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多措并举稳供需 护航下一代碳化硅器件产业高质量发展
作为第三代半导体核心材料，碳化硅(SiC)器件凭借耐高压、低损耗、耐高温、高频性能优异等独特优势，成为新能源汽车、光伏储能、高端算力、航空航天等战略领域的核心元器件。随着全球新能源转型与数字基建提速，下一代碳化硅器件正向大尺寸、高良率、车规级、集成化方向迭代，市场需求呈爆发式增长。但当前产业存在结构性供需失衡问题，低端产能过剩、高端供给不足、产业链配套滞后等问题凸显，制约了产业规模化、高质量发展。保障下一代碳化硅器件供需动态平衡，已成为夯实我国半导体产业根基、抢占全球宽禁带半导体赛道主动权的关键。
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碳化硅赋能浪潮教程：CJFET缓冲电路的设计逻辑
摘要：碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》《利用SiC CJFET替代超结MOSFET》，本文将介绍CJFET通常需要配置缓冲电路的原因。
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第五代SiC技术突围，Wolfspeed迈上新征程
第五代（Gen 5）技术，将证明Wolfspeed在平面型工艺在8英寸产线上的商业效率。对于Wolfspeed来说，最危险的时刻已经过去。我们现在看到的，是一个手握2300多项专利、拥有全球最大8英寸产线、且在性能指标上重新夺回领跑地位的技术巨头。中国市场将是检验这一逻辑的最佳试金石。在这场关于效率、可靠性与规模的终极较量中，Wolfspeed已经重新回到了发车位。
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英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER™栅极驱动，在降低物料清单成本的同时提升功率级利用率
【2026年6月17日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了专为纯电动汽车(BEV)牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列：EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET，相比市面上常见的解决方案，可让特定功率级释放出更多可用性能，并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂(OEM)和一级供应商(Tier-1)减少所需的外部元件数量并降低逆变器控制电子设备的物料清单(BOM)成本。
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碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET
摘要：碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》。本文将介绍利用SiC CJFET替代超结MOSFET以及开关电源应用。
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英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅
【2026年6月15日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅(SiC)双向开关(BDS)。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量，能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。
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碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
摘要：碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》。本文为第三篇，将介绍SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。
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英飞凌携手西门子：以碳化硅技术赋能数据中心及工厂电气保护
【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)与西门子股份公司(以下简称西门子)开展合作，共同提升数据中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水平，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化硅(SiC)功率模块，用于西门子的SENTRON 3QD2半导体断路器。这将提升西门子断路器保护解决方案的效率、功率密度和可靠性。
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Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
美国东部时间 2026 年 6 月 9 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市 — 碳化硅 (SiC) 领域行业引领者 Wolfspeed 公司宣布推出第五代 (Gen 5) 技术，将为下一代 1200 V 和 750 V 汽车及工业应用带来效率方面的性能跨越式提升。
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保障下一代碳化硅(SiC)器件供需平衡
碳化硅(SiC)作为第三代半导体核心材料，凭借耐高温、低损耗、高频化等特性，成为新能源汽车、AI 数据中心、光伏储能等领域的核心功率器件，是全球能源转型与数字经济发展的关键支撑。当前，下一代 SiC 器件正处于从 6 英寸向 8 英寸升级、从高端应用向全场景渗透的关键阶段，供需格局呈现 “6 英寸过剩、8 英寸紧缺、高端产能不足、低端内卷严重” 的结构性失衡特征。保障下一代 SiC 器件供需动态平衡，既是破解产业发展瓶颈、规避产能过剩风险的必然选择，也是巩固产业链安全、支撑新兴产业高质量发展的核心举措。
