主時鐘接著發(fā)送攜帶t1的Follow_up報文； ●從時鐘向主時鐘發(fā)送Delay_req報文，用于發(fā)起反向傳輸延時的計算，并記錄發(fā)送時間t3，主時鐘收到該報文后，記錄接收時間t4； ●主時鐘收到Delay_req報文之后，回復(fù)一個攜帶有t4的Delay_resp報文。 基于以上4個時間戳，由此可以計算出各時間延遲。 SyncE+PTP理論 IEEE 1588 PTP同步最基本的應(yīng)用前提就是必須建立在上下行鏈路時鐘頻率嚴格一致的基礎(chǔ)上，如果上下行鏈路時鐘不一直，那么時間同步的精度就會大打折扣。 利用SyncE，從設(shè)備通過以太網(wǎng)獲取主時鐘頻率，恢復(fù)出精準的時鐘頻率，協(xié)助PTP來實現(xiàn)相位對齊及時間同步。 Microchip解決方案 世健代理的Microchip旗下?lián)碛衂arlink、Maxim Timing & Sync BU、Micrel、Vectron、Vitesse、Actel等近60年歷史的完整時鐘方案提供商，可以給用戶提供交鑰匙方案。 SyncE & IEEE 1588 Microchip多種時間解決方案，產(chǎn)品涵蓋GPS、SyncE以及IEEE1588混合集中式系統(tǒng)以及精確時間系統(tǒng)，可以滿足高中低檔不同組合的產(chǎn)品需求。 ZL30735主要特點 多達5路獨立通道DPLL； 3路NCO、分離XO、備用時鐘模式混合通道DPLL； 多通道Frac_N輸出分頻器； 每個通道支持任何頻率轉(zhuǎn)換； 多達10通道差分或者單端輸入，10通道差分或者20通道CMOS輸出； 滿足ITU-T G.8262, G.8262.1, G.813, G.812, Telcordia GR-1244, GR-253； 滿足ITU-T G.8261, G.8263, G.8273.2 (class A,B,C,D), G.8273.4； 嵌入式PPS； 抖動性能小于150 fs rms。 OCXO 恒溫晶體振蕩器簡稱恒溫晶振OCXO（Oven Controlled Crystal Oscillator），是利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度來保持恒定。OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成，通常人們是利用熱敏電阻“電橋”構(gòu)成的差動串聯(lián)放大器，來實現(xiàn)溫度控制。 Microchip推出多種OCXO可以供客戶選擇，輸出頻率最高可達3GHz，溫度穩(wěn)定性可達0.15ppb，老化率可達20ppb。 VCXO 壓控振蕩器指輸出頻率與輸入控制電壓有對應(yīng)關(guān)系的振蕩電路(VCO)，頻率是輸入信號電壓的函數(shù)的振蕩器VCO，振蕩器的工作狀態(tài)或振蕩回路的元件參數(shù)受輸入控制電壓的控制，就可構(gòu)成一個壓控振蕩器。 Microchip VCXO選型一覽： 此外，Excelpoint世健可以提供基于Microchip集成IEEE1588、SyncE的PHY芯片和IP協(xié)議包的全套交鑰匙完整方案，助力5G小基站DU、RU及HUB，縮短客戶開發(fā)周期。

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  • DB HiTek完成了全局快門和SPAD技術(shù)開發(fā)，將進一步拓展圖像傳感器

    DB HiTek宣布， 公司已開發(fā)出基于110納米的全局快門（global shutter）和單光子雪崩二極管 (SPAD:single-photon avalanche diode)工藝，并將擴展其圖像傳感器市場。 全局快門能同時感應(yīng)所有像素的圖像信息，即使在拍攝快速移動的物體時，也能準確記錄視頻和圖像而不會失真。此外，全局快門還能高度精確地識別物體形態(tài)。近來，全局快門廣泛應(yīng)用于工業(yè)機器視覺，此外還適用于汽車、無人機和機器視覺檢測用相機等各種應(yīng)用。 DB HiTek的全局快門基于110nm BSI工藝，并采用了遮光罩(light shield)和導(dǎo)光(light guide)技術(shù)。 擁有99.99%的全局快門效率(GSE)性能，并且能支持最小至2.8um的多種像素尺寸。 單光子雪崩二極管(SPAD)是一種傳感技術(shù)，可以檢測到單光子水平的弱光信號。SPAD能夠識別從物體反射的光線到達傳感器的飛行時間(ToF)，從而測量出與物體之間的距離。憑借長距離和高精度優(yōu)勢，SPAD被積極應(yīng)用于車載激光雷達(LiDAR)或 ToF 領(lǐng)域，同時也適用于智能手機、AR/VR可穿戴設(shè)備、監(jiān)控攝像頭和工業(yè)機器視覺等各種應(yīng)用。 DB HiTek以110納米FSI工藝為基礎(chǔ)，確保了3.8%的@905納米光子探測概率 (PDP)性能，公司還計劃在今年內(nèi)實現(xiàn)BSI工藝，并完成PDP 7%@905納米的開發(fā)。 為了協(xié)助無晶圓廠客戶按時進入市場并提高產(chǎn)品競爭力，DB HiTek將在今年9月提供專門為全球快門和SPAD運營的MPW(multi project wafer)服務(wù)。

    文傳商訊 圖像傳感器 晶圓代工廠

  • LG化學(xué)將加速進軍極富前景的碳納米管市場

    LG化學(xué)(LG Chem, KRX: 051910)已啟用韓國規(guī)模首屈一指的碳納米管(Carbon Nanotube, CNT)制造工廠。公司正積極瞄準快速增長的CNT市場，CNT被廣泛用作電動汽車電池中的陰極材料。 4月14日，LG化學(xué)宣布旗下位于韓國麗水的第二座CNT工廠1,200公噸(MT)擴建工程已建設(shè)完成，并已開始商業(yè)運營。加上2017年開始運營的現(xiàn)有500公噸產(chǎn)能，LG化學(xué)目前的CNT總產(chǎn)能已達1,700公噸。 LG化學(xué)新建的第二座CNT工廠采用自主研發(fā)的流化床反應(yīng)器，是全世界規(guī)模首屈一指的單線生產(chǎn)設(shè)施。該工廠通過全自動化實現(xiàn)了穩(wěn)定的質(zhì)量控制，并通過工藝創(chuàng)新將能耗降低了30%。 該工廠生產(chǎn)的CNT將作為導(dǎo)電添加劑供應(yīng)給市場領(lǐng)先的全球電動汽車電池企業(yè)。此外，CNT的應(yīng)用范圍還將擴展到更廣泛的領(lǐng)域，如表面加熱元件和半導(dǎo)電高壓電纜等。 隨著CNT市場的持續(xù)增長，LG化學(xué)計劃于今年開始建設(shè)第三座工廠，并且在未來將繼續(xù)擴大產(chǎn)能。事實上，業(yè)界預(yù)計全球CNT需求量將以每年40%的速度呈現(xiàn)爆發(fā)性增長，將從去年的5,000公噸增長到2024年的2萬公噸。 LG化學(xué)的CNT業(yè)務(wù)致力于利用從乙烯原料到利用專有技術(shù)研發(fā)的催化劑的垂直整合，以及包括自主研發(fā)的流化床反應(yīng)器在內(nèi)的多種生產(chǎn)技術(shù)，來開發(fā)具有競爭力的產(chǎn)品。 在作為核心技術(shù)之一的催化劑方面，LG化學(xué)通過應(yīng)用鈷基催化劑來實現(xiàn)卓越品質(zhì)——鈷基催化劑可減少對電池品質(zhì)可能產(chǎn)生負面影響的磁性雜質(zhì)。與鈷基催化劑相比，業(yè)界通常使用的鐵基催化劑中的金屬和磁性雜質(zhì)含量相對較高，需要單獨的后處理工藝才能實現(xiàn)商業(yè)化。 Petrochemicals Company總裁Kug Lae Noh表示：“CNT業(yè)務(wù)具有巨大的潛力，除電池外，還可用于多種不同的產(chǎn)品。因此，公司力爭通過擴大產(chǎn)能和質(zhì)量方面的競爭力成為全球領(lǐng)導(dǎo)者?！?

