-
TrendForce集邦咨询：Consumer DRAM紧缺态势延伸DDR2产品，第三季合约价将持续上扬
Jun. 22, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新研究显示，由于成熟制程DRAM供给结构性紧缩，迫使Consumer DRAM需求方采用旧世代产品以取得较多的DRAM供应配额，带动近期产业出现新一波旧世代Consumer DRAM颗粒采购需求，使得包括DDR2、DDR3等世代的Consumer DRAM颗粒合约价将延续2026年第一季的上涨动能，预估DDR2第二季合约价涨幅将达约55-60%，第三季预估将进一步上涨35-40%。
-
深度解析SRAM与DRAM的区别
在计算机存储体系中，SRAM(静态随机存取存储器)与DRAM(动态随机存取存储器)是两大核心内存类型，二者共同构成了计算机的“短期记忆”系统。尽管都用于临时存储数据，但它们在工作原理、性能表现、成本结构、应用场景等方面存在本质差异。
-
TrendForce集邦咨询: 合约价快速上涨，1Q26 DRAM产业营收季增81%
Jun. 1, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季因一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价加速上涨，季增幅度高达93-98%，激励产业整体营收季成长81%，达970亿美元。随着AI应用由大型语言模型(LLM)训练逐步转至AI推理，云端服务供应商(CSP)数据中心建设重点也从AI Server延伸至通用型Server，带动存储器采购需求由HBM3e、LPDDR5X及高容量RDIMM，扩大至各容量规格的RDIMM产品。
-
TrendForce集邦咨询：DRAM持续供不应求，预估2027年HBM合约价将倍数上涨
Jun. 2, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新研究指出，自2H25以来，一般型DRAM(Conventional DRAM)价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。
-
应用材料公司发布2026财年第二季度财务报告
2026年5月14日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司(纳斯达克：AMAT)今日公布了其截止于2026年4月26日的2026财年第二季度财务报告。
-
TrendForce集邦咨询: 产能有限叠加订单转移效应，三月份Consumer DRAM价格涨幅集中在4Gb以下产品
April 7, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月整体价格已累积惊人涨幅。TrendForce集邦咨询考量供给持续缩减、订单转移，以及成熟制程供应商产能扩张不及等因素，预估2026年第二季Consumer DRAM合约价格仍将持续季增45-50%。
-
三星代工绝地反击：狂揽特斯拉165亿大单，切入NVIDIA/AMD供应链
3月22日，据韩国主流财经媒体最新报道，长期被视为三星电子“包袱”的晶圆代工业务，正迎来历史性的拐点。
-
SK海力士直言2026年产能全售罄，阿里云率先涨价34%
全球电子产业链正经历一场前所未有的存储危机。在人工智能(AI)算力需求爆发与先进制程产能扩张缓慢的双重挤压下，全球存储芯片市场已正式从“买方市场”彻底逆转为“卖方市场”。
-
SRAM与DRAM的区别对比
在计算机系统的存储架构中，随机存取存储器(RAM)是支撑系统高速运行的核心组件，而其中的静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)，就像一对性格迥异却又默契十足的双子星，各自在不同的领域发挥着关键作用。它们从结构、性能到应用场景都存在着显著差异，共同构建起计算机高效的数据存取体系。
-
TrendForce集邦咨询： 涨价效应带动2025年第四季度 DRAM产业营收成长达29.4%
Feb. 26, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于AI应用由LLM模型训练延伸至推理，推动CSPs业者的数据中心建置重心由AI Server延伸至General Server，进一步推动存储器采购重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各类容量的RDIMM，积极释出追加订单，带动Conventional DRAM的合约价大幅上涨，2025年第四季DRAM产业营收为535.8亿美元，较上季度增加29.4%。
-
TrendForce集邦咨询: 2026年第一季度存储器价格全面上涨，各类产品季增幅度将创历史新高
Feb. 2, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，TrendForce集邦咨询据此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。
-
人均64万元！内存巨头发放巨额年终奖
1月20日消息，全球内存疯涨让原厂赚得盆满钵满，纷纷给员工发放丰厚的年终奖。
-
TrendForce集邦咨询: AI运算架构升级推升存储器市场产值有望于2027年再创高峰，预估年增率超过50%
Jan. 22, 2026 ---- 根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新研究，AI的创新带来市场结构性变化，数据的存取量持续扩大，除了依赖高带宽、大容量且低延迟的DRAM产品配置，以支撑大型模型参数存取、长序列推理与多任务并行运作之外，NAND Flash也是高速数据流动的关键基础元件，因此存储器已成为AI基础架构中不可或缺的关键资源，更成为CSP的兵家必争之地。在有限的产能之下必须达成更多的分配，带动报价不断上涨，连带使得整体存储器产业产值逐年创高，预估2026年达5,516亿美元，2027年则将再创高峰达8,427亿美元，年增53%。
-
溢价太离谱！三星新一代笔记本直接涨价超3300元
1月20日消息，即便玩家们已经对2026年的电子产品普涨有了心理准备，但三星最新给出的定价策略依然让人完全意想不到。
-
TrendForce集邦咨询: 美光收购力积电铜锣晶圆厂，2027年全球DRAM供给或将上修
Jan. 19, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新DRAM产业调查，随着Micron(美光科技)计划以18亿美元收购PSMC(力积电)在铜锣的厂房(不含生产相关机器设备)，双方将建立长期的DRAM先进封装代工关系，此次合作将有利于Micron增添先进制程DRAM产能，并提升PSMC的成熟制程DRAM供应，预估2027年全球DRAM产业供给将有上修空间。
-
Cadence 采用下一代低功耗 DRAM 和 Microsoft RAIDDR ECC 技术，为人工智能应用提供企业级可靠性
业界首款专为数据中心设计、采用 RAIDDR ECC 算法的 LPDDR5X IP 系统解决方案
-
TrendForce集邦咨询: 原厂产能倾向Server应用，2026年第一季度各类存储器产品价格全面持续上涨
根据TrendForce集邦咨询最新调查，2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM应用，以满足AI Server需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价将季增55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能，和Server强劲拉货排挤其他应用，预计各类产品合约价持续上涨33-38%。
-
首款2nm芯片三星Exynos 2600没有集成5G基带：需要单独外挂
12月23日消息，三星在本月推出了Exynos 2600，这是全球首款2nm手机芯片。不过三星做出了一个颇为反常的举动—未在Exynos 2600中集成5G基带，此举可能是为了简化应用处理器的制造流程。
-
SRAM与DRAM的区别
在计算机和电子设备中，内存是数据存储与访问的核心组件，直接影响系统性能与效率。SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)作为两种主流内存技术，各自占据独特生态位。
-
TrendForce集邦咨询: DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强
Dec. 18, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随之走扬，但是预期未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距仍将明显收敛。
