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GAA晶体管的物理极限，纳米片结构FinFET的量子隧穿抑制策略
在半导体技术持续向纳米尺度推进的过程中，晶体管结构的创新成为突破物理极限的关键。从FinFET到GAA(全环绕栅极)晶体管的技术迭代，本质上是对量子隧穿效应、短沟道效应等微观物理现象的主动应对。GAA晶体管通过纳米片或纳米线结构实现栅极对沟道的四面包裹，而FinFET则依赖三维鳍片结构抑制漏电流。两者在技术路径上的差异，折射出半导体行业在追求更高集成度与更低功耗过程中面临的深层挑战。
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英特尔：重构FinFET
英特尔院士鲁斯·布莱恩（Ruth Brain）称SuperFin将重构FinFET工艺，并表示10纳米SuperFin将是英特尔有史以来最大的单节点内性能提升。
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FinFETs + FD-SOI 方案：可以更节省电力
俄勒冈州波特兰市——按照我们许多人认为的典型的非黑即白/非此即彼的方式，大多数半导体制造商做出的选择是 FinFET(鳍式场效应晶体管)或 FD-SOI(完全耗尽的绝缘体上硅)。然而，由于台积电 (TSMC)、GlobalFoundries Inc. (加利福尼亚州圣克拉拉市) 和三星 (韩国首尔) 等代工厂必须为其客户提供这两种能力，因此越来越多的半导体制造商正在考虑提供两全其美。
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台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入2nm研发：终于告别FinFET
台媒称，三星已决定在3nm率先导入GAA技术，并宣称要到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位，台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，成功找到切入GAA路径。
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英特尔第三次专利无效申请失败！中科院微电子所再度获胜
近日，国家知识产权局发出第51731号复审决定，裁定由英特尔(中国)有限公司于2020年12月4日提出的，针对中国科学院微电子研究所的发明名称为“半导体器件及其制作方法、及半导体鳍制作方法”(FinFET专利)的ZL201110240931.5号发明专利，维持专利权有效。这也意味着，在中科院微电子与英特尔的交锋中，中科院微电子所再度获胜。
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Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET
FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比，与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是，随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积，FinFET的效用已经趋于极限。
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车用SoC如何克服多重图形与FinFET挑战
在今年度的国际固态电路会议（ISSCC 2016）上，有两款车用系统单芯片（SoC）成为数位处理器议程中最有趣、最大胆创新的芯片技术展示；它们比分别由联发科（MediaTek）与AMD所发表
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物联网应用带动FD-SOI制程快速增长
物联网（IoT）应用将带动全耗尽型（Fully Detleted）制程技术加速成长。为满足低功耗、低成本、高效能之设计需求，格罗方德（GlobalFoundries）除持续发展14纳米及7纳
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三星将加速推动5G商用化
5G时代即将拉开序幕。近日，雄安新区规划纲要落地，与雄安新区创新驱动战略息息相关的网络通信基础设施实施千兆光纤一步到位，率先规模商用实验5G 。目前，中国移动已经完成在雄安新区首个5G-V2X自
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中芯国际披露第二代14nm：性能提升20％、功耗降低60％
2019年，中芯国际量产了国内最先进的14nm工艺制程，并已为华为麒麟710A处理器等进行代工。目前，中芯国际正在回归A股上市，计划募资200亿元，主要就是投入14nm等先进工艺的开发。 6月7日晚间
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摩尔定律延寿数十年 FinFET晶体管发明人胡正明获IEEE荣誉奖章
日前IEEE电子电器工程师协会宣布，FinFET晶体管发明人胡正明（Chenming Hu）获得了2020年的IEEE 荣誉奖章，这是IEEE协会的最高奖励，这一技术使得摩尔定律延寿了数十年。 自从1
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芯片制程之战 | 最烧钱的技术战
2 020年伊始，全球半导体先进制程之战已然火花四射。从华为和苹果打响7nm旗舰手机芯片第一枪开始，7nm芯片产品已是百花齐放之势，5nm芯片也将在下半年正式首秀。这些逐渐缩小的芯片 制程数字，正是全球电子产品整体性能不断进化的核心驱动力。 通往更先进制程
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台积电首次公布3nm工艺详情：FinFET技术 2021年试产
尽管2020年全球半导体行业会因为疫情导致下滑，但台积电的业绩不降反升，掌握着7nm、5nm先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上，台积电也首次正式宣布3nm工艺详情，预定在2022年下半年量产。
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重磅！中芯国际拟科创板上市
最新消息显示，国内晶圆代工龙头中芯国际公告称，将谋求科创板上市。 5月5日，中芯国际宣布公司于2020年4月30日，董事会通过决议案批准建议进行人民币股份发行、授出特别授权及相关事宜，但需取决并受限于市况、股东于股东特别大会批准以及必要的监管批准。
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将入矿机行业？传中芯国际将与“矿机大佬”合作
根据财联社消息称，中芯国际与嘉楠科技合作的14nm矿机芯片已完成测试，将于今年第二季度量产出货。 知情人士表示，双方合作始于2019年年底，但能否量产要看行情。据了解，中芯国际曾多次尝试进入矿机行业，但均未有实质进展。 今年1月，中芯国际官方表示中芯
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中芯国际7nm工艺Q4季度问世：性能提升20% 功耗降低57%
台积电、三星今年就要量产5nm工艺了，国内的先进工艺还在追赶，最大的晶圆代工厂中芯国际去年底量产了14nm工艺，带来了1%的营收，收入769万美元，不过该工艺技术已经可以满足国内95%的需求了。 14
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Achronix推出突破性的FPGA系列产品，以面向高带宽数据加速应用的灵活性而将性能提升到全新高度
Achronix半导体公司宣布：推出创新性的、全新的FPGA系列产品，以满足人工智能/机器学习（AI/ML）和高带宽数据加速应用日益增长的需求。
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国产半导体崛起！这家公司年底量产28nm HKC+，明年量产14nm FinFET
华力微电子今年年底将量产28nm HKC+工艺，明年年底则将量产14nm FinFET工艺。
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英特尔已准备好大批量生产eMRAM，基于FinFET工艺
不管是DRAM内存还是NAND闪存，最近都在跌价，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。根据他们的报告Q1季度内存市场均价跌幅将达20%，Q2
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进度加快，中芯国际14nm量产时间将远早于预期！
有台湾媒体报道称，中芯国际(SMIC)将于今年上半年开始应用其自主开发的14纳米FinFET制造技术进行大规模生产。值得注意的是，这比最初预期至少提前了几个季度，表明中芯国际的生产显然比计划提前了。
