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IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势，成为许多高功率应用的理想选择，至今仍适配多种应用场景。
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上下管开关对称性的系统方法
摘要：半桥功率级是电力电子系统中的基本开关单元，应用于电源转换器、电机驱动器和D类功率放大器等电路设计中。本文介绍了一种系统方法，该方法利用预充电驱动电源方案和欠压锁定（UVLO）机制的控制策略，确保半桥电路中高边和低边开关的同步性。传统的基于自举电源的半桥驱动存在固有局限性，包括高边和低边驱动器之间电源的不对称性，这会破坏开关的同步性和开关管的工作特性。本文通过详细的电路设计和SPICE仿真验证了该方法在改善开关同步性和可靠性方面的有效性，特别是对于GaN和SiC晶体管这种对驱动电压范围要求比较高的驱动更有应用意义。
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MOSFET失效模式分析：从雪崩击穿到热失控的预防措施
在电力电子系统中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为核心开关器件，其可靠性直接影响系统寿命。据统计，功率器件失效案例中，MOSFET占比超过40%，主要失效模式包括雪崩击穿、热失控、栅极氧化层击穿等。本文从物理机制出发，系统分析MOSFET的典型失效模式，并提出针对性的预防策略，为高可靠性设计提供理论支撑。
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开关电源轻载条件下效率下降问题分析及改善方案
在现代电力电子系统中，开关电源以其高效、稳定、可靠的特点，广泛应用于各种电子设备中。然而，在实际应用中，开关电源在轻载条件下的效率下降问题一直备受关注。本文将深入探讨开关电源在轻载条件下效率下降的原因，并提出相应的改善方案，包括可能的电路修改和控制策略调整。
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英飞凌推出EiceDRIVER™ F3增强型系列栅极驱动器，为电力电子系统提供全面的短路保护
现代电力电子器件需要尽可能实现更高的系统效率，这也促使器件的功率密度不断提高。然而，一旦发生短路故障，就会对高价值系统构成威胁。
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NI基于FPGA的控制系统为智能电网电力电子系统带来革新
新闻要点.NI Single-Board RIO通用逆变器控制器 (General Purpose Inverter Controller, GPIC) 提供个了一个革命性的新型嵌入式系统设计方法，以实现高性能的、现场可重配置的能源转换系统控制器的快速部署。. 高级的
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NI基于FPGA的控制系统为智能电网电力电子系统带来革新
NI基于FPGA的控制系统为智能电网电力电子系统带来革新
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电力电子系统在风能电网中的应用与展望
摘 要：新型能源的应用正日益广泛地用作传统大型中心电站的补充和替代。本文阐述了关于风能发电的现状和在未来的发展趋势，同时阐述了关于电力电子技术在风能发电中的诸多应用以及在未来的发展前景。关键词：电力电子
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电力电子系统在风能电网中的应用与展望
摘 要：新型能源的应用正日益广泛地用作传统大型中心电站的补充和替代。本文阐述了关于风能发电的现状和在未来的发展趋势，同时阐述了关于电力电子技术在风能发电中的诸多应用以及在未来的发展前景。关键词：电力电子
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国内首创动态节能照明电源 节能20-40%
笔者获悉，由海归创业领军人才创办的江苏宏微科技有限公司，日前在常州国家高新区正式发布其最新研发成果——动态节能照明电源系列产品，由中国电源学会照明电源专业委员会为专家组的鉴定委员会鉴定该产品为“国内首
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