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3D IC封装挑战：TSV建模与热耦合对EDA工具的新要求
随着半导体产业向3D集成迈进，硅通孔（TSV）技术成为突破物理极限的核心手段。然而，TSV建模的复杂性与热耦合效应的叠加，正对传统电子设计自动化（EDA）工具提出前所未有的挑战。从高密度堆叠的物理实现到多物理场耦合的可靠性验证，EDA工具必须重构底层架构以支撑3D IC设计的全流程需求。
随着半导体产业向3D集成迈进，硅通孔（TSV）技术成为突破物理极限的核心手段。然而，TSV建模的复杂性与热耦合效应的叠加，正对传统电子设计自动化（EDA）工具提出前所未有的挑战。从高密度堆叠的物理实现到多物理场耦合的可靠性验证，EDA工具必须重构底层架构以支撑3D IC设计的全流程需求。
