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  • TrendForce集邦咨詢: 下調(diào)2026年全球筆電出貨量預(yù)估年減至5.4%

    Dec. 30, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,在整體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道有限、消費行為趨于保守的背景下,快速上升的存儲器價格正持續(xù)侵蝕筆電品牌的獲利及定價彈性。因此,TrendForce集邦咨詢再度下調(diào)2026年全球筆電出貨預(yù)估至年減5.4%,降至近1.73億臺,以反映品牌面對成本壓力擴(kuò)大,對庫存、促銷與產(chǎn)品配置采取的保守態(tài)度。

  • TrendForce集邦咨詢: 近眼顯示對OLEDoS需求將逐年提升

    Dec. 29, 2025 ---- 視涯科技(SeeYA)IPO申請近日獲得上海市證券交易所審核通過,擬募資20.15億元人民幣,用于擴(kuò)建OLEDoS 顯示器產(chǎn)線與研發(fā)中心。根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,AR、VR、MR等近眼顯示裝置對OLEDoS微顯示器的需求有望于2030年達(dá)到3,150萬片,2025至2030年復(fù)合成長率(CAGR)高達(dá)81%。

  • 超詳細(xì)解析!中斷函數(shù)調(diào)用不可重入函數(shù)的后果

    隨著嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)的發(fā)展,對中斷安全和線程安全的要求越來越高。未來,隨著硬件技術(shù)的進(jìn)步(如多核處理器、硬件原子操作的支持),以及編程語言和工具鏈的完善(如C11標(biāo)準(zhǔn)的原子操作支持),編寫安全的中斷服務(wù)程序?qū)⒆兊酶尤菀?。同時,形式化驗證和靜態(tài)分析工具的發(fā)展也將有助于在開發(fā)階段發(fā)現(xiàn)潛在的中斷安全問題。

  • 鋁電解電容不能承受反向電壓的機(jī)理詳解

    在電子設(shè)備中,鋁電解電容以其高容量、低成本和小體積的優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于電源濾波、信號耦合和儲能等場景。然而,其極性特性要求在使用時必須嚴(yán)格區(qū)分正負(fù)極,否則可能導(dǎo)致電容失效甚至爆炸。

  • RS232與RS485的區(qū)別詳解

    在工業(yè)自動化和物聯(lián)網(wǎng)的浪潮中,串行通信協(xié)議如RS232和RS485扮演著關(guān)鍵角色。盡管它們同屬串行通信標(biāo)準(zhǔn),但在設(shè)計理念、應(yīng)用場景和性能表現(xiàn)上存在顯著差異。

  • BUCK變換器在負(fù)壓輸出系統(tǒng)中的應(yīng)用詳解

    在電子工業(yè)中,負(fù)電壓軌的需求日益增長,尤其在通信電源、筆記本適配器和工業(yè)傳感器系統(tǒng)中。傳統(tǒng)的正電壓設(shè)計難以滿足這些應(yīng)用對參考電壓或偏置電壓的特殊要求。

  • 單片機(jī)讀取外部電壓的ADC阻抗匹配問題

    在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中,單片機(jī)通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)讀取外部電壓信號是常見的應(yīng)用場景。然而,阻抗匹配問題常導(dǎo)致測量誤差,成為工程師的“隱形陷阱”。

  • PCB走線角度選擇詳解

    在高速電子系統(tǒng)設(shè)計中,PCB走線角度的選擇直接關(guān)系到信號完整性、電磁兼容性(EMI)和制造良率。隨著信號頻率從MHz級躍升至GHz級,走線拐角處的阻抗突變、輻射損耗和工藝缺陷等問題日益凸顯。

  • 一文教你如何對原理圖的差分信號添加差分屬性

    在高速數(shù)字電路設(shè)計中,差分信號因其優(yōu)異的抗干擾能力和時序穩(wěn)定性成為關(guān)鍵信號傳輸?shù)氖走x方案。 本文將系統(tǒng)講解在原理圖中為差分信號添加差分屬性的完整流程,涵蓋原理圖設(shè)計規(guī)范、屬性添加方法、同步到PCB的注意事項以及常見問題解決方案。

  • Keil MDK軟件包(pack)下載的幾種方法詳解

    在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)領(lǐng)域,Keil MDK(Microcontroller Development Kit)是廣泛應(yīng)用的工具鏈,其核心功能依賴于軟件包(pack)的支持。這些pack文件包含芯片支持、外設(shè)驅(qū)動和代碼模板等資源,確保開發(fā)環(huán)境與目標(biāo)硬件兼容。 然而,由于網(wǎng)絡(luò)環(huán)境、版本需求或項目差異,用戶可能面臨下載困難。

  • 運放塊輸出失調(diào)電壓消除

    在精密電子電路中,運算放大器(運放)的輸出失調(diào)電壓(Output Offset Voltage, Uos)是一個常見問題。當(dāng)輸入信號為零時,輸出端仍存在非零電壓,導(dǎo)致信號中軸偏離0軸,造成豎向失真甚至飽和,尤其在弱信號放大電路中,這種失真會顯著制約增益性能。

  • 匯總電路圖繪制中的十大爭議

    電路圖是電子工程的語言,是工程師將抽象電路轉(zhuǎn)化為可視設(shè)計的橋梁。然而,在電路圖繪制過程中,工程師們常因細(xì)節(jié)分歧產(chǎn)生爭議,這些分歧雖小,卻可能影響設(shè)計效率、團(tuán)隊協(xié)作甚至最終產(chǎn)品性能。

  • 嵌入式RTOS系統(tǒng)中使用內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)的好處詳解

    在計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)中,端口映射(Port Forwarding)是一項關(guān)鍵的技術(shù),它允許外部網(wǎng)絡(luò)通過特定端口訪問內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)中的服務(wù)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于家庭網(wǎng)絡(luò)、企業(yè)環(huán)境以及云計算場景,是實現(xiàn)遠(yuǎn)程訪問、游戲服務(wù)器搭建、FTP共享等功能的基石。

  • SRAM與DRAM的區(qū)別

    在計算機(jī)和電子設(shè)備中,內(nèi)存是數(shù)據(jù)存儲與訪問的核心組件,直接影響系統(tǒng)性能與效率。SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)作為兩種主流內(nèi)存技術(shù),各自占據(jù)獨特生態(tài)位。

  • 一文教你MOS管和IGBT的區(qū)別

    在電力電子領(lǐng)域,MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為兩大核心功率器件,各自在電路中扮演著不可替代的角色。

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