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一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
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比较 N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET：哪种最适合您的应用？
它们的反向掺杂分布是主要区别：p 通道 MOSFET 依靠空穴作为多数电荷载流子，产生空穴电流，而 n 通道器件利用电子，产生电子电流。由于电子的迁移率较高，约为空穴的两到三倍，因此在 p 通道器件中移动空穴比在 n 通道器件中移动电子更具挑战性。
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提高功率密度和效率的共漏极双N沟道60 V MOSFET，你知道吗？
你知道提高功率密度和效率的共漏极双N沟道60 V MOSFET吗?它有什么特点?2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。
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东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–
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东芝面向汽车应用推出40V N沟道低导通电阻功率MOSFET
21ic讯东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布面向直流-直流转换器、电动助力转向系统(EPS)大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用推出40V N沟道功率MOSFET。MOSFET产品阵容的最新产品“TKR74F04PB”出货即日启动。
