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齐纳稳压电路设计，基准源与过压保护中的参数计算
齐纳二极管(Zener Diode)凭借其独特的反向击穿特性，在电子电路中成为实现电压稳定、基准源构建和过压保护的核心元件。其核心优势在于：当反向电压达到齐纳电压(VZ)时，二极管进入可控击穿区，两端电压在较大电流范围内保持恒定。这一特性使其在消费电子、工业控制、汽车电子等领域广泛应用，尤其在需要低成本、高可靠性的场景中不可替代。
齐纳二极管(Zener Diode)凭借其独特的反向击穿特性，在电子电路中成为实现电压稳定、基准源构建和过压保护的核心元件。其核心优势在于：当反向电压达到齐纳电压(VZ)时，二极管进入可控击穿区，两端电压在较大电流范围内保持恒定。这一特性使其在消费电子、工业控制、汽车电子等领域广泛应用，尤其在需要低成本、高可靠性的场景中不可替代。
