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原子层沉积（ALD）在先进封装中的应用，超薄介质层与3D互连的台阶覆盖控制
先进封装技术向纳米尺度演进的进程，原子层沉积(ALD)凭借其原子级厚度控制与卓越的共形覆盖能力，成为突破物理极限的核心技术。从超薄介质层的精密构筑到3D互连结构的台阶覆盖优化，ALD技术正在重塑半导体封装的工艺范式，为芯片性能与可靠性的双重提升提供解决方案。
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设备业繁荣期冲进世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？
凭借过去两年大两位数的增长，ASM在2019年冲进全球前十大半导体设备厂商之列。ASM在中国市场的表现更可称为“炸裂”，据ASM中国区总经理徐来表示，ASM中国区销售额2018年比2017年增长了3倍，2019年与2020年还延续高增长，其中2019年销售额比2017年增长了4倍。过去几年，包括中国在内的全球晶圆产能扩充及新工艺的投入，让半导体设备厂商迎来繁荣期，各家财报都非常好看，其中ASM的表现就异常出色，凭借过去两年大两位数的增长，在2019年冲进全球前十大半导体设备厂商之列。ASM在中国市场的表现更可称为“炸裂”，据ASM中国区总经理徐来表示，ASM中国区销售额2018年比2017年增长了3倍，2019年与2020年还延续高增长，其中2019年销售额比2017年增长了4倍。
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立足产业发展新阶段，思锐智能以先进ALD技术拓展超摩尔时代新维度
日前，以“凝聚芯合力，发展芯设备”为主题的第十届（2022）中国半导体设备年会（CSEAC）在无锡太湖国际博览中心隆重召开。中国集成电路创新联盟秘书长、中国半导体协会集成电路分会理事长叶甜春在致辞中强调，中国集成电路发展到现在，确实需要进入新的阶段。这带来的变化就是从被动到主动的变化。如今，既然我们有自己的体系，就需要从系统应用、设计、制造、封测、装备、裁量、零部件形成内循环，然后对接国际资源构建国内国际双循环，最终主动打造一个以我为主的全球化的新生态。
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40年ALD积淀助力超越摩尔，思锐智能完成第一阶段发展布局
沉积、光刻、刻蚀以及等离子注入是半导体和超越摩尔领域制造工艺的4大关键技术。在新晶圆产线的投资建设中，约80%的投资用于购买设备，薄膜沉积设备更是占据其中约25%的比重。
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应对“更高”存储器件的ALD填充技术
——深入解析泛林集团Striker ICEFill电介质填充技术
