RRAM

中科院微电子所在28nm RRAM存内计算电路取得进展

物联网与人工智能技术的迅猛发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高的要求，基于新型存储器的非易失存内计算技术可以实现数据的原位存储与计算、最小化数据搬运带来的功耗与延迟开销，从而大幅提升边缘设备的数据处理能力与效能比。然而，由于基础单元特性的非理想因素，阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬件开销，非易失存内计算仍然面临计算性能与能效方面的限制。围绕上述关键问题，微电子所刘明院士团队采用跨层次协同设计的方法，提出了高并行与高效能比的新型RRAM存内计算结构。

英飞凌携手台积电将RRAM技术引入至AURIX™ TC4x汽车微控制器产品系列

【2022年12月7日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）和台积电近日宣布，两家公司准备将台积电的可变电阻式记忆体制程技术引入至英飞凌的新一代MCU AURIX™微控制器中。

兆易创新宣布与Rambus签订专利授权协议

中国北京(2020年5月12日) - 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice今日宣布，与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。

Intel继续“打磨”22nm工艺 生产超强寿命RRAM芯片

随着Intel在本月开始出货10nm工艺处理器，Intel在先进半导体工艺上将转向14nm为主、10nm加速量产及推进7nm落地。除了这些工艺之外，Intel之前还有一些工厂是生产22nm工艺的，它们

RAM、RRAM和DRAM三者有什么区别？

RRAM与DRAM的区别在哪？

日前，一年一度的中国存储峰会在北京如期举行，“数据中流击水，浪遏飞舟”是今年大会主题，论道存储未来，让数据释放价值，业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读，干货满满。

看中物联网市场如何抢攻40nm

你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。不过,在内存天下三分的大背景下,新一代存储技术3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音, RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。

RRAM如何能让微控制器与嵌入式内存大变革？

物联网(IoT)的出现和人类生活对智能设备永不满足的需求正驱动着传统智慧在微控制器和嵌入式内存市场的彻底变革。随着电子设备智能化程度的提高，软件编码增大，需要加快处理

中芯国际与RRAM领军企业Crossbar达成战略合作协议

中芯国际集成电路制造有限公司，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路 晶圆代工企业，与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar，今日共同宣布双方就非易失性RRAM开发与

Crossbar新型RRAM芯片 邮票大小存储1TB数据

位于美国加州的创业公司 Crossbar 今天发布了一种新型的芯片，能以邮票大小的体积存储 1TB 的数据。这种芯片采用 RRAM 技术(可变电阻式记忆体，Resistive Random Access M

闪存技术撞墙了？RRAM有望接下下一棒

闪存技术撞墙了，如果不这个圈子里的人可能难以体会到。去年3D X-point技术不还刷屏朋友圈嘛?今年搭载这种新技术的SSD——“Optane”系列即将出货了。看起来似乎闪存技术的发展势头正猛，但圈内人其实早已忧心忡忡，因为他们知道，闪存技术的发展已经遇到了难以突破的瓶颈了。

RRAM领军者Crossbar正式进军中国存储市场

阻变式存储器(RRAM)技术的领导者Crossbar公司今日宣布正式进军中国市场，并在上海设立新的办事处。Crossbar公司首席执行官George Minassian博士表示：“中国是电子行业发展最快的市场，亦是绝大多数产品的制造