    文傳商訊 碳納米管 CNT

  • 芯和半導(dǎo)體片上無源電磁場仿真套件成功通過三星8LPP工藝認證

            國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，芯和半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（以下簡稱“芯和半導(dǎo)體”）宣布，其片上無源電磁場（EM）仿真套件已成功通過三星晶圓廠的8納米低功耗（8LPP）工藝技術(shù)認證。該套件包含了快速三維電磁場仿真器IRIS和快速自動PDK建模工具iModeler，此次認證能顯著地提升IC設(shè)計公司在8LPP工藝上的設(shè)計交付速度。         三星晶圓廠的8LPP工藝在其上一代FinFET先進節(jié)點的基礎(chǔ)上，對功率、性能和面積作了進一步的優(yōu)化。 對于移動、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器、汽車和加密貨幣等應(yīng)用，8LPP提供了明顯的優(yōu)勢，并被認為是眾多高性能應(yīng)用中最具吸引力的工藝節(jié)點之一。        “隨著先進工藝節(jié)點設(shè)計復(fù)雜性的不斷增加，精確的EM仿真對于我們的客戶獲得一次性芯片設(shè)計流片成功變得至關(guān)重要。” 三星電子設(shè)計Design Enablement團隊副總裁Jongwook Kye說：“芯和半導(dǎo)體的三維全波EM套件的成功認證，將為我們共同的客戶在創(chuàng)建模型和運行EM仿真時創(chuàng)造足夠的信心。”         芯和半導(dǎo)體的首席執(zhí)行官凌峰博士表示：“我們非常高興IRIS能夠?qū)崿F(xiàn)仿真與測試數(shù)據(jù)的高度吻合，并因此獲得了三星 8LPP工藝認證。作為三星先進制造生態(tài)系統(tǒng)（Samsung Advanced Foundry Ecosystem，SAFE）項目的成員，芯和半導(dǎo)體將繼續(xù)與三星在各種工藝技術(shù)上進行深入合作，為我們共同的客戶提供創(chuàng)新的解決方案和服務(wù)。         IRIS采用了為先進工藝節(jié)點量身定做的最先進的EM仿真技術(shù)，它提供了從DC到THz的精確全波算法，并通過多核并行計算和分布式處理實現(xiàn)仿真效率的加速。IRIS擁有多項匹配先進工藝節(jié)點的特定功能，包括可以考慮線寬線距在加工時的偏差等，因此被多家設(shè)計公司廣泛采用。iModeler能夠通過內(nèi)置豐富的模板及快速的IRIS仿真引擎自動生成PDK，它能幫助PDK工程師和電路設(shè)計工程師快速生成參數(shù)化模型。  

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  • 半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝裝備CMP，國產(chǎn)裝備崛起

