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为什么碳化硅 MOSFET 特别需要米勒钳位?
在现代电力电子领域，碳化硅(SiC)MOSFET 凭借其卓越的性能，如高开关速度、低导通电阻、高耐压能力等，正逐渐成为众多应用的首选功率器件。然而，正是由于这些独特的性能特点，使得碳化硅 MOSFET 在实际应用中面临着一些特殊的挑战，其中米勒效应带来的影响尤为突出，这也使得米勒钳位对于碳化硅 MOSFET 显得特别重要。
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MOS管的米勒效应：深入解析与影响
在半导体技术的广阔领域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管作为集成电路中的核心元件，其性能的稳定性和效率直接关系到整个电路系统的表现。而MOS管的一个独特现象——米勒效应（Miller Effect），更是引起了工程师们的广泛关注和研究。本文将深入探讨MOS管的米勒效应，解析其产生机制、影响以及在实际应用中的应对策略。
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MOS管开关时的米勒效应的影响与解决方法
由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降)。