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英飞凌推出业界首款面向AI 数据中心HVDC架构的 24 kW基于碳化硅(SiC)的电池备份单元(BBU)参考设计
【2026年6月8日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布推出一款 24 kW 电池备份单元(BBU)DC-DC 参考设计。其专为AI数据中心的高压直流母线架构而设计，是业内首款可直接在电池组与 800 V 直流母线之间运行的解决方案，采用了 650 V 和 1200 V 碳化硅(SiC)技术，在保持与现有低压BBU 相同物理外形尺寸的前提下，实现了 450 W/in³ 的功率密度以及超过 99% 的效率，有效解决了数据中心向更高电压直流配电转型过程中的关键基础设施瓶颈。
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英飞凌推出首款可在 205°C 运行的碳化硅功率模块，为电动汽车逆变器树立新标杆
【2026年6月5日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在电动汽车逆变器功率模块领域达成了全新里程碑：正式推出 HybridPACK™ Drive 系列的一款全新 1300 V 碳化硅(SiC)模块，该模块能够在高达 205°C 的温度下持续运行。市面上现有的同类设计通常最高仅允许在 175°C 下运行。这一温度的提升使汽车制造商(OEM)和一级供应商(Tier 1)能够从现有的逆变器设计中获得更高的峰值和持续输出功率，也可在全新的设计中降低系统复杂度和整体成本。
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英飞凌携手麦田能源，推动贴片式全碳化硅解决方案率先落地
【2026年5月30日, 中国上海讯】近日，英飞凌科技与麦田能源正式宣布将深化双方合作关系。麦田能源成为首家在太阳能光伏及储能领域采用英飞凌SMD全碳化硅解决方案的合作伙伴，并率先获得“英飞凌赋能(Enabled by Infineon)”标识授权。双方将携手发布创新成果，共同推动创新技术在户用储能领域的应用。
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东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
-助力实现稳定的高速隔离信号传输-
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环旭电子于 PCIM Europe 2026 展示先进碳化硅芯片预埋封装技术
~ 打造新世代功率解决方案 ~ 上海2026年5月27日 /美通社/ -- 全球电子设计与制造服务领导厂商USI环旭电子今日宣布，其于新世代功率解决方案领域所开发的先进功率半导体封装技术取得重大突破。凭借卓越的基板与模块整合能力，环旭电子成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层AB...
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突破！三安光电低电阻碳化硅衬底为服务器电源"减负"
厦门2026年5月25日 /美通社/ -- 近日，三安光电旗下湖南三安历经三年专项攻坚，成功实现低电阻碳化硅衬底技术重大突破，成为全球少数掌握该项核心技术的企业，标志着三安光电在核心半导体材料领域的技术实力持续夯实，为AI服务器电源、新能源汽车等高端应用领域提供关键支撑。 随着...
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聚焦电动汽车与数据中心：SiC 与 GaN 的差异化发力之道
在全球 “双碳” 目标推进与数字经济爆发的双重驱动下，电动汽车(EV)与 AI 数据中心已成为功率半导体的两大核心增长极。作为第三代半导体的核心材料，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)凭借宽禁带、低损耗、高频化的特性，正逐步替代传统硅基器件，重塑功率电子产业链。面对两大主力市场，SiC 与 GaN 需立足材料特性差异，走差异化发力路径，实现优势互补与价值最大化。
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响应市场需求，以可靠的碳化硅基固态变压器为 AI 人工智能赋能
英伟达在 2025 年 Computex 上宣布的 800V 高电压直流架构——从根本上改变了人工智能工厂的电力传输方式，直接提升了 GPU 密度和效率1。通过以更高电压分配电力，显著减少了布线要求，为额外 GPU 腾出机架空间，并实现了新兴的 1MW 机架设计。该架构可将端到端电源效率提升高达 5%，并将维护成本降低 70%。碳化硅是关键赋能技术：800V直流母线需要 1200V 碳化硅 MOSFET 用于 AC-DC 整流和 DC-DC 转换，可将转换损耗降低 25-40%。
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Wolfspeed 新推出两款 3.3 kV 碳化硅功率模块系列，助力应对能源需求的激增
2026 年 5 月 22 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、中国上海市 — 全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司(纽约证券交易所代码：WOLF)推出了两款全新的 3.3 kV 碳化硅(SiC)功率模块系列 — 采用行业标准封装的高功率半桥带基板模块，以及可扩展的全桥无基板模块 — 旨在应对由人工智能(AI)数据中心及更广泛的能源转型所带来的迫在眉睫的电力瓶颈问题。为了应对当前这一挑战，需要开发出比纯硅(Si)技术更快速、更小型、更高效率、更具成本效益、且更具韧性的发电、转换与配电解决方案。这两个全新模块系列，为工程师提供了在整个能源生命周期内实现能源基础设施现代化的重要工具。
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从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求
功率器件作为电能转换与控制的核心 “电子开关”，是新能源汽车、光伏储能、工业电源等领域的关键基石。自半导体技术商业化以来，从硅(Si)基器件到碳化硅(SiC)基器件的迭代，本质上是一场跨越数十年的能效革命。更高能效，始终是功率器件技术演进的核心命题，而碳化硅的崛起，正是突破硅基物理极限、迈向能效新高峰的必然选择。
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