    CMP 設(shè)備是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝裝備之一。CMP 是集成電路制造大生產(chǎn)上產(chǎn)出效率最高、技術(shù)最成熟、應(yīng)用最廣泛的納米級全局平坦化表面制造設(shè)備，并且在較長時間內(nèi)不存在技術(shù)迭代周期。而且隨著芯片制造技術(shù)發(fā)展，CMP 工藝在集成電路生產(chǎn)流程中的應(yīng)用次數(shù)逐步增加，將進一步增加 CMP 設(shè)備的需求。根據(jù) SEMI，2018 年全球 CMP設(shè)備的市場規(guī)模 18.42 億美元，約占晶圓制造設(shè)備 4%的市場份額，其中中國大陸 CMP 設(shè)備市場規(guī)模 4.59 億美元。另外，CMP 設(shè)備是使用耗材較多、核心部件有定期維保更新需求的制造設(shè)備之一;除了用于晶圓制造，CMP 還是晶圓再生工藝的核心設(shè)備之一，CMP 設(shè)備廠商有望向上游耗材、下游服務(wù)領(lǐng)域延伸。 CMP：“小而美”的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝裝備 CMP 設(shè)備是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝裝備之一 CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機械拋光)是半導(dǎo)體制造過程中實現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝。晶圓制造過程主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學(xué)機械拋光、金屬化。作為晶圓制造的關(guān)鍵制程工藝之一，化學(xué)機械拋光指的是，通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，實現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化。 由于目前集成電路元件普遍采用多層立體布線，集成電路制造的前道工藝環(huán)節(jié)需要進行多層循環(huán)。在此過程中，需要通過CMP工藝實現(xiàn)晶圓表面的平坦化。簡單的理解，如果把芯片制造過程比作建造高層樓房，每搭建一層樓都需要讓樓層足夠平坦齊整，才能在其上方繼續(xù)搭建另一層，否則樓面就會高低不平，影響整體性能和可靠性。而CMP就是能有效令集成電路的“樓層”達到納米級全局平整的一種關(guān)鍵工藝技術(shù)。集成電路制造是CMP設(shè)備應(yīng)用的最主要的場景，重復(fù)使用在薄膜沉積后、光刻環(huán)節(jié)之前;除了集成電路制造，CMP設(shè)備還可以用于硅片制造環(huán)節(jié)與先進封裝領(lǐng)域。 當前CMP已經(jīng)廣泛應(yīng)用于集成電路制造中對各種材料的高精度拋光。按照被拋光的材料類型，具體可以劃分為三大類：(1)襯底：主要是硅材料。(2)金屬：包括Al/Cu金屬互聯(lián)層，Ta/Ti/TiN/TiNxCy等擴散阻擋層、粘附層。(3)介質(zhì)：包括SiO2/BPSG/PSG等ILD(層間介質(zhì))，SI3N4/SiOxNy等鈍化層、阻擋層。其中，在90~65nm節(jié)點，淺槽隔離(STI)、絕緣膜、銅互連層是CMP的主要研磨對象;進入28nm后，邏輯器件的晶體管中引入高k金屬柵結(jié)構(gòu)(HKMG)，因而同時引入了兩個關(guān)鍵的平坦化應(yīng)用，包括虛擬柵開口CMP工藝和替代金屬柵CMP工藝。 STI-CMP：淺槽隔離(STI)氧化硅拋光。在硅晶片上以反應(yīng)性蝕刻形成溝槽后，以化學(xué)氣相沉積的方式沉積二氧化硅膜再將未被埋入凹溝內(nèi)的二氧化硅膜以CMP去除。這樣就可以用二氧化硅膜作為元器件間的隔離，再用拋光速度相對緩慢的膜(例如氮化硅膜)來作為CMP的研磨停止層(Stoplayer)。 ILD-CMP/IMD-CMP：ILD-CMP指的是層間介質(zhì)(ILD)拋光，IMD-CMP指的是金屬內(nèi)介電層(IMD)拋光，主要拋光對象是二氧化硅介質(zhì)。作為芯片組件隔離介質(zhì)，集成電路制造工藝中最常被使用的介電層是相容性最佳的二氧化硅介質(zhì)。二氧化硅膜的CMP大多應(yīng)用在層間絕緣膜及組件間的隔離(Isolation)平坦化工藝中。 ILD-CMP(層間絕緣膜平坦化)將導(dǎo)線或組件上的層間絕緣膜平坦化，以便完成接下來的多層互連線工藝，是完成多層互連結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，為大規(guī)模集成電路工藝中不可缺少的步驟。IMD-CMP(元器件間隔離膜平坦化)目的在于形成平坦的氧化硅膜(組件與組件間的絕緣隔離層)。在層間絕緣膜的平坦化方面CMP對象還有等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECvD)膜、硼磷硅玻璃膜(BPSG)及熱氧化膜(Thermalox記e)等。 Cu-CMP：隨著集成電路層數(shù)的不斷增加，在銅布線工藝中新的層間導(dǎo)線連接方式“接觸窗”得到廣泛應(yīng)用，這種工藝方法也稱為“大馬士革工藝”(Damascene)。大馬士革工藝，首先在兩層電路間的絕緣膜上進行刻蝕，使之形成凹槽(接觸窗)，再進行連接金屬導(dǎo)線膜的沉積，最后以CMP方式去除金屬膜。在雙大馬士革中，Cu-CMP用來拋光通孔和雙大馬士革結(jié)構(gòu)中細銅線，雙大馬士革工藝過程中用介質(zhì)作為停止層。 拋光技術(shù)與清洗、工藝控制技術(shù)并重 CMP的作業(yè)原理：拋光頭將晶圓待拋光面壓抵在粗糙的拋光墊上，借助拋光液腐蝕、微粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實現(xiàn)全局平坦化。拋光盤帶動拋光墊旋轉(zhuǎn)，通過先進的終點檢測系統(tǒng)對不同材質(zhì)和厚度的磨蹭實現(xiàn)3~10nm分辨率的實時厚度測量防止過拋，更為關(guān)鍵的技術(shù)在于可全局分區(qū)施壓的拋光頭，其在限定的空間內(nèi)對晶圓全局的多個環(huán)狀區(qū)域?qū)崿F(xiàn)超精密可控單向加壓，從而可以響應(yīng)拋光盤測量的膜厚數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)壓力控制晶圓拋光形貌，使晶圓拋光后表面達到超高平整度(例如全局平整度要求是10nm，則相當于面積約440000平方米的天安門廣場上任意量帶你的高低差不超過0.03毫米)，且表面粗糙度小于0.5nm，相當于頭發(fā)絲的十萬分之一;此外制程線寬不斷縮減和拋光液配方愈加復(fù)雜均導(dǎo)致拋光后更難以清洗，且對CMP清洗后的顆粒物刷領(lǐng)要求呈指數(shù)級降低，因此需要CMP設(shè)備中清洗單元具備強大的清潔能力來實現(xiàn)更徹底的清潔效果，同時還不會破壞晶圓表面極限化微縮的特征結(jié)構(gòu)。 對CMP設(shè)備而言，其產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵指標包括工藝一致性、生產(chǎn)效率、可靠性等，CMP設(shè)備的主要檢測參數(shù)包括研磨速率、研磨均勻性和缺陷量。 (1)研磨速率：單位時間內(nèi)晶圓表面材料被研磨的總量。 (2)研磨均勻性：分為片內(nèi)均勻性和片間均勻性。片內(nèi)均勻性指某個晶圓研磨速率的標準方差和研磨速率的比值;片間均勻性用于表示不同圓片在同一條件下研磨速率的一致性。 (3)缺陷量。對于CMP而言，主要的缺陷包括表面顆粒、表面刮傷、研磨劑殘留，這些將直接影響產(chǎn)品的成品率。 為了實現(xiàn)這些性能，CMP設(shè)備需要應(yīng)用到納米級拋光、清洗、膜厚在線檢測、智能化控制等多項關(guān)鍵先進技術(shù)。CMP產(chǎn)品的技術(shù)水平也主要取決于設(shè)備在拋光、清洗、工藝智能控制等核心模塊/技術(shù)的表現(xiàn)。具體可以分為兩大類： (1)拋光技術(shù)?？梢詫崿F(xiàn)納米尺度的“拋的光”、晶圓全局“拋得平”，這是CMP工藝的基礎(chǔ)。 (2)輔助、控制技術(shù)。具體包括納米級的清洗、膜厚在線檢測、智能化控制等，這些是實現(xiàn)CMP工藝的重要的輔助技術(shù)，作用在于晶圓拋光動作“停得準”、以及拋光后納米顆?！跋吹脙簟?。根據(jù)賽迪顧問相關(guān)資料，通常CMP工藝后的器件材料損耗要小于整個器件厚度的10%，也就是說CMP不僅要使材料被有效去除，還要能夠精準的控制去除速率和最終效果。隨著器件特征尺寸的不斷縮小，缺陷對于工藝控制和最終良率的影響愈發(fā)明顯，降低缺陷是CMP工藝的核心技術(shù)要求，因而當前對CMP設(shè)備而言，除了拋光技術(shù)，包括清洗技術(shù)、工藝控制技術(shù)等輔助類技術(shù)的重要性愈發(fā)突出。 拋光：在CMP發(fā)展過程中，CMP逐步由最初的單頭、雙頭向著多頭方向發(fā)展;拋光結(jié)構(gòu)方面，目前處于軌道拋光方法、線性拋光、與旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)拋光并存狀態(tài)，其中旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)占據(jù)主流;在拋光驅(qū)動技術(shù)方面，早年國際廠商普遍采用皮帶傳動方式，當前隨著客戶要求提高以及電機技術(shù)發(fā)展，直驅(qū)式已成為高端機型的主要驅(qū)動方式。 終點檢測：要檢測拋光的終點，需要實時得到被拋光薄膜的厚度。CMP的終點判斷就是判斷何時到達CMP的理想終點，從而停止拋光。在結(jié)構(gòu)微細化、高精度要求下，晶圓膜厚要求精度控制在0.1nm，些許偏差都將對薄膜的力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)以及器件的設(shè)計以及可靠性產(chǎn)生重要影響。準確的終點監(jiān)測是產(chǎn)品成品率、加工效率的關(guān)鍵技術(shù)，直接影響到成本與市場競爭力。 根據(jù)終點檢測的特點可以分為基于時間的離線終點檢測技術(shù)和實時在線檢測技術(shù)，其中基于時間的離線終點檢測技術(shù)主要應(yīng)用在直徑小于200mm的晶圓加工中。在線終點檢測技術(shù)主要包括電機電流終點檢測、光學(xué)終點檢測和電渦流終點檢測，另外包括基于拋光液離子濃度變化的終點檢測、基于聲學(xué)發(fā)射信號的終點檢測和基于機械力學(xué)信號測量的終點檢測也是當時CMP在線監(jiān)測的熱點。 電極電流終點檢測：其原理是當晶圓拋光達到終點時，拋光墊所接觸的薄膜材料不同，導(dǎo)致晶圓與拋光墊之間的摩擦系數(shù)發(fā)生顯著變化，從而使拋光頭或拋光機臺回轉(zhuǎn)扭力變化，其驅(qū)動電機的電流也隨之變化，因此由安裝在拋光頭和拋光機臺上的傳感器監(jiān)測驅(qū)動電機電流變化可推知是否到達拋光終點。 CMP后清洗：在CMP工藝中，拋光液中的磨料和被去除的材料作為外來顆粒(含金屬顆粒)是CMP工藝的污染源，CMP后清洗的重點是去除拋光過程中帶有的所有污染物。當前CMP機臺已經(jīng)把CMP工藝和清洗工藝集成在一起，而且要求干進干出，包含清洗與干燥兩大環(huán)節(jié)。隨著晶圓表面潔凈度要求的不斷提高，CMP清洗工藝的焦點已逐步由清洗液、兆聲波等轉(zhuǎn)移到晶圓干燥上。 第1代CMP后清洗技術(shù)：該階段半導(dǎo)體CMP設(shè)備市場初步形成，市場主要設(shè)備包括Strasbaugh公司的6DS-SP以及Westech的PEC372/372M。這時期的CMP后清洗，主要是拋光后再將整盒的晶圓提出來放置到單獨的清洗機進行清洗，采用多槽浸泡化學(xué)濕法清洗技術(shù)，主要應(yīng)用于較大線寬的集成電路，而且清洗時間較長，一般都會大于1個小時，與CMP銜接性能也較差。 第2代CMP后清洗技術(shù)：代表設(shè)備是應(yīng)用材料的適用于8英寸的Mirra。Mirra采用在線清洗系統(tǒng)，清洗仍然是在單獨的清洗機臺中完成，不過Mirra和清洗機臺之間有機械接口和傳輸裝置，CMP作為主機直接調(diào)度清洗機臺菜單，來完成CMP后清洗。 Mirra后清洗系統(tǒng)采用兩次雙面刷洗+旋轉(zhuǎn)甩干，同事可以根據(jù)需要選擇超聲或者兆聲清洗。但由于CMP設(shè)備和后清洗設(shè)備都是單獨的機臺，占地妙計較大，在21世紀后逐漸被集成清洗技術(shù)所取代。 第3代CMP后清洗技術(shù)：分立式CMP的后清洗機臺被集成進CMP設(shè)備機臺內(nèi)。代表設(shè)備是應(yīng)用材料的Mirra-mesa，其中垂直清洗是顯著特征，也是應(yīng)用材料的核心技術(shù)之一。一方面可以獲得更加潔凈的晶圓，另一方面大幅度減少CMP設(shè)備的結(jié)構(gòu)空間。同期日本荏原公司推出的OPTO 222機臺采用水平的后清洗技術(shù)，明顯處于劣勢地位。Mirra-mesa后清洗采用1次單片垂直兆聲清洗+2次垂直雙面清洗+垂直旋轉(zhuǎn)甩干。 第4代CMP后清洗技術(shù)：2006年后應(yīng)用材料推出300mm的Reflexion LK機臺，面向銅拋光，在市場上獲得良好反應(yīng)。除了同樣采用垂直兆聲清洗+垂直雙面刷洗外，將干燥技術(shù)由之前的旋轉(zhuǎn)甩干更換為IPA-WAPOR干燥法(異丙酮氣體干燥法)，使得CMP清洗后的硅片缺陷比傳統(tǒng)方法得到了顯著改善，同時干燥效率得到大幅提升。 第5年CMP后清洗技術(shù)：主要是在原來機臺上，對核心技術(shù)模塊進行工藝改進，以適用更小技術(shù)節(jié)點的需求;另外通過更多的拋光、清洗模塊來實現(xiàn)更高產(chǎn)能。應(yīng)用材料的Reflexion LK機臺最初是針對130nm-65nm的量產(chǎn)設(shè)備，已經(jīng)將技術(shù)延伸至20nm以下;而最新一代產(chǎn)品Reflexion LK Prime機臺，可以用于FinFET和三維NAND，除了與Reflexion LK一樣采用最先進的拋光、清洗和工藝控制技術(shù)，另外配備了4個研磨墊、6個研磨頭、8個清潔室以及兩個干燥室，生產(chǎn)效率是ReflexionLK的兩倍。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體制造 CMP

