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GaN器件在AC-AC适配器中的应用：如何通过高频化将效率提升至97%？
电力电子系统正经历从"功能实现"向"能效革命"的范式转变，氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其3.4电子伏特的超宽禁带、2000cm²/V·s的高电子迁移率以及5MV/cm的理论击穿场强，为AC-AC适配器的高频化设计提供了物理层面的突破口。以港晟电子推出的1kW图腾柱无桥PFC+LLC氮化镓电源方案为例，其通过高频化设计实现97.2%的峰值效率，较传统硅基方案提升5个百分点，验证了GaN器件在能效提升中的核心价值。
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GaN器件在紧凑型适配器中的应用：高频开关与EMI挑战解决方案
用户对充电效率与设备便携性的双重需求催生了紧凑型适配器的技术革新。氮化镓(GaN)器件凭借其高频开关特性与低损耗优势，成为突破传统硅基适配器性能瓶颈的核心技术。然而，高频开关带来的电磁干扰(EMI)问题，以及紧凑设计下的散热与可靠性挑战，成为制约GaN适配器大规模应用的关键因素。本文结合实际案例与技术数据，系统阐述GaN器件在紧凑型适配器中的高频开关优势及EMI解决方案。
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ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC
采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能
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ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化
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世代更替
人类世代的演变很慢，在现在人们的记忆中，有“婴儿潮”一代，然后是X世代、千禧一代（Y世代）和Z世代，最后到现在又奇怪地称为“A”世代。我觉得这是因为字母已经被用光了。而在半导体领域，世代的发展较快，从2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET开始，UnitedSiC SiC FET现已发展到了第4代。
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ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术
～解决了GaN器件的栅极耐压问题，并有助于基站和数据中心等领域的电源实现更低功耗和小型化～
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浅谈GaN器件与数据中心的关系
在我们现在的日常生活中，每天都有不断增长的数据被产生、存储及服务，而社交网络、在线视频、物联网设备和汽车高级驾驶员辅助系统(ADAS)则是这些数据尤其主要的贡献者。以ADAS为例，数据存储咨询公
