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ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT
中国上海，2026年6月25日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)=1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*²，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*³。
巧克力娃娃
中国上海，2026年6月25日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)=1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*²，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*³。
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