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射频前端电路的集成化：SOI与GaAs工艺的对比与5G毫米波应用
5G通信技术快速发展，射频前端电路的集成化成为关键技术突破点。作为支撑高频段、高带宽通信的核心组件，射频前端模块的性能直接决定了信号传输质量与设备能效。SOI(绝缘体上硅)与GaAs(砷化镓)作为两种主流工艺，在5G毫米波应用中展现出差异化优势。本文将从工艺原理、电路设计、性能参数及典型应用场景展开对比分析。
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如何借助高均匀性的 SOI 优化衬底在 MEMS 中实现多种设计创新？
微机电系统 (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) 是迄今最具潜力的 CMOS 传感器与驱动器电子器件集成解决方案。通过在 200mm 的单晶顶层硅下提供氧化埋层，SOI 衬底能够为创新的 MEMS 器件设计提供更多可能。
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SOI国际产业联盟加入SEMI，成为策略合作伙伴
SOI国际产业联盟将继续履行其使命，加速SOI行业的发展，并为成员带来新的商机。SEMI通过与SOI国际产业联盟的合作，可加深其在材料技术方面的布局，并帮助会员与处于创新前沿领域的关键参与者建立联系，从而进行合作，探索新的技术和商机。
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FD-SOI技术有何优势？还是物联网的理想解决方案？
若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光（EUV）微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工业者着眼于应用广泛、无所不
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区块链无法解决医疗数据的互操作性问题
许多人认为区块链能解决世界上所有的问题，包括几十年来困扰医疗行业的问题：医疗记录和数据的互操作性。虽然区块链和医疗记录的互操作性可能具有共生关系，但区块链并没有解决医疗数据的互操作性问题。
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半导体严重衰退之年，Soitec何以实现飞速增长?
根据集邦科技发布的报告，2019年全球半导体行业产值将下滑13%，创下10年来最严重的衰退。在整个半导体行业都不太理想的大背景下，有一家企业却如一匹黑马，凭借SOI优化衬底技术一骑绝尘，实现了30%的业务增长，它就是
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Melexis最新LIN RGB LED控制器可提供简化使用方式，提升车内氛围灯应用性能
MLX81113为车内氛围灯应用提供更多功能，简化设计过程，并且符合ISO 26262 ASIL-A应用等级。
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Soitec发布2020财年第二季度业绩报告，收入同比增长46%
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于10月15日公布了2020财年第二季度业绩(截止至2019年9月30日)。2020财年第二季度收入1.39亿欧元，同比增长46%。据报告，2020财年第二季度收入较
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超越SOI，Soitec将优化衬底技术向GaN、SiC扩展
Soitec是全球优化衬底最大的制造商，凭借其两个核心技术-Smart Cut和Smart Stacking，Soitec为行业提供创新的材料及优化衬底设计，这些创新被用于加工晶体管，从而为智能手机、汽车、云、物联网等领域的终端产品带来
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SOI 产业联盟上海论坛期间颁奖，颁发RF-SOI技术发展贡献奖
9月17日消息， SOI产业联盟(SOI微电子完整价值链的领先行业组织)今日宣布了半导体行业的两位杰出获奖者，分别是来自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事长兼首席技术官Jim Cable和中芯集成电路(宁波)有限公司的
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Soitec参加第七届SOI产业高峰论坛，全方位助力5G发展
作为设计和生产创新半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于9月16日和17日出席了第七届上海FD-SOI论坛和国际RF-SOI研讨会，探讨SOI及其它优化衬底如何助力5G及AIoT快速发展。本届由SOI国际产业联盟举办的峰
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5G快车道上，优化衬底需求战已打响
众所周知现今中国正处在由4G到5G的转变进程中，自6月初四大运营商获得工信部授予的5G商用牌照起，国内半导体行业就已打响5G的“突击战”。优化衬底作为半导体生态系统的重要组成部分， 5G对于优化衬底的需求则更大。7月11日21ic中国电子网记者受邀参加Soitec主题为“优化衬底，赋能5G”的论坛宣讲和采访活动。
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除了SOI，Soitec还有GaN与远方
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，Soitec于约两月前以3000万欧元的价格收购了氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN。通过此次收购，Soitec在其不断增长的硅基和化合物半导体产品系列中增加了GaN技术，也将借助GaN在5G中的优势，进一步扩大功率放大器市场。
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Soitec发布2019财年报告，销售额劲增42%
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于6月12日公布了2019财年的全年业绩(截至2019年3月31日)。 财务报表[1]已于当日会议上获董事会批准。
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Soitec收购EpiGaN nv，优化衬底产品整合氮化镓(GaN)优势
法国Soitec半导体公司日前宣布，已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议，以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时，这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF(射频)、5G、电子元器件和传感器应用。预计未来五年内，GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至一百万个晶圆。
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携SOI技术助力半导体制造，Soitec宣布中国市场发展新战略
作为设计和生产创新半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司日前宣布在中国开启销售渠道。
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SOI与FinFET技术谁更优
法国Soitec已实现FD-SOI晶园的高良率成熟量产，其300mm晶圆厂能够支持28nm、22nm及更为先进的节点上大规模采用FD-SOI技术。如今，全球有三家位于三大洲的公司能够供应FD-SOI晶圆，包括法国Soitec、日本信越半导体(SHE)、美国SunEdison。这三家公司均采用了行业标准的SOI晶园制造技术，智能剥离(Smart Cut™)。
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Peregrine UltraCMOS推进RF SOI性能新进化
Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进的射频解决方案的领先公司。在去年年底村田制作所完成对Peregrine的收购之后，双方开展了基于Peregrine先进技术UltraCMOS和合作。Peregrine产品营销总监
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