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高频氮化镓（GaN）在65W快充中的选型实践，南芯SC3050与英诺赛科INN650D02的对比分析
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，凭借高频、低损耗、高功率密度的特性，已成为65W快充电源的核心器件。在器件选型中，南芯SC3050与英诺赛科INN650D02是两款典型代表，前者为高集成度合封芯片，后者为分立式功率器件。本文从器件特性、应用场景、系统设计三个维度展开对比分析，为工程师提供选型参考。
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，凭借高频、低损耗、高功率密度的特性，已成为65W快充电源的核心器件。在器件选型中，南芯SC3050与英诺赛科INN650D02是两款典型代表，前者为高集成度合封芯片，后者为分立式功率器件。本文从器件特性、应用场景、系统设计三个维度展开对比分析，为工程师提供选型参考。
