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IGBT过流致芯片正中心烧点的工况与机理分析
绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子系统的核心开关器件，广泛应用于工业变频、新能源发电、轨道交通等领域。在实际运行中，过流引发的芯片烧毁是最常见的失效模式之一，而烧点位置的差异往往对应着不同的失效机理。其中，芯片正中心出现烧点的现象在三相全桥等大功率应用场景中尤为典型，其形成并非单一因素导致，而是电流分布、热传导、封装结构及保护机制等多因素协同作用的结果。本文将深入剖析IGBT过流时芯片正中心产生烧点的具体工况与内在机理，为失效诊断与系统优化提供参考。
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Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级高隔离反激式变压器系列
全新变压器在紧凑组件尺寸中实现卓越的隔离和电气间隙/爬电距离
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IGBT的发热功率及散热系统探讨
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)作为现代电力电子领域中的核心器件，以其高电压、大电流、高频率等特性，广泛应用于变频器、开关电源、轨道交通、电动汽车及新能源等领域。然而，随着IGBT向高功率和高集成度方向发展，其发热问题日益突出，对散热系统的要求也越来越高。
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绝缘栅双极晶体管工作原理是什么？它的结构特点是什么？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它是双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和场效应晶体管(Field-Effect Transistor，FET)的结合体，具备了两者的优点，同时还有自身独特的特性。本文将详细介绍绝缘栅双极晶体管的工作原理以及它的结构特点。
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绝缘栅双极晶体管的基本概述，在应用上具有什么特点？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它不仅综合了双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和场效应晶体管(Field-Effect Transistor，FET)的优点，还具备自身独特的特性。本文将对绝缘栅双极晶体管进行基本概述，并介绍其在应用上的特点。
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厂家有推出哪些绝缘栅双极晶体管的系列产品？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)作为一种关键的功率半导体器件，由多家厂家推出了各种系列产品。本文将介绍几个知名厂家推出的主要IGBT系列产品，包括其特点和应用领域，为读者了解IGBT的市场情况和选择适合的产品提供指导。
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绝缘栅双极晶体管是什么？有什么作用？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是一种关键的功率半导体器件，在现代电力电子和驱动技术中广泛应用。本文将介绍IGBT的基本原理、结构组成和工作原理，并探讨其在电力变换和控制中的重要作用。
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绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛;IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
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意法半导体（ST)推出新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT）
最新的高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)兼具近乎完美的开关能效和650V的宽额定工作电压，为应用设计提供更高的安全系数意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT，Insulated-G
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IGBT绝缘栅双极晶体管栅极过压保护电路图
IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生，应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千
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瑞萨推出13款绝缘栅双极晶体管新品
21ic讯 瑞萨电子公司，日前宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）阵列增加13款新产品。新的IGBT包括采用650V电压的RJH/RJP65S系列和采用1250V电压的RJP1CS系列。新的IGBT作为功率半导体器件，用
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1200V 绝缘栅双极晶体管AUIRG7CH80K6B-M（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
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1200V 绝缘栅双极晶体管AUIRG7CH80K6B-M（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
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汽车级绝缘栅双极晶体管（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
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汽车级绝缘栅双极晶体管（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
徐俊成123
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之一知足
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