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硅通孔（TSV）在2.5D封装中的EDA建模与热仿真分析
在先进封装技术中，2.5D封装凭借硅通孔（TSV）技术实现了芯片间的高密度垂直互连，成为高性能计算、人工智能等领域的核心解决方案。TSV通过在硅中介层中蚀刻高深宽比的垂直通道，并填充铜等导电材料，显著缩短了互连长度，降低了信号延迟和功耗。然而，TSV的引入也带来了复杂的物理效应，需通过EDA建模与热仿真分析确保设计的可靠性。
在先进封装技术中，2.5D封装凭借硅通孔（TSV）技术实现了芯片间的高密度垂直互连，成为高性能计算、人工智能等领域的核心解决方案。TSV通过在硅中介层中蚀刻高深宽比的垂直通道，并填充铜等导电材料，显著缩短了互连长度，降低了信号延迟和功耗。然而，TSV的引入也带来了复杂的物理效应，需通过EDA建模与热仿真分析确保设计的可靠性。
