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放大器电源抑制比与频率的影响，工程师都该了解
在模拟电路设计中，放大器作为信号放大的核心器件，其性能直接决定整个系统的精度与稳定性。电源抑制比(PSRR)作为放大器的关键参数，衡量了器件抑制电源电压波动对输出信号干扰的能力，是保障信号纯净度的“隐形屏障”。然而多数工程师在选型和调试时，往往只关注静态PSRR数值，却忽略了频率对其的显著影响——随着频率升高，PSRR会急剧衰减，进而引发信号失真、噪声叠加等一系列问题，成为电路设计中的“隐形陷阱”。掌握PSRR与频率的内在关联，是工程师规避设计风险、提升系统可靠性的必备技能。
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差动放大器作用
经典的四电阻差动放大器(Differential amplifier，差分放大器)似乎很简单，但其在电路中的性能不佳。本文从实际生产设计出发，讨论了分立式电阻、滤波、交流共模抑制和高噪声增益的不足之处。
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负线性稳压器在 1 MHz 下具有 0.8 μV RMS 噪声和 74 dB 电源抑制比
低压差 (LDO) 线性稳压器广泛应用于噪声敏感型应用已有数十年了。
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如何为其高速ADC设计清洁电源？
在现实生活中，要想消除应用中的所有电源噪声是不可能的。任何系统都不可能完全不受电源噪声的影响。因此，作为 ADC 的用户，设计人员必须在电源设计和布局布线阶段就做好积极应对。
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现实中的电源抑制比(PSRR) - 第四部分
今天继续我们有关低压降稳压器(LDO)PSRR的系列文章，请查看我们以前的博客以回顾-什么是PSRR？ -第三部分和第四部分一样，我们将继续讲解LDO的行为及其有趣的参数。历史文章链接第一部分什么是LDO噪声第二部分什么是积分噪声第三部分什么是PSRR？在当前的文章中我...
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超高电源抑制比(PSRR) LDO稳压器，你了解吗？
什么是超高电源抑制比(PSRR) LDO稳压器?它有什么作用?2018年6月5日 —推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON) 发布了一系列新的超低噪声低压降稳压器(LDO)，具有业界最佳的电源抑制比(PSRR)，能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能。新的NCP16x系列，连同其汽车变体器件同时符合AEC-Q100车规的NCV81x，在各类应用中提供更好的性能，如汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)图像传感器模块、便携式设备和包括802.11ad WiGig、蓝牙和WLAN的无线应用。
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运放参数之交流电源抑制比详解
运放中有一个极为重要的参数，那就是交流电源抑制比AC-PSRR。这个参数相对在实际的应用电路中显得更有价值，却时常被我们忽略。运放的datasheet参数表格中往往给出的是直流PSRR。而AC-
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安森美半导体的超高电源抑制比（PSRR）LDO 提高无线和成像应用性能
射频(RF)收发器、Wi-Fi模块和光学图像传感器等应用对开关稳压器产生的噪声或残留交流纹波较敏感。半导体行业领袖安森美半导体最近推出的超高电源抑制比(PSRR)低压降(LDO) 稳压器系列NCP16x及汽车变体器件NCV81x，实现超低噪声，是用于这类应用的理想电源管理方案。
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安森美发布超高电源抑制比(PSRR) LDO稳压器 用于要求严苛的应用
安森美半导体(ON Semiconductor) 发布了一系列新的超低噪声低压降稳压器(LDO)，具有业界最佳的电源抑制比(PSRR)，能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能。新的NCP16x系列，连同其汽车变体器件同时符合AEC-Q100车规的NCV81x，在各类应用中提供更好的性能，如汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)图像传感器模块、便携式设备和包括802.11ad WiGig、蓝牙和WLAN的无线应用。
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一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计
摘要：设计了一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源。以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。
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改善放大器电路电源抑制比的方法
摘要 在实际应用电路时，噪声及波动经常不知不觉会引入到供电电压中，从而影响输出端电压。为使电路稳定，需消除或抑制所产生的噪声。文中讨论了3种改善放大器电路电源抑制比(PSRR)的方法：共源共栅方法、反馈技术、
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新型BiCMOS带隙基准电路的设计
在模拟及数/模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A/D
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新型BiCMOS带隙基准电路的设计
在模拟及数/模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A/D
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具有高电源抑制比性能的线性稳压器
低压降稳压器(LDO)主要用于产生供音频和射频电路使用的低纹波、低噪声电源，也可以作为频率合成器和VCO的局部纯净电源。一般情况下，LDO的输入是在直流电压上叠加了宽带交流纹波的电源电压。流经电池和连接器阻抗的
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具有高电源抑制比性能的线性稳压器
低压降稳压器(LDO)主要用于产生供音频和射频电路使用的低纹波、低噪声电源，也可以作为频率合成器和VCO的局部纯净电源。一般情况下，LDO的输入是在直流电压上叠加了宽带交流纹波的电源电压。流经电池和连接器阻抗的电
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具有高电源抑制比性能的线性稳压器
低压降稳压器(LDO)主要用于产生供音频和射频电路使用的低纹波、低噪声电源，也可以作为频率合成器和VCO的局部纯净电源。一般情况下，LDO的输入是在直流电压上叠加了宽带交流纹波的电源电压。流经电池和连接器阻抗的电
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提高电源抑制比(PSR)电路图(ISO124)
如图所示为由ISO124与MC78L05、MC79L05和DCP011515构成的外部调整器提高电源抑制比(PSR)的电路。输入信号VIN(最大摆幅±10V)由ISO124隔离后输出。隔离式DC／DC变化器DCP011515负责提供隔离电源，而在DCP011515与ISO1
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RF电路中LDO电源抑制比和噪声的选择
为射频电路选择LDO时，要慎重比较噪声指标和PSRR，确保基准旁路电容、输出电容和负载条件一致。
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RF电路中LDO电源抑制比和噪声的选择
为射频电路选择LDO时，要慎重比较噪声指标和PSRR，确保基准旁路电容、输出电容和负载条件一致。
