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矽典微发布新一代智能毫米波传感器，微耗远探拓展无限潜能！
2023年7月11日，矽典微发布新一代智能毫米波传感器SoC ICL1112、ICL1122两款芯片。提升了超低功耗检测和极远探测能力，精准检测的同时易于安装。兼顾室内场景的人体生命存在感应，及室外场景的远距离测速测距场景。为感知层智能硬件厂商带来突破边界限制的能力，拓展产品应用空间。
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傲科光电：新一代收发芯片实现批量交付，打破垄断开启增长新曲线
近年来，光互连技术突飞猛进，在数据通信、数据中心、5G无线承载网、核心光网络乃至车载领域的广泛应用，进一步成为技术产业化蓬勃发展的增长核心，各大厂商，投资方纷纷涌入。如火如荼的风云变幻，使整个行业呈现出百花齐放、百家争鸣的繁荣景象。
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自动驾驶感知环节面临哪些挑战？
点击蓝字 关注我们在自动驾驶感知-规划-执行的效果链中，感知是整个过程的源头。随着自动驾驶级别的提升，驾驶员逐渐从“脱脚”到“脱手”到“脱眼”，直至车辆实现完全的自动驾驶，对于感知系统的要求呈指数级的上升。说到感知层，不得不提到各类传感器的迭代发展，从简单装配超声波雷达到摄像头，...
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车载用、工作温度125°C、带电流监视功能、36 V输入、300 mA的高侧开关 S-19682B系列
本IC是采用CMOS工艺技术开发的备有电流监视功能的高侧开关。
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医疗IC设计工艺:双极性与CMOS
可植入、可消化、可互动、可互操作以及支持因特网，这些医疗设备现在及未来独特的需求都要求合适的IC工艺技术与封装。本文将对医疗半导体器件采用的双极性（bipolar）与CMOS工艺进行比较，并
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CMOS工艺或将被取代？英特尔开发MESO逻辑器件，功耗降10倍！
近日，英特尔联合加州大学伯克利分校的研究人员开发了一种新的MESO(磁电自旋轨道)逻辑器件，这种常温量子材质制造的设备可以将芯片工作电压从3V减少到500mv，减少5倍，能耗降低10-30倍，而且运行速度也是CMOS工艺的5倍。
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2．5 Gb/s 0．35μmCMOS光接收机前置放大器设计
近年来，随着社会信息化程度不断提高，信息交换量呈爆炸性增长，光纤通信干线系统以其高速、大容量的优点被广泛应用于电信网、计算机网络。2．5 Gb/s超高速光纤通信系统已经
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EUV技术量产已进入最后冲刺阶段
随着工艺节点来到单纳米尺寸，研究人员开始将缺陷归因于为小细节;举例来说，一次EUV曝光中的光子数量，会影响化学放大光阻剂(chemically amplified resists)，而其他种类的光阻剂性能也会因为所嵌入的金属分子定向(orientation)而有所变化。
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一种模拟除法器的设计及仿真验证CMOS工艺
本文设计了一种模拟除法器，在分析讨论其工作原理的基础上，采用CSMC0.5umCMOS工艺，对电路进行了Cadence Spectre 模拟仿真，仿真结果验证了理论分析。1 电路的设计与分析图1 CCII 电路结构模拟除法器由单电源+5V供
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一种模拟除法器的设计及仿真验证CMOS工艺
本文设计了一种模拟除法器，在分析讨论其工作原理的基础上，采用CSMC0.5umCMOS工艺，对电路进行了Cadence Spectre 模拟仿真，仿真结果验证了理论分析。1 电路的设计与分析图1 CCII 电路结构模拟除法器由单电源+5V供
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旨在推动45nm工艺技术，法国CMP将为ST提供制造服务
【导读】旨在推动45nm工艺技术，法国CMP将为ST提供制造服务 从事多项目晶圆管理的联合体—电路多项目(Circuits Multi Projets， CMP)公司(位于法国格勒诺布尔)—已经从ST微电子公司引入了45nm CMOS工艺。通过
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标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现
随着射频无线通讯事业的发展，高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成，属于一种多数载流子器件，高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上，提出的集成肖特基二极管设计方法，并且该方法在charted 0.35μm工艺中以MPW的方式得以实现。
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芯科打造全新CMOS工艺的隔离式栅极驱动器
Silicon Labs (芯科实验室有限公司)日前宣布推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案，可直接替换光电耦合隔离式栅极驱动器(简称光电耦合驱动器)。新型Si826x隔离式栅极驱动器支持高达5kV隔离等级和10kV浪涌保护，其
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IIC-China 2013：基于CMOS工艺具成本效益的温湿度传感器解决方案
一方面环境问题逐渐受到政府和普通民众的普遍关注，一方面工业生产和精密制造也更关心周边环境变化对产品的影响，使得温湿度环境传感器在工业、医疗、物流、气象等领域得到广泛应用。而且温湿度传感器也有望在今年导
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中科院微电子所22纳米 CMOS工艺研发取得突破
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米 CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能表现良好。22 纳
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安森美半导体先进的CMOS工艺专知和技术制造出突破性的天文图像传感器
与Teledyne Imaging Sensors合作， 缔结出用于天文研究的下一代红外传感器2012年11月28日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)与Teledyne Imaging Sensors合作，制造出用
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华润上华SOI工艺技术填补国内技术空白
华润微电子有限公司附属公司华润上华科技有限公司近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，华润上华在2010年实
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华润上华第二代200V SOI工艺实现量产
华润微电子有限公司（“华润微电子”）附属公司华润上华科技有限公司（“华润上华”）近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集
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基于1.0μm CMOS工艺的锯齿波振荡电路设计
本文以比较器为基本电路，采用恒流源充放电技术，设计了一种基于1.0μm CMOS工艺的锯齿波振荡电路，并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工具对电路进行了仿真模拟，结果表明，锯齿波
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基于CMOS工艺的高阻抗并行A/D芯片TLC5510
1 概述TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC)，它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采样率为20MSPS。由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺，因而大大减少了器件中比较器的数
