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GaN器件驱动芯片的选型指南：门极电荷匹配、传输延迟与抗干扰性测试
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，凭借其高电子迁移率、低导通电阻和超快开关速度，在高频、高功率密度电源领域展现出显著优势。然而，GaN器件的驱动电路设计面临独特挑战：其门极电荷特性、传输延迟要求及抗干扰能力直接影响系统效率与可靠性。本文从门极电荷匹配、传输延迟优化及抗干扰性测试三个维度，结合典型应用案例，系统阐述GaN驱动芯片的选型方法。
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计算IGBT的驱动功率
对于设计一个驱动器来说，最重要的参数莫过于门极电荷Qg的大小，同时确定实际的门极输入电容Cies的大小，因为Datasheet中给到的输入电容大小一般是个参考值，确定实际门极输入电容是一重要意义的。
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IGBT的驱动功率计算方法
在测量电路中，一个25V的电压加在集电极上，在这种测量方法下测得的结电容要比Vce=0的时候要小一些，因此，规格书中的Ciss这个参数一般用于IGBT相互做对比时使用。
