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低栅压NMOS栅极电阻与泄放电阻的摆放位置解析
在低栅压NMOS(栅源阈值电压Vgs(th)通常低于3V)的电路设计中，栅极电阻(RG)与泄放电阻(RGS)的摆放位置并非简单的“就近布置”，而是直接决定电路稳定性、开关特性和抗干扰能力的关键环节。低栅压NMOS因驱动阈值低，对栅极电压波动、寄生参数更为敏感，不合理的电阻布局会导致器件误触发、开关损耗增大、EMI干扰超标等问题，甚至烧毁器件。
在低栅压NMOS(栅源阈值电压Vgs(th)通常低于3V)的电路设计中，栅极电阻(RG)与泄放电阻(RGS)的摆放位置并非简单的“就近布置”，而是直接决定电路稳定性、开关特性和抗干扰能力的关键环节。低栅压NMOS因驱动阈值低，对栅极电压波动、寄生参数更为敏感，不合理的电阻布局会导致器件误触发、开关损耗增大、EMI干扰超标等问题，甚至烧毁器件。