  • 面對打壓制裁，華為以退為進

    在通信技術(shù)領(lǐng)域，掌握標準技術(shù)就相當于掌握了話語權(quán)。華為，在5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)中扮演者越來越關(guān)鍵的角色，更是全球5G時代下的最大供應(yīng)商。然而，面對美國的打壓制裁，華為5G芯片得不到大批量生產(chǎn)，在5G手機大換潮的情況下，華為毅然決然選擇重啟4G，抓住東歐，中東，非洲，拉美等地區(qū)的4G市場。 經(jīng)媒體證實，華為正在積極向供應(yīng)商訂購4G智能手機以及相關(guān)終端零部件，部分組件制造商已收到通知，將在本月恢復(fù)購買主板和其他部件產(chǎn)品。 4G芯片的供應(yīng)，可以解決海外大部分區(qū)域手機和平板的需求問題，預(yù)計最快在明年一季度就可以完成4G新手機上市。華為此舉，意在保持海外的占有率。 1、以退為進，重啟4G手機 眾所周知，華為芯片供應(yīng)受阻，手機業(yè)務(wù)也因此受到掣肘。不過前段時間，美國高通又獲得向華為出售4G芯片的許可證，意味著，華為4G芯片供應(yīng)充足。 11月23日，媒體傳出消息，稱華為上周已經(jīng)通知零部件廠商，將于11月重新采購手機零部件，包括鏡頭、載板等。 受訪的華為供應(yīng)商表示，已經(jīng)開始為華為新的4G手機訂單備貨，不過還是小批量，究竟華為會投產(chǎn)多少尚不能明確。按照訂單出貨速度和以往手機上市時間推算，若消息為真，華為將有望最快明年初上市新機。 2、國內(nèi)國外，市場皆占 現(xiàn)在在4G手機市場上面，華為還是有著很大的機會的。雖然已經(jīng)進入了5G時代，且5G手機的銷量也是直線上升，可是絕大多數(shù)的人用的依然是4G手機。 一是由于5G基站建設(shè)的成本高、難度大，還沒有實現(xiàn)完全覆蓋，二是5G手機套餐普遍價格較高。對于相當一部分人來說，5G代表速度，但是與高昂價格相比，相信還是有很多人表示4G也可以繼續(xù)使用。所以如果華為推出4G機型，國人還會進行購買的。 而目前，東歐、俄羅斯、亞太、中東、非洲及拉美等地區(qū)仍然是4G市場，部分地區(qū)只提供4G網(wǎng)絡(luò)。這也意味著，華為4G手機和平板在這些地區(qū)有銷售空間，重新制造4G手機，將為華為保住海外市場。 在5G的浪潮下，4G市場也是華為積蓄力量的空間。 同時從目前情況來看，未來會有更多的公司可能會再次給華為出貨。 可以看到，華為在減緩出貨的同時，并未放棄與大型渠道的合作關(guān)系，在供應(yīng)鏈穩(wěn)定之后未來或?qū)⒅贫ǜ蛹みM的戰(zhàn)略重獲市場。 3、搶占市場，需要用“芯” 2021年5G手機占比將達80%，這說明，相比于4G，人們也更趨向于選擇5G手機。 作為手機的核心，芯片的重要性不言而喻，而唯有自研芯片才能幫助華為突破美國技術(shù)的封鎖。無論5G市場還是4G市場，唯有“芯”才是最大的底牌。 高端芯片技術(shù)領(lǐng)域這條路一直是任重而道遠。但在國家政策的扶持下，抓住人才，培養(yǎng)人才，只要一直堅持下去，迎難而上，就能看到未來國產(chǎn)芯片的曙光。

