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WBG 材料在 5G 系统中的集成
在连接方面，宽带隙半导体比传统硅器件具有显着优势，使其成为先进电信环境中应用的理想选择。随着时间的推移，碳化硅和氮化镓的重要性在这些材料的固有技术特性以及能源效率和热管理方面的优势的支持下，5G 基础设施的需求不断增长。与前几代电信相比，向 5G 网络的过渡代表着范式的转变。 5G 网络有望显着提高数据传输速度、减少延迟并能够支持无数同时连接的设备。然而，这些功能需要能够在苛刻的操作条件下运行的高效基础设施。
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WBG 功率转换器的电流感应挑战是什么？
WBG的高频切换带来了与带宽和速度相关的挑战，这些挑战可以通过新的传感技术来解决。此外，氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件对短路条件的耐受性和电流传感要求不同。
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WBG 半导体彻底改变汽车设计
使用碳化硅和氮化镓来满足电动汽车设计要求，如今已成为促进可持续发展的下一代汽车设计标准。空气动力学线条或更轻的材料不足以保证电动汽车的效率。为了满足效率和功率密度要求，电力电子设计师必须着眼于新技术。
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智能能源时代的 SiC
随着硅达到功率器件的理论性能限制，电力电子行业一直在向宽带隙材料(WBG) 过渡。基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓技术的 WBG 功率半导体器件提供的设计优势可提高应用性能，包括：低漏电流、显着降低的功率损耗、更高的功率密度、更高的工作频率以及耐受更高工作温度的能力. 使用比纯硅等效器件更小的器件尺寸，所有这些都是可能的。稳健性和更高的可靠性是其他重要属性，从而提高了设备的总预期寿命和运行稳定性。
