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低栅压NMOS栅极电阻与泄放电阻的摆放位置解析
在低栅压NMOS(栅源阈值电压Vgs(th)通常低于3V)的电路设计中，栅极电阻(RG)与泄放电阻(RGS)的摆放位置并非简单的“就近布置”，而是直接决定电路稳定性、开关特性和抗干扰能力的关键环节。低栅压NMOS因驱动阈值低，对栅极电压波动、寄生参数更为敏感，不合理的电阻布局会导致器件误触发、开关损耗增大、EMI干扰超标等问题，甚至烧毁器件。
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电压比较器的输出电压怎么算
电压比较器是一种电路元件，它可以将两个输入电压进行比较，输出与这两个输入电压之间的关系相关的电信号。具体来说，如果第一个输入电压大于第二个输入电压，电压比较器将输出高电平信号;反之，如果第二个输入电压大于第一个输入电压，则输出低电平信号。
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一种新型低压上电复位电路设计
摘 要：基于0.18 mm工艺设计了一种可集成到低电源电压数字IC或数模混合IC的上电复位电路。该POR(Power On Reset)具有电源上电和掉电检测功能，且对电源上电的速度不敏感，故可通过使用迟滞比较器实现对电源噪声的免疫。corner 仿真结果表明，该电路可以实现大于100 ms的延时。相比于传统POR,该电路工作电压低、性能可靠、结构简单。
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阈值电压和关断电压
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。 MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。
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阈值电压与沟道长度的关系
阈值电压 (Threshold voltage)：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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阈值电压怎么看
阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
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阈值电压大好还是小好
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。 MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。
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阈值电压的影响因素
阈值电压 (Threshold voltage)：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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阈值电压是什么意思
阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
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一种高精度低功耗的 BiCMOS 过温保护电路
摘 要 ：基于 UMC0.25 μm BCD 工艺，设计了一种高精度低温漂的过温保护电路。相对传统电压比较器结构的过温保护电路，无电压比较器结构的过温保护电路利用双极型晶体管的温度特性和阈值电压来检测芯片内部温度和控制芯片的关断。当芯片内部温度高于系统设定值时，过温保护电路输出高电平并且关断芯片其他模块，实现过温保护功能。利用 Cadence 和 Hspice 仿真软件对过温保护电路进行验证分析。仿真结果表明 ：在电源电压为 5 V， 且芯片工作温度上升过程中，当芯片内部温度高于 100.02 ℃时，过温保护电路输出高电平，芯片系统被过温保护
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克服嵌入式CPU性能瓶颈
过去几年，采用多线程或多内核CPU的微处理器架构有了长足的发展。现在它们已经成为台式电脑的标准配置，并且在高端嵌入式市场的CPU中也已非常普及。这种发展是想要获得更高性能的处理器设计师推动的结果。但硅片技术
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三相正弦波逆变器瞬态的共同导通问题设计方案
在三相正弦波逆变器瞬中瞬态共同导通往往是被忽略的问题，因为瞬态过程很难捕捉。以半桥变换器为例，其典型驱动电路如下图a)所示，理想的栅极电压波形如下图(b)所示。 但是
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用一只六反相器IC做出四种测试件
本设计实例描述了一种简单的方法，可以用一只无缓冲CMOS六反相器HD14069UB(参考文献1)，做出四种测试件：一个有良好定义逻辑电压窗口的逻辑笔，输入阻抗约为1MΩ；一个开路测试仪，上限电阻可以从几十欧到几十兆
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功率管理技术介绍
随着由电池供电的便携式消费类产品的增长，IC芯片的功耗已成为了一个世界性的问题，设计者必须通过配置合适的功率管理系统采用各种办法来节省能量。便携产品的设计却要求工程师开发更有效的节能系统。随着消费类产品
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基于浮栅技术的闪存介绍
基于浮栅技术的闪存介绍
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如何突破EDA功率的瓶颈
要点:1,虽然每个小组可以优化局部功耗，但单个团队不可能创建出一个低功耗设计。反之，任何一个小组都可能摧毁这种努力。2,功率估计是一种精确的科学。但是，只有当你拥有了一个完整设计和一组正确的矢量后，这种概念
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施密特触发器原理分析及其应用
我们知道，门电路有一个阈值电压，当输入电压从低电平上升到阈值电压或从高电平下降到阈值电压时电路的状态将发生变化。施密特触发器是一种特殊的门电路，与普通的门电路不同，施密特触发器有两个阈值电压，分别称为
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Intel近阈值电压CPU可用太阳能驱动
相信不少玩家也都记得，Intel在去年9月于旧金山举行的IDF上展示了一颗能用太阳能电池驱动的超低功耗处理器。本周IEEE召开的半导体技术会议ISSCC 2012上Intel正式公布了这一CPU的技术细节。除3D Tri-Gate晶体管外，IS
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基于不同VTH值的新型CMOS电压基准
摘要：传统基准电路主要采用带隙基准方案，利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的VBE电压得出具有零温度系数的基准。针对BJT不能与标准的CMOS工艺兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VT
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功率管理优化功率的实现
随着由电池供电的便携式消费类产品的增长，IC芯片的功耗已成为了一个世界性的问题，设计者必须通过配置合适的功率管理系统采用各种办法来节省能量。便携产品的设计却要求工程师开发更有效的节能系统。随着消费类产品
