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/稿件更正 -- 三安集成/
三安集成于 2025年10月16日 通过美通社发布新闻稿《三安集成新一代砷化镓射频工艺 加速高频应用商业化》。请注意， 原文最后一段第一句里的“部署砷化镓6寸晶圆产能每月21,000片”表述有误，正确的表述应为：“部署砷化镓6寸晶圆产能每月18,000片”。特此更正，正确的全文如...
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陕西光电子先导院携“新质生产力”成果亮相慕尼黑上海光博会
2024年慕尼黑上海光博会于3月20-22日举行，陕西光电子先导院科技有限公司携VCSEL单孔晶圆、VCSEL阵列晶圆、砷化镓（GaAs）IPD晶圆、氮化镓（GaN）HEMT晶圆4项成果亮相，展位上的各项产品吸引了众多参观者驻足、交流。
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关于MOCVD、HTCVD 和 MBE 在内的外延设备发展状态，释放分子束外延的潜力
对更强大和更节能设备的空前需求刺激了对砷化镓、氮化镓和碳化硅等化合物半导体的需求。这种材料需要通过外延生长的超纯薄膜。尽管分子束外延 (MBE) 是三种外延设备之一，长期以来一直被认为是利基市场，但它已准备好过渡到批量应用。
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砷化镓智能芯片项目落户山西，投资规模超10亿
据业内信息，近日在山西太原举行了太忻一体化经济区推介会，大约有十几个合作项目签约成功，其中第2代半导体砷化镓面射型智能应用芯片研发生产项目落户山西，总投资规模超10亿元。
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三安集成砷化镓代工平台助力WiFi 6E推广，加速新一代智能局域网络技术落地
厦门2022年6月30日 /美通社/ -- 随着WLAN技术的发展，室内场景更倾向于依赖无线通信技术，2021年互联网约有50%的数据流量采用WiFi接入（来源：思科网络）。庞大的流量和接入需求推动着无线通信技术的发展，Wi...
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三安集成砷化镓代工平台助力WiFi 6E推广
（全球TMT2022年6月30日讯）三安集成凭借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工艺平台，是目前国内唯一一家有能力量产WiFi 6E芯片的企业。目前，三安集成已与国内头部射频企业达成深度合作，实现多款WiFi 6E前端模块的量产，产品覆盖18.5-23.5dBm中高功率等级...
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半导体芯片
半导体芯片：在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓(砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它)，锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态随机存取内存(D-RAM)市场占上风。但由于大型计算机的出现，需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代，日本企业名列前茅。
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稳懋半导体今年5月营收达4.73亿元 同比增长42%
6月9日消息，全球最大砷化镓晶圆代工服务公司稳懋半导体公布了5月营收数据。 稳懋半导体 稳懋半导体5月合并营收为新台币19.85亿元（约合人民币4.73亿元），年成长率及月成长率分别为42%及-1%
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稳懋半导体今年3月营收达4.88亿元 同比增长66.42%
4月7日消息，全球最大砷化镓晶圆代工服务公司稳懋半导体日前公布了3月营收数据。 稳懋 稳懋半导体3月合并营收为新台币20.79亿元（约合人民币4.88亿元），同比增长66.42%，环比增长5.86%
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半导体材料的全方位解读，你真的了解吗？
说到半导体，你真的了解半导体材料吗?自然界中的物质，根据其导电性能的差异可划分为导电性能良好的导体(如银、铜、铁等)、几乎不能导电的绝缘体(如橡胶、陶瓷、塑料等)和半导体(如锗、硅、砷化镓等)。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质。它的导电能力会随温度、光照及掺入杂质的不同而显著变化，特别是掺杂可以改变半导体的导电能力和导电类型，这是其广泛应用于制造各种电子元器件和集成电路的基本依据。
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国际研究团队利用砷化镓纳米颗粒 成功制备出一种超快可调谐超材料
研究人员首先制备出由半导体纳米颗粒阵列组成的砷化镓薄膜，之后利用电子束光刻技术和等离子体刻蚀技术，制备出砷化镓基超材料。
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俄美德三国科学家联合成功制备超快可调谐超材料
俄罗斯莫斯科大学(Moscow State University)、美国桑迪亚国家实验室(Sandia National Laboratories)和德国弗里德里希-席勒大学(Friedrich-Schiller University)研究人员组成的国际研究团队利用砷化镓纳米颗粒，成功制备出一种超快可调谐超材料。
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紫外线能带给半导体器件行业什么变化
两位科学家的一个发现可以推进下一代半导体器件的发展。能源部国家可再生能源实验室(NREL)两位科学家的发现可以帮助下一代半导体器件的发展。
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IDT全新电压可变衰减器 可提供比砷化镓产品高达1,000倍的线性度改进
低插入损耗、高线性度的全新RF电压可变衰减器支持1MHz 到6GHz，扩展了IDT公司的频率覆盖范围
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POET：砷化镓将无限延长摩尔定律寿命
近日消息，美过POET Technologies 预言，砷化镓(Gallium arsenide，GaAs)很快就会取代矽，成为高性能晶片的材料选择;而曾任职于贝尔实验室(Bell Labs)的该公司共同创办人暨首席科学家Geoff Taylor表示，上述论点自19
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GaAs芯片将成为未来移动终端的首选芯片
【导读】GaAs芯片将成为未来移动终端的首选芯片 GaAs芯片得到广泛应用 世界著名的数字信号芯片制造商CSR公司近日在接受记者采访时透露，随着数字芯片技术的不断进步，砷化镓（galliumarsenide ， GaAs）
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CMOS跨越砷化镓雷池 进军PA
【导读】传统功率放大器（PA）均是以砷化镓（GaAs）制作为主，CMOS多难跨越雷池一步。然而目前CMOS制程终于堂而皇之跨入功率放大器的领域之中，并陆续有相关厂商发表最新产品。专为无线应用提供功率放大器技术的无晶
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日本强震 台湾供应紧张 5月底晶圆材料恐断链
【导读】台湾主要半导体厂第1季底时手中仍有1.5至2个月库存，撑到6月中下旬应该没有太大问题。但是，日本夏日限电政策，导致当地供应商无法全产能运行，若晶圆代工新订单持续涌入，导致库存快速去化，5月底就会发生晶
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Peregrine：CMOS将打破GaAs在RF的地位
Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系统解决方案，它采用Peregrine的130纳米RF-SOI工艺技术的UItraCMOS 10工艺技术平台。这是业界又一次对GaAs RF器件提出了挑战。 Global 1集成了三通道多模多频段功
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半导体所在半导体材料砷化镓/锗中拓扑相方面获重要发现
中国科学院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功的证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应