    半導(dǎo)體 華為 4G 芯片

  • 蘋果尖端水準M1芯片，可將平板、電腦、手機應(yīng)用一體化

    在之前發(fā)布會上，蘋果發(fā)布史上最新芯片，并且公開表示M1芯片的存儲控制器和先進的閃存技術(shù)，可以將固態(tài)硬盤性能最高提速至2倍，預(yù)覽海量圖片或?qū)氪笪募伎爝^以往。相當于固態(tài)盤速度提高歸功于M1芯片的存儲控制器以及新的閃存技術(shù)。 M1的發(fā)布，卻預(yù)示著整個PC產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂瓉泶笙磁?，因為M1的推出，或模糊了手機、平板、筆記本之間的界限，這或許是蘋果打了另外一扇門。 以后蘋果自家的電腦，都會換上自家研發(fā)的芯片，而整個蘋果電腦的芯片架構(gòu)以后都將會是ARM。意味著，以后的蘋果電腦可以直接運行iOS和PAD OS當中的應(yīng)用，真正做到了將平板、電腦、手機應(yīng)用程序完全打通。 而關(guān)于M1，大家聽得最多的就是用在Macbook Air上時，CPU強3.5倍，GPU強5倍，而AI強9倍，續(xù)航時間增加50%，可以瞬間喚醒。 同時關(guān)于M1的性能測試，也基本上是在原本的MacOS系統(tǒng)下進行測試的，考慮到M1芯片是精簡指令集RISC，而X86架構(gòu)的芯片是復(fù)雜指令集CISC。 之前運行M1原生的MacBook Air的初始基準測試，單核成績?yōu)?687分，多核成績?yōu)?433分。近日，M1芯片在Rosetta 2下模擬x86的新基準測試成績開始出現(xiàn)。 手機處理器一直都是ARM架構(gòu)當中的產(chǎn)物。這個指令級架構(gòu)之下的技術(shù)就是我們現(xiàn)在最常見的高度集成的片上系統(tǒng)，也就是經(jīng)常提到的SoC。 通俗來講就是在一塊芯片中集成了CPU、GPU等關(guān)鍵性模塊。在手機需要的時候，響應(yīng)速度就會非常快，而現(xiàn)在蘋果將這項技術(shù)運用到了電腦上，為我們帶來了全新一代的自研M1處理器。 這款采用5nm制程工藝的芯片容納了多達160億個晶體管，這款頂級芯片當中有4大4小八核心。即使是小的核心，其運算能力也非常優(yōu)秀，不僅如此M1處理器的內(nèi)部還集成了高性能的GPU和蘋果最為驕傲的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎。 嚴格來說，M1的性能要比A14變態(tài)很多。 在8GB的macbookair上，M1芯片的單核和多核成績分別為1313分和5888分?？梢?，在運行X86程序時，M1的性能較之原生MacOS程序有了20%左右的損耗，但也達到了M1的78%-79%的原生性能。 單核性能依然強于酷睿i9-10910@3.6GHz，比以往所有蘋果用過的intel芯片都要強，但多核成績就稍有遜色了，但依然強于蘋果以往在macbook Pro中用過的i3、i5、i7這些。 采用M1芯片，蘋果筆記本的內(nèi)部可以空出來很大的空間，那么這部分空間就可以用來加強電腦的散熱能力和續(xù)航能力，所以搭載M1的Macbook Air才能將續(xù)航時間提升到驚人的17小時。 相同架構(gòu)的芯片，在硬件上就已經(jīng)能夠橫掃應(yīng)用不能直接運行的障礙，這完全算得上是筆記本電腦的一次重大變革，到目前為止能做到這樣的，蘋果完全是獨一家。

