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ROHM推出支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管
中国上海，2026年4月2日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出兼具业界超低动态电阻(Rdyn)*1和超低电容特性的ESD(静电放电)保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。
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Nexperia推出专为汽车ESD保护优化的全新高速倒装芯片封装技术
全新倒装芯片栅格阵列(FC-LGA)封装提供出色的射频性能，采用侧边可湿焊盘，满足车规级质量要求
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Nexperia推出适用于24 V电源系统的车载网络ESD保护产品组合
各种封装、电容等级和36 V VRWM为商用车辆应用提供了设计灵活性
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如何采取预防措施来防止或尽量减少因 ESD 事件造成的损害
我敢肯定，我们都至少失去了一块心爱的电路板，因为工程师的最爱——ESD。因意外 ESD 撞击而损坏的电子元件和电路板每年会造成数百万美元的损失。作为工程师，我们应该采取一切预防措施来防止或尽量减少因 ESD 事件造成的损害。考虑到当今环境中存在如此多的变量，创建稳健的 ESD 设计似乎是一项艰巨的任务。然而，我们可以做很多简单的事情来将风险降到最低。在深入探讨 ESD 安全的“注意事项”之前，让我们看看是否可以揭开 ESD 测试相关术语的神秘面纱。
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RS-485 基础知识：RS-485 接收器
在这篇文章中，我将讨论 RS-485 接收器和 RS-485 标准中的相关参数。RS-485 收发器(例如SN65HVD7x 半双工系列)具有等效的接收器输入原理图，如图 1 所示。 1) 接收器输入电路由静电放电 (ESD) 保护、电阻分压器网络和偏置电流，所有这些都在塑造到达差分比较器的幅度和共模电压方面发挥作用。
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EMC对策产品: TDK扩大了内置ESD保护功能的陷波滤波器阵容
新的陷波滤波器同时实现了ESD保护和最大频率为5.3 ㎓频段噪声抑制。抑制无线通信中产生的TDMA噪声，提高无线信号接收灵敏度。强大的静电保护能力(符合IEC61000-4-2的4级标准)。
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深度回弹 ESD 电路保护二极管存在的危险
随着技术的不断进步，许多科技公司都专注于将越来越多的芯片组挤入更小的空间。结果，自集成电路发明以来，芯片组的尺寸一直在缩小。随着芯片组尺寸不断缩小，它们对静电放电 (ESD) 等不受欢迎的电压瞬变变得更加敏感。
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为空间狭小型移动和有线通信设备提供理想选择
2022年2月7日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始备货Vishay Intertechnology的VEMI256A-SD2双通道EMI滤波器。VEMI256A-SD2设计为双通道滤波器阵列，有助于抑制电磁干扰 (EMI) 和射频干扰 (RFI) 以提供两条保护路径，同时为接口线路滤波提供强大的系统级静电放电 (ESD) 保护。
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欠PCB一份ESD保护电路设计！
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如：穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正向偏置的PN结；熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备...
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同步BUCK降压变换器开关节点负压尖峰及影响
同步BUCK降压变化器开关节点SW的电压波形VSW如图1所示，Vin=19V，Vo=1V，fsw=900k，L=250nH，在保证测量方法正确的前提下，可以发现，开关节点的电压VSW的下降沿，会出现负压尖峰，图1中的负压尖峰为-6.9V。 图1：同步BUCK变化器工作波形 功率M...
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安森美便携消费类设备应用的完整ESD及EMI保护方案
静电放电（ESD）保护及电磁干扰（EMI）正在成为所有电气设备越来越重要的考虑因素。消费者要求智能手机等便携/无线设备具有更多功能特性及采用纤薄型工业设计，这就要求设计人员要求更加注重小外形
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汽车电子中的ESD保护应该怎样来设计
汽车电子是当前一个热门开发领域，中国汽车市场的蓬勃发展为本土汽车电子产业带来了新的机遇。越来越多的企业纷纷加大了在汽车电子产品上的投入力度，包括ECU、ABS、DVD、GPS、HVAC、CANB
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USB3.0 接口上低的钳位电压TVS 应用
USB3.0 标准于2008年报1月制定,数据传输速率每秒达5Gbps,比USB2.0快了10倍,一张容量25G的高画质DVD,可在70秒内传输完毕,但若使用USB2.0规格,则需13分钟,USB3.0应用领域将从
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全面了解cmos电路中esd保护结构原理及应用
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。
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Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列为无线和平板电脑设备提供全面的ESD保护
Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商，日前宣布推出了低电容瞬态抑制二极管阵列，该产品专为保护可能经历破坏性静电放电 (ESD)的电子设备进行了优化。 SP814
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ADI推出提供可最高ESD保护的多点低压系列LVDS收发器
Analog Devices， Inc.全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出一系列多点、低电压、差分信号(M-LVDS)收发器ADN469xE，具有所有多点LVDS 收发器中最高的ESD(静
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集成高速串行接口的EMI滤波及ESD保护问题
近年来，智能手机已经成为整体手机市场中增长速度最快的领域。对于智能手机而言，在连接显示屏、摄像头及数据端口I/O的接口方面，正越来越多地通过串行接口标准提供差分信令
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USB 3.0应用的ESD保护设计
USB是通用串行总线的简称，这是目前个人计算机与其它外部设备联机使用最为广泛的一种传输接口。该接口最初由英特尔与微软公司倡导发起，其最大的特点是支持热插拔和随插即用
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RASMID产品阵容新增TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”
21ic讯，全球知名半导体制造商ROHM面向市场日益扩大的智能手机和可穿戴式 设备等，开发出01005尺寸（0402mm）业界最小级别的TVS二极管“VS3V3BxxFS系列”。此次开发的新产品是ROHM世界最小元器件“
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CMOS电路ESD保护结构设计
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展， CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。
