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碳化硅二极管（SiC SBD）在光伏逆变器中的选型指南：罗姆BM30G004MN-C与ST STPSC10H065CI的温升实测
在光伏逆变器领域，碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)凭借其零反向恢复电荷、高频开关特性及耐高温能力，正逐步取代传统硅二极管。然而，不同厂商的SiC SBD在温升表现、电气参数及封装设计上存在显著差异，直接影响系统效率与可靠性。本文以罗姆BM30G004MN-C与意法半导体(ST)STPSC10H065CI两款典型产品为例，结合光伏逆变器实际应用场景，解析选型关键要素。
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碳化硅二极管在PFC升压整流中的高频效率提升方法
在电力电子技术向高频化、高功率密度发展的趋势下，功率因数校正（PFC）电路的效率瓶颈逐渐聚焦于升压整流环节。传统硅基超快恢复二极管（FRD）因反向恢复损耗大、EMI噪声高等问题，已难以满足高频应用需求。碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）凭借其独特的材料特性，成为突破这一瓶颈的关键器件。本文将从器件特性、损耗机制及工程应用三个维度，系统阐述碳化硅二极管在高频PFC中的效率提升方法。
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安森美发布碳化硅(SiC)二极 管用于要求严苛的汽车应用
安森美半导体(ON Semiconductor)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。
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安森美半导体碳化硅二极管提供更高能效、更高功率密度和更低的系统成本
推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗，并轻松实现器件并联。
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意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管，兼备出色的能效和先进的稳健性
意法半导体2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。