    半導(dǎo)體 蘋果 電腦 m1芯片

  • 異質(zhì)結(jié)構(gòu)新材料二硫化鉬，未來芯片的新潛力

    將二硫化鉬添加在原有PC原料上，可以達到導(dǎo)熱、散熱的要求。隨著半導(dǎo)體制程邁向 3 納米，如何跨越晶體管微縮的物理極限，成為半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。厚度只有原子等級的二維材料，例如石墨烯(Graphene)與二硫化鉬(MoS2)等，被視為有潛力取代硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。 二硫化鉬(MoS2)因其獨特的單層原子結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的光電特質(zhì)，被認為是最有希望替代硅，成為未來應(yīng)用在半導(dǎo)體、晶體管和芯片等高精尖科技領(lǐng)域中的理想材料之一，因此，近年來科學(xué)家們對二硫化鉬的探索與研究一直保持著濃厚的興趣。 近日，洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)研究團隊利用二硫化鉬開發(fā)出了一種“類大腦神經(jīng)元傳輸”的新型計算機芯片，兼具在相同電路中處理和存儲信息的能力，為計算機設(shè)備實現(xiàn)小型化、高效化和節(jié)能化提供新的思路。 二硫化鉬是一種過渡金屬硫族化物二維材料(TMDC)，具備類石墨烯的層狀結(jié)構(gòu)，同時擁有石墨烯沒有的直接帶隙半導(dǎo)體特質(zhì)。二硫化鉬由三個原子平面層(S-Mo-S)堆疊而成，具有較大的比表面積，電子遷移速率高，抗磁抗輻照，低耗環(huán)保，節(jié)能增效，穩(wěn)定性高，且能夠?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，是光學(xué)電子設(shè)備的理想材料。 對鈷/二硫化鉬異質(zhì)結(jié)構(gòu)進行特征分析，發(fā)現(xiàn)在室溫下，異質(zhì)結(jié)構(gòu)間的交互作用仍然可以在非晶相的磁性材料中，誘發(fā)出常見于晶相結(jié)構(gòu)的「自發(fā)磁異向性」，為磁異向性的起源與操控，開辟嶄新視野。 磁異向性指的是磁性材料的磁化方向容易沿特定方向排列的特性，可用來定義數(shù)字記錄中的 0 與 1。 如何運用新材料或是人工結(jié)構(gòu)的制備來發(fā)現(xiàn)新的磁異向性，并控制其方向，是目前發(fā)展磁儲存與磁感應(yīng)技術(shù)的重要關(guān)鍵，包括磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)、手機的電子羅盤、陀螺儀，都會用到電子自旋的特性。與傳統(tǒng)電子組件相比，自旋電子組件可以提供更高能源效率和更低功耗，也被預(yù)測為是下一世代的主流組件。 EPFL研究人員第一次將二維材料二硫化鉬成功地應(yīng)用于集數(shù)據(jù)存儲與邏輯運算為一體的芯片當中，這將顛覆傳統(tǒng)計算機由中央處理器CPU處理數(shù)據(jù)再傳輸至硬盤存儲的模式。相關(guān)成果發(fā)布在《Nature》上。 據(jù)介紹，新型芯片是基于浮柵場效應(yīng)晶體管(FGFET)的，通常應(yīng)用于相機、手機或者計算機設(shè)備的閃存系統(tǒng)。這些晶體管能夠長時間保持電荷，而僅具備三個原子層厚度的二硫化鉬不僅可以進一步減小電子設(shè)備的體積，還對晶體管中存儲的電荷具有較強的敏感性，因此可以同時實現(xiàn)邏輯運算和數(shù)據(jù)存儲功能。 中鎢在線二硫化鉬不僅在半導(dǎo)體、納米晶體管等光學(xué)電子領(lǐng)域中應(yīng)用潛力巨大，同時還可以作為潤滑劑、抗氧劑、催化劑等，廣泛應(yīng)用于航空、汽車、采礦、造船、軸承等工業(yè)領(lǐng)域。 增進磁異向性的另一個成因軌域混成(Orbital hybridization)，深入探討產(chǎn)生這個現(xiàn)象的關(guān)鍵機制，進一步研究操控自旋電子扇區(qū)方向的新方法，有機會為半導(dǎo)體業(yè)與光電等產(chǎn)業(yè)，帶來突破性的發(fā)展。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 二硫化鉬 芯片

  • 可拉伸的“皮膚”傳感器，用視覺來衡量觸摸

    觸覺感知能力，是機器人靈巧操控各種物體不可缺少的能力之一。市面上的大多數(shù)機械手都是通過機械化的方式，實現(xiàn)抓握和觸覺感知功能。而可拉伸的傳感器可以改變機器人的功能和感知方式，就像人的皮膚一樣柔軟敏感。 康奈爾大學(xué)的研究人員利用廉價的LED和染料創(chuàng)造了一種光纖傳感器，該傳感器可以精確檢測手指在做什么，這種能力可以徹底改變我們與虛擬現(xiàn)實中的模擬對象進行交互的方式。 而這種可拉伸的皮膚狀材料，能夠檢測變形，包括壓力、彎曲和應(yīng)變。該傳感器可以參與實現(xiàn)軟性機器人系統(tǒng)應(yīng)用，并可能助力增強現(xiàn)實技術(shù)，因為軟性可穿戴傳感器可以讓增強現(xiàn)實用戶感受到與現(xiàn)實世界類似的感覺。 “ VR和AR的沉浸感基于運動捕捉，根本沒有觸摸。”從事手套工作的康奈爾大學(xué)工程學(xué)教授羅布·謝潑德(Rob Shepard)在一份聲明中說。 “比方說，您希望擁有一個增強現(xiàn)實仿真，該仿真教您如何修理汽車或更換輪胎。如果您戴著手套或可以測量壓力以及運動的東西，那么增強現(xiàn)實可視化可能會說：“轉(zhuǎn)動然后停止，這樣就不會擰得太緊?！? 目前沒有任何東西可以做到這一點，但這是做到這一點的途徑。” 這種皮膚可以讓我們自己和機器以目前我們在手機中使用攝像頭的方式來測量觸覺互動，使用視覺來衡量觸摸。 該技術(shù)還有其他應(yīng)用，研究人員目前正致力于將該技術(shù)商業(yè)化，用于物理治療和運動醫(yī)學(xué)。他們的工作建立在之前Rob Shepherd實驗室創(chuàng)建的可拉伸傳感器工作的基礎(chǔ)上。 新的傳感器由光纖傳感器制成，可以根據(jù)光的光學(xué)路徑告訴每個手指如何移動。車載計算機將變形分類為有關(guān)您的手部活動的詳細數(shù)據(jù)。該手套使用一些基本且非常便宜的技術(shù)：用于無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃{牙，用于電源的鋰離子電池和多個LED。 “我們知道軟物質(zhì)可以以非常復(fù)雜的組合方式發(fā)生變形，并且同時發(fā)生了許多變形，”合著者Hedan Bai在聲明中說?！拔覀兿胍粋€可以將它們解耦的傳感器?！? 早期的可拉伸傳感器技術(shù)出現(xiàn)于2016年，使用通過光波導(dǎo)和光電二極管發(fā)送的光來檢測光束強度的變化，以確定材料是否變形。 對于新項目，研究人員Hedan Bai從基于二氧化硅的分布式光纖傳感器中獲得靈感，該傳感器能夠檢測微小的波長變化，以此來識別多種屬性，包括濕度、溫度和應(yīng)變的變化。 然而，硅纖維與柔軟和可拉伸的電子產(chǎn)品不兼容，解決的辦法是制作一種用于多模態(tài)傳感的可拉伸光導(dǎo)(SLIMS)傳感器。 這是內(nèi)置一對聚氨酯彈性體芯子的管路，其中一個芯是透明的，另一個芯在多個位置填充了吸收染料，并連接到一個LED，每個芯都連接著一個紅綠藍傳感器芯片，能夠記錄光的光路的幾何變化。 雙核心設(shè)計增加了傳感器可用于檢測一系列變形的輸出數(shù)量，包括壓力、彎曲或伸長，它通過點亮作為空間編碼器的染料來指示變形。 該技術(shù)與一個數(shù)學(xué)模型相配合，能夠?qū)⒉煌淖冃谓怦睿⒕_地確定它們的確切位置和幅度。這種傳感器可以使用分辨率較低的小型光電子器件工作，使其成本更低，更容易制造和集成到系統(tǒng)中。 這種傳感器還可以被整合到機器人的手部，例如VR/AR用戶的可穿戴手套中。 研究人員現(xiàn)在正在研究該技術(shù)是否可以用于物理治療和運動醫(yī)學(xué)。最大的希望可能是讓VR中的用戶與虛擬世界進行令人信服的交互。

