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Hprobe携先进磁性测试解决方案，首度亮相 SEMICON China 2026
加码布局中国市场，助力MRAM与磁传感器的本土研发与制造
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MRAM 相较于其他内存技术的相对优势
在信息技术飞速发展的当下，内存技术作为计算机及各类电子设备的关键支撑，其性能的优劣直接影响着设备的运行效率与功能实现。MRAM(磁阻随机存取存储器)作为一种新兴的内存技术，正逐渐崭露头角，与传统的内存技术如动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)以及闪存(Flash Memory)相比，展现出了显著的相对优势。
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恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM
荷兰埃因霍温——2023年5月22日——恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI)近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件升级。利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合，为向软件定义汽车演进打造理想的硬件平台。
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新一代存储器发威 MRAM开启了下一波储存浪潮
目前有数家芯片制造商，正致力于开发名为STT-MRAM的新一代存储器技术，然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中，结合数种
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群联宣布与Everspin合作 新一代企业级SSD主控将整合MRAM内存
企业服务器应用近年来逐渐大量采用SSD，特别是TLC、QLC闪存正在迅速普及，它们带来了更大的容量、更低的成本，但是性能、可靠性也是不断下降的，如何通过整合各种新兴內存技术来提升现行主流SSD的性能及
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新型存储器大规模量产在即，一台Endura系统搞定30层原子薄膜沉积
摩尔定律已经趋缓，现在的增长每年只有几个百分点，所以芯片计算系统的性能也不再能延续过去30多年内的高速增长。工艺节点的突破之外，还可以在整体计算架构上来想办法。很多新的概念被提了出来，其中有一种思路就是提高存储器与计算芯片之间的数据交换效率，甚至做到存储内计算芯片--即存算一体化。
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重大突破！清华大学团队突破 MRAM 技术瓶颈
台湾科技部在14日发表由清华大学团队研发出的最新磁阻式随机存取内存(MRAM)技术，称对半导体产业发展将有决定性的影响力。
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改变半导体格局，三星开始大规模生产MRAM
三星3月6日宣布，已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行了仪式，标志着新内存产品的首次发货。
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全新存储技术！Intel MRAM已可量产：200℃高温能用10年
多年来，半导体行业的标准存储格局一直是DRAM内存＋HDD机械硬盘/SSD固态硬盘，不过各家巨头也一直在探寻新的、更好的方案，比如Intel的傲腾，就致力于消弭内存与硬盘之间的鸿沟。还有一种方案就是M
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联电与Avalanche合作开发28nm MRAM存储芯片
UMC台联电也给自家的28nm找到了新的领域，他们宣布与美国Avalanche公司合作研发28nm工艺的MRAM存储芯片。
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下一代存储技术都包含什么技术
也该是时候了，经过十多年的沉潜，这些号称次世代记忆体的产品，总算是找到它们可以立足的市场，包含FRAM(铁电记忆体)，MRAM(磁阻式随机存取记忆体)和RRAM(可变电阻式记忆体)，在物联网与智能应用的推动下，开始找到利基市场。
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嵌入式存储器的过去与现在
随着超大规模集成电路工艺的发展，人类已经进入了超深亚微米时代。先进的工艺使得人们能够把包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上
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嵌入式存储器的过去与现在
随着超大规模集成电路工艺的发展，人类已经进入了超深亚微米时代。先进的工艺使得人们能够把包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上
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基于magnum II测试系统的MRAM VDMR8M32测试技术研究
摘要: VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM)，可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理，其次详细
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基于magnum II测试系统的MRAM VDMR8M32测试技术研究
VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM)，可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理，其次详细阐述了基于magnum II测试系统的测试技术研究，提出了采用magnum II测试系统的APG及其他模块实现对MRAM VDMR8M32进行电性测试及功能测试。其中功能测试包括全空间读写数据0测试，全空间读写数据1，以棋盘格方式进行全空间读写测试。另外，针对MRAM的关键时序参数，如TAVQV（地址有效到数据有效的时间）、TELQV（片选使能到数据有效的时间）、TGLQV（输出使能到输出数据有效的时间）等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成MRAM的时序配合，从而达到器件性能的测试要求。
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STT看好MRAM的原因是啥
随着更多业者进入MRAM市场，STT执行长Barry Hoberman在日前受访时谈到了MRAM带来的商机及其可能取代现有主流存储器技术的未来前景。
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嵌入式存储器的过去与现在
近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用22nm工艺。这种次世代存储将能够为物联网、行动装置、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快和耗电更低的存储效能。台积电此举让嵌入式存储器再度回到人们的视线中。本文将为你阐述嵌入式存储器的前世今生。
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从磁性随机存取存储器到磁性逻辑单元
磁性随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器技术，正在作为一种主流的数据存储技术被业界所广泛接受。它集成了一个磁阻器件和一个硅基选择矩阵。MRAM的关键属性有非易失性、低电压工作、无限次读写的耐用性、快速
