MOSFET
-
东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率
中国上海，2026年6月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
-
碳化硅赋能浪潮教程：CJFET缓冲电路的设计逻辑
摘要：碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》《利用SiC CJFET替代超结MOSFET》，本文将介绍CJFET通常需要配置缓冲电路的原因。
-
英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER™栅极驱动，在降低物料清单成本的同时提升功率级利用率
【2026年6月17日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了专为纯电动汽车(BEV)牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列：EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET，相比市面上常见的解决方案，可让特定功率级释放出更多可用性能，并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂(OEM)和一级供应商(Tier-1)减少所需的外部元件数量并降低逆变器控制电子设备的物料清单(BOM)成本。
-
基于特斯拉线圈的DIY等离子体疗愈机
在我的之前几段视频中，我向大家介绍了制作Rife机器的不同方法，从最简单的使用金属电极作为频率传递介质的版本，到更先进的等离子体Rife机器。这一次，我将重点介绍更高级的版本，这些版本与原始设备一样，都采用等离子体作为向周围环境辐射的媒介。
-
碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET
摘要：碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》。本文将介绍利用SiC CJFET替代超结MOSFET以及开关电源应用。
-
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。
-
英飞凌推出CoolSET™ SiP系列新品，扩展输出功率范围，助力满足欧盟能效法规
【2026 年 6 月 11 日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出三款CoolSET™ 系统级封装(SiP)新型号：ICE188LM、ICE189LM 和 ICE180LM，进一步扩展其支持的输出功率范围，助力白色家电制造商满足日益严苛的欧盟能效及待机功耗法规要求。CoolSET™ SiP将高压MOSFET、一次侧PWM控制器、二次侧同步整流(SR)控制器、增强型电气隔离以及全面保护功能集成在单一封装中。这种高度集成化设计可减少系统损耗、降低元器件用量，并简化家电(功率最高150W)节能辅助电源的设计。
-
英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用
【2026年6月11日, 德国慕尼黑讯】绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以RDS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。
-
Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
美国东部时间 2026 年 6 月 9 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市 — 碳化硅 (SiC) 领域行业引领者 Wolfspeed 公司宣布推出第五代 (Gen 5) 技术，将为下一代 1200 V 和 750 V 汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。
-
英飞凌 EasyPACK™ S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用
【2026年6月9日, 德国慕尼黑讯】无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33 x 36 mm²，在确保可靠热性能与低电磁干扰的同时，显著助力系统小型化。首批采用这种新封装方式的模块集成了英飞凌的 1200 V CoolSiC™ MOSFET G2以及IGBT4 和1200 V IGBT7 等技术。
-
ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”!
中国上海，2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。
-
详解三相维也纳PFC的主要功率器件损耗计算和热设计
在新能源发电、电动汽车充电以及工业电源等领域，三相维也纳功率因数校正(PFC)电路凭借其高功率密度、低谐波失真和高功率因数等优势，成为了AC-DC转换的核心拓扑之一。然而，随着功率等级的不断提升，功率器件的损耗与热管理问题愈发突出，直接影响着系统的效率、可靠性和使用寿命。
-
罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。
-
东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。
-
英飞凌推出全新XHP™ 2 CoolSiC™高功率模块，显著提升高压能源系统的效率与功率密度
【2026年5月20日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出采用2300V CoolSiC™ MOSFET的新型XHP™2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。该模块专为高压电力系统设计，最高支持1500V直流母线电压，契合行业向更高系统电压发展的趋势。该模块还提供多种规格，导通电阻(RDS(on))在1mΩ至2mΩ之间，绝缘电压为4kV或6kV。与传统硅基解决方案相比，这款新产品采用碳化硅(SiC)技术，显著降低了开关损耗与导通损耗，从而使逆变器实现更高效率和更高功率密度，或以更高开关频率运行以降低谐波并缩小系统尺寸。全新XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET模块适用于可再生能源领域，包括风电、光伏及电池储能系统等应用。
-
东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD™系列IC样品
-集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器，实现小型车载电机的直接驱动-
-
三安光电联手麦格米特，抢占低空经济亿万赛道先机
厦门2026年5月7日 /美通社/ -- 万亿级低空经济风口之下，无人机正成为赛道核心发力点，而续航短、稳定性不足等行业痛点，始终制约着产业规模化发展。以碳化硅为代表的第三代半导体功率器件，凭借优异性能突破电机驱动技术瓶颈，正成为低空飞行器飞得更久、更稳的核心支撑。 作为国...
-
半导体材料特性对导通电阻的影响
在电力电子技术领域，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为核心功率器件，其性能直接决定了整个电力电子系统的效率、体积和可靠性。导通电阻($R_{DS(ON)}$)是MOSFET的关键参数之一，它不仅影响器件的导通损耗，还与器件的电流承载能力、热稳定性密切相关。随着宽禁带半导体技术的兴起，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其优异的材料特性，逐渐在中高压、高频率电力电子应用中取代传统硅(Si)MOSFET。
-
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%!
中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
-
Vishay荣获欧摩威汽车系统(长春)有限公司2025年供应链卓越奖
公司凭借其杰出贡献连续第三年获此奖项
1094956558
kingun
hxx001
跃迁
shilingdao2005
ankerd
寻梦者在路上
555ter4yrthtr0
落叶行健ywm
赛元MCU3
6551130
flyleopard
sxhhhjicbb
shyan2812
williamfang
woody96
hanfly
酷洵软件
LONGXIA
tjwhl
