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中国研制出垂直结构“硅-石墨烯-锗晶体管”，超高速晶体管再获突破
11月10日，记者今天从中国科学院金属研究所获悉，该所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅-石墨烯-锗晶体管”，成功将石墨烯基区晶体管
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MIT开发出新型锗晶体管 速度提升四倍
据国外媒体报道，MIT 的科学家已经研发出了一种新型晶体管，新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过，速度是当前晶体管的 4 倍左右。为了能够提升速度，科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上，随后
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