在嵌入式系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、消費(fèi)電子等領(lǐng)域,數(shù)據(jù)緩沖是保障系統(tǒng)高效運(yùn)行的核心環(huán)節(jié),其核心需求是在速度、容量、成本與功耗之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡。長(zhǎng)期以來(lái),SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一直是數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用的主流選擇,但二者各自存在難以規(guī)避的短板。近年來(lái),PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)憑借“DRAM內(nèi)核+SRAM接口”的混合架構(gòu)優(yōu)勢(shì),在數(shù)據(jù)緩沖場(chǎng)景中展現(xiàn)出極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力,逐步成為取代SRAM和SDRAM的優(yōu)選方案,為各類設(shè)備的性能優(yōu)化與成本控制提供了新路徑。