    半導(dǎo)體 光纖 傳感器 可穿戴

  • 第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片研發(fā)成功

    據(jù)昨日報道，我國成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，該芯片實驗室來自重慶郵電大學(xué)。 據(jù)重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義表示，第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片主要應(yīng)用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面，其具備體積小、效率高、用電量少等特點。 并且這款功率半導(dǎo)體芯片電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。 目前，該項目已經(jīng)到了試驗性應(yīng)用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。 值得注意的是，由重慶郵電大學(xué)規(guī)劃的重慶集成電路設(shè)計創(chuàng)新孵化中心已入駐西部(重慶)科學(xué)城。 該中心將著力建設(shè)重慶市集成電路公共設(shè)計、測試分析、半導(dǎo)體工藝等為一體集成電路中試平臺，結(jié)合重慶市新興產(chǎn)業(yè)需求，提供低成本、高效率的集成電路公共服務(wù)與專業(yè)技術(shù)支持;孵化一批人工智能芯片、公共安全專用芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等方向的高端科技成果及高科技企業(yè)。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 氮化鎵 功率芯片

  • 流媒體服務(wù)在混合云存儲下的新體驗

    全球云計算市場的新常態(tài)被稱為混合云。面對混合云時代，敏捷、過度、云環(huán)境、數(shù)據(jù)壓縮除重、加密等是上云之旅中在數(shù)據(jù)層面需要具備的五大功能。 通過數(shù)字化轉(zhuǎn)型實現(xiàn)全面升級，上云可以說是一條必經(jīng)之路。從傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)中心和核心系統(tǒng)，轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂迷七@種便捷的資源消耗模式，上云之旅這條長路最重要的是什么? 最重要的不是改變使用計算和存儲能力的模式，而是如何保證數(shù)據(jù)的可靠、保證數(shù)據(jù)的安全，確保在不同的云端都能夠享用到合理的、合適的SLA(Service Level Agreement，服務(wù)級別協(xié)議)。 云計算中的流媒體的發(fā)展，是云存儲、數(shù)據(jù)和AI的存儲、網(wǎng)絡(luò)彈性與數(shù)據(jù)保護三個梯隊的重要實現(xiàn)。 云是流媒體的完美選擇 視頻流被認為是一種非常強大的工具。然而，它需要大量的硬件和軟件技術(shù)進步。視頻流包括每秒傳輸大量數(shù)據(jù)。它還要求數(shù)據(jù)流的一致性和不間斷性。觀察器的挫敗感可能是由于延遲問題導(dǎo)致的緩沖。 云有助于阻止這種情況的發(fā)生。云計算允許流媒體服務(wù)提高帶寬，從而改善流媒體體驗。它對每個設(shè)備和每個網(wǎng)絡(luò)連接都這樣做。 云計算中流媒體的靈活性和可伸縮性 流媒體平臺要求它們可以根據(jù)互聯(lián)網(wǎng)連接或設(shè)備來提高或降低流媒體質(zhì)量。沒有云計算，這是不可能發(fā)生的。流媒體和云計算需要攜手合作，才能實現(xiàn)無縫體驗。這對于像Netflix這樣的流媒體平臺特別重要。對于YouTube這樣的平臺來說，這不是一個大問題，因為它是免費的。然而，它自己的流媒體服務(wù)YouTube Premium可能不太容易出現(xiàn)這個問題。 數(shù)據(jù)存儲潛力巨大 除了云計算帶來的流媒體優(yōu)勢外，還有很多挑戰(zhàn)。云計算允許流媒體平臺利用數(shù)據(jù)，從而確保為消費者提供最高質(zhì)量的觀看體驗。這對直播非常重要。隨著體育服務(wù)也進入像ESPN這樣的流媒體，這將變得越來越重要。因此，更大的存儲容量和即時數(shù)據(jù)同步將成為更大的需求。 這就是云計算將真正為流媒體帶來優(yōu)勢的地方。

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  • 比亞迪越來越華為？32位車規(guī)級MCU裝車量超500萬顆

