高压DC-DC

SiC MOSFET在高压DC-DC中的开关损耗优化与体二极管反向恢复

在高压DC-DC变换器中，开关损耗一直是限制系统效率和功率密度的关键瓶颈。传统硅基器件在高频下表现出较高的开关损耗和体二极管反向恢复电荷，迫使工程师在开关频率与系统效率之间做出妥协。碳化硅MOSFET的出现从根本上改变了这一局面。其宽禁带特性带来的低寄生电容、极低的体二极管反向恢复电荷和高速开关能力，使得高压隔离DC-DC变换器能够在简化拓扑的同时实现高频高效运行。本文将从SiC MOSFET的开关特性出发，分析其在高压DC-DC中的损耗机理，并结合器件选型、电路设计和栅极驱动优化提出系统的开关损耗抑制策略。