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晶圆CMP为何越抛越不平？终点为何总在图形切换处失手？
CMP被看作把晶圆表面重新拉平的一道工序，但真正难控制的不是平均去除率，而是局部图形怎样改写了受力与化学反应。图形密度效应和终点误判，经常一起把平坦化做成新的形貌误差源。
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晶圆抛光过程
抛光过程随着集成电路(Integrated circuit,IC)制造技术的不断发展，芯片特征尺寸越来越小，互连层数越来越多，晶圆直径也不断增大。要实现多层布线，晶圆表面必须具有极高的平整度、光滑度和洁净度，而化学机械抛光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圆平坦化技术，它与光刻、刻蚀、离子注入、PVD / CVD 一起被称为 IC 制造最核心的五大关键技术。
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半导体制造关键工艺装备CMP，国产装备崛起
CMP 设备是半导体制造的关键工艺装备之一。CMP 是集成电路制造大生产上产出效率最高、技术最成熟、应用最广泛的纳米级全局平坦化表面制造设备，并且在较长时间内不存在技术迭代周期。而且随着芯片制造技术发展，CMP 工艺在集成电路生产流程中的应用次数逐步增加，将进一步增加 CMP 设备的需求。根据 SEMI，2018 年全球 CMP设备的市场规模 18.42 亿美元，约占晶圆制造设备 4%的市场份额，其中中国大陆 CMP 设备市场规模 4.59 亿美元。另外，CMP 设备是使用耗材较多、核心部件有定期维保更新需求的制造设备之一;除了用于晶圆制造，CMP 还是晶圆再生工艺的核心设备之一，CMP 设备厂商有望向上游耗材、下游服务领域延伸。
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数据处理指令之： CMP比较指令
CMP（Compare）比较指令使用寄存器Rn的值减去operand2的值，根据操作的结果更新CPSR中相应的条件标志位，以便后面的指令根据相应的条件标志来判断是否执行。
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高介电常数栅电介质/金属栅极的FA CMP技术
高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是“先栅极”和“后栅极”。“后栅极”又称为可替换栅极(以下简称RMG)，使用该工艺时高介电常数栅电介质无需经过高温步骤，所以VT偏移很小，芯片的可靠性更高。
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多核处理器的九大关键技术
与单核处理器相比，多核处理器在体系结构、软件、功耗和安全性设计等方面面临着巨大的挑战，但也蕴含着巨大的潜能。CMP和SMT一样，致力于发掘计算的粗粒度并行性。CMP可以看