    汽車智能化就是汽車電子化的進一步升級，而汽車電子化離不開汽車半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展。而MCU芯片作為汽車電子系統(tǒng)內(nèi)部運算和處理的核心，可謂是汽車大腦的地位。在汽車智能化的進程中，車規(guī)級MCU的市場將會進一步擴大。 據(jù)報道，比亞迪半導(dǎo)體的車規(guī)級MCU裝車量已超過500萬顆，搭載了超50萬輛車。 今年3月底，比亞迪推出號稱永不自燃的“刀片電池”。今年7月的成都車展上，驍云1.5T高功率動力總成。11月中，比亞迪DM-i超級混動技術(shù)的核心部件之一——驍云-插混專用1.5L高效發(fā)動機正式亮相。 經(jīng)過這些年動力電池、電驅(qū)動的研究、應(yīng)用，比亞迪的“肌肉”練得足夠扎實，引領(lǐng)著一些技術(shù)潮流的方向，比如刀片電池、三合一電驅(qū)動、乃至上游的功率器件IGBT、SiC。 “肌肉”的厚重與否關(guān)系到一家企業(yè)在汽車電動化、智能化進程中的耐力。而能將這塊“肌肉”的實力發(fā)揮出來幾分，需要聰明的“大腦”。目前這顆大腦需要車輛全身的復(fù)雜芯片組來實現(xiàn)每一項功能。 作為一家力爭將電動化、智能化關(guān)鍵技術(shù)都握在手中的企業(yè)，比亞迪沒有只看重“肌肉”的練習(xí)。比亞迪半導(dǎo)體就承擔(dān)著它的智能化進程中芯片研發(fā)的重任，為它的全新電子電氣架構(gòu)打下了基石。 MCU隨電子電氣架構(gòu)發(fā)展的兩個階段 汽車智能化發(fā)生的最明顯的變化就是汽車電子化的加深。這種加深基本上可以分為兩個階段： 一是電子系統(tǒng)增加使ECU和MCU數(shù)量大增，比如從后視鏡、車窗、雨刷、座椅，到車載娛樂系統(tǒng)、安全系統(tǒng)，再到車身控制和引擎控制的電子化，都離不開MCU芯片，提升駕駛體驗和安全性; 然而追加的電子功能變得相當繁雜，線束布局復(fù)雜性加速，使得車企決定整合ECU功能。在這個過程中MCU的數(shù)量減少，但功能更強大、安全性更高，甚至部分部件需要的MCU變更為超強算力的ASIC、GPU、FPGA等。 兩個階段分別對應(yīng)的是整車的分布式電子電氣架構(gòu)和集中式電子電氣架構(gòu)。 十年前比亞迪F3裝有12個控制器，線束長度789米;十年后電子元器件設(shè)備數(shù)量顯著增長，全新一代唐EV的控制器數(shù)量增加到55個，線束長至2650米。分散式的電子和電氣部件導(dǎo)致成本高、管理低效、裝配復(fù)雜、整車設(shè)計難度大等問題。于是比亞迪對汽車電子電氣架構(gòu)進行優(yōu)化，按照不同功能維度進行整合為五大功能域：動力控制域、底盤電子域、安全電子域、信息娛樂域和車身電子域。 按照它的設(shè)定，原本在分布式電子電氣架構(gòu)中，車身電子域分散為智能鑰匙控制器、空調(diào)控制器、BCM、高頻信息接收模塊、胎壓監(jiān)測ECU、倒車雷達ECU等諸多電氣元器件。而在集中式布局中，它們將被整合為一個多合一車身控制器。 從分布式到集中式，車身控制器對MCU芯片的數(shù)據(jù)傳輸效率和安全性等運算控制能力的要求越來越高。 作為汽車電子系統(tǒng)內(nèi)部運算和處理的核心，MCU是真正讓汽車變得更加高效的關(guān)鍵。它不僅得到整車廠及其Tier 1供應(yīng)商的推動，而且促使半導(dǎo)體公司將重心放在車規(guī)級半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上。 MCU市場規(guī)模及出貨量(數(shù)據(jù)來源：IC Insights) 可以看到，在汽車向智能化演進過程中，車規(guī)級MCU出貨量持續(xù)上升。IC Insights預(yù)測，車規(guī)級MCU市場將在2020年接近460億元，占MCU整體市場的40%，2025年將達700億元，單位出貨量將以11.1%復(fù)合增長率增長。 市場規(guī)模的擴大，對于比亞迪半導(dǎo)體等致力于發(fā)展車規(guī)級芯片的企業(yè)來說是一個絕好的機會。尤其是，比亞迪半導(dǎo)體的定位就集中在車規(guī)級和工業(yè)級半導(dǎo)體。 32位車規(guī)級MCU的探索、發(fā)展與追趕 比亞迪半導(dǎo)體從2007年進入MCU領(lǐng)域。最早開始研發(fā)的是工業(yè)級MCU，經(jīng)過數(shù)年的積累，它開始結(jié)合工業(yè)級MCU的技術(shù)能力跨越到車規(guī)級MCU領(lǐng)域。 十三年的發(fā)展，使它擁有工業(yè)級通用MCU芯片、工業(yè)級三合一MCU芯片、車規(guī)級觸控MCU芯片、車規(guī)級通用MCU芯片以及電池管理MCU芯片。這是自主半導(dǎo)體公司在功率器件之外的又一突圍。 隨著信息化浪潮滲透著各行各業(yè)，智能化、物聯(lián)化等時代定義的興起，使得越來越多半導(dǎo)體廠商對于MCU領(lǐng)域的外設(shè)和功能愈發(fā)注重，并持續(xù)推動其向更加高集成度方面發(fā)展。目前MCU器件主要分為8位、16位和32位三種類型，它們之間有著功能性的差異，如32位MCU比8位MCU的能力更顯著更強。 一般來說，32位的MCU可以透過4倍的處理速度來執(zhí)行更復(fù)雜的運算，進一步提高數(shù)據(jù)處理效率，同時能夠有效地處理多個外部設(shè)備，而且現(xiàn)階段32位MCU的成本越來越有競爭力，在同樣的價格之下，采用32位MCU可以提供更多的應(yīng)用可能性。 比亞迪MCU芯片 新能源汽車發(fā)展至今，動力電池和電驅(qū)動領(lǐng)域國內(nèi)均有可與外資匹敵的企業(yè)，但令人痛心的是，其中的主控芯片和功率器件仍然嚴重依賴進口。芯片，是自主企業(yè)發(fā)展汽車電動化和智能化過程中最薄弱的環(huán)節(jié)。 公開數(shù)據(jù)顯示，中國功率半導(dǎo)體市場占全球份額超過40%，但自給率僅10%;中國車規(guī)級MCU市場占全球份額超過30%，但卻基本100%依賴于進口。 車規(guī)級MCU市場依舊被把握在外資手中。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)，全球車載MCU市場中，瑞薩電子、恩智浦、Microchip、意法半導(dǎo)體、德州儀器、英飛凌一貫作為頭部玩家，擁有著九成以上的市場份額。 特別是近年來32位MCU被廣泛應(yīng)用于在洗衣機、空調(diào)、微波爐、吸塵器、電冰箱等多種家用電器中，同時在電機控制、模擬傳感器測量和TRIAC/ LED/ LCD驅(qū)動應(yīng)用都可以見到它的身影。可見，在有明確應(yīng)用場景和智能物聯(lián)需求之后，傳統(tǒng)MCU必須要做出改變來適應(yīng)應(yīng)用端需求的變化。 自主半導(dǎo)體公司與這些頭部企業(yè)相比，缺少的是從設(shè)計端到供應(yīng)鏈的可靠性和穩(wěn)定性的積累。比如車規(guī)級的wafer、封裝、測試，在國內(nèi)曾是一片空白。要探索、要發(fā)展、要追趕，都需要時間。 為此，半導(dǎo)體器件應(yīng)用記者從市場上了解到目前國內(nèi)不少科技公司在MCU芯片研發(fā)上已取得一定的突破以及優(yōu)秀的成績，MCU靜電和能耗上等核心指標也有超越國際競爭對手的水準。 所幸的是，已有數(shù)家半導(dǎo)體公司在推動國內(nèi)車規(guī)級MCU芯片的發(fā)展，比亞迪半導(dǎo)體就是主力軍之一。 2018年它推出第一代8位車規(guī)級MCU芯片，適用于車身控制等領(lǐng)域，是首款國產(chǎn)量產(chǎn)車規(guī)級MCU芯片。 2019年它推出第一代32位車規(guī)級MCU芯片，批量裝載在比亞迪全系列車型上。而且，它正在推出應(yīng)用范圍更加廣泛、技術(shù)領(lǐng)先的車規(guī)級32位雙核高性能MCU芯片，基于Arm Cortex-M4F+M0雙核設(shè)計，可適用于域控制器等車身控制領(lǐng)域。 迄今為止，比亞迪半導(dǎo)體的車規(guī)級MCU裝車量已超過500萬顆，搭載了超50萬輛車。若加上工業(yè)級MCU，它的累計出貨量已經(jīng)超過20億顆。 比亞迪半導(dǎo)體32位MCU芯片 汽車電子電氣架構(gòu)在電動化、智能化發(fā)展過程中迎來重大升級，MCU的運算控制能力需適用于域控制器。并且，它的車規(guī)級8位、32位MCU芯片都達到可靠性標準 AEC-Q100，是按照功能安全標準 ISO26262設(shè)計。 對比亞迪半導(dǎo)體而言，背后整車平臺的支持，毋庸置疑將加速其對車規(guī)級MCU產(chǎn)品的定義、應(yīng)用理解和落地測試。這對其他自主MCU廠商而言是比較難獲取的資源。 當芯片產(chǎn)品系列化越豐富，應(yīng)用經(jīng)驗越成熟，比亞迪半導(dǎo)體在中高端MCU領(lǐng)域內(nèi)的突破會越快，加速其縮小與恩智浦等的差距。 這也是國內(nèi)半導(dǎo)體公司的目標，不單單是解決聚焦新能源裝備制造“卡脖子”問題，更要能進入到主流供應(yīng)鏈，并與國內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)協(xié)同合作，共同促進全球汽車電動化、智能化的快速發(fā)展。 智能汽車只有開放，才能真正創(chuàng)新。從比亞迪的動作來看，無論對于自研技術(shù)的重視，還對新商業(yè)模式的探索，都已經(jīng)邁出幾大步。也正如了外界盛傳一句話：五菱越來越小米，比亞迪越來越華為。

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