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IGBT过流致芯片正中心烧点的工况与机理分析
绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子系统的核心开关器件，广泛应用于工业变频、新能源发电、轨道交通等领域。在实际运行中，过流引发的芯片烧毁是最常见的失效模式之一，而烧点位置的差异往往对应着不同的失效机理。其中，芯片正中心出现烧点的现象在三相全桥等大功率应用场景中尤为典型，其形成并非单一因素导致，而是电流分布、热传导、封装结构及保护机制等多因素协同作用的结果。本文将深入剖析IGBT过流时芯片正中心产生烧点的具体工况与内在机理，为失效诊断与系统优化提供参考。
