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SiC 器件正在取代现有 Si 器件的高影响力应用机会已经出现
SiC 器件正在取代现有 Si 器件的高影响力应用机会已经出现，包括 xEV 和铁路电力电子设备，具有更低的损耗和更低的冷却要求;具有降低冷却负荷和更高效率的新型数据中心拓扑结构;用于高效大功率电动机的变频驱动器，可降低整体系统成本;更高效、灵活和可靠的网格应用程序，减少系统占用空间;以及“更多电动航空航天”，重量、体积和冷却系统的减少有助于节能。就电动汽车而言，目前大多数使用 400V 总线架构，因此 650V SiC 器件与成熟且坚固的硅 IGBT 竞争，而 GaN 则在利润丰厚的牵引逆变器、DC/DC 转换器和车载充电器中竞争市场。
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进一步了解氮化镓和碳化硅目前赢得业务的市场
电力电子在采用 GaN 和 SiC 器件方面发生了变化。硅仍然主导着市场，但很快，这些设备的出现将引导技术走向新的、更高效的解决方案。Yole Développement 估计，到 2025 年来自 SiC 器件的收入将占市场的 10% 以上，而来自 GaN 器件的收入到 2025 年将超过 2% 的市场。一些主导市场的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在这个领域，GaN Yole Développement 拥有 Power Integrations 和 Infineon 作为参与者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等创新初创企业。
