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半导体迁移率下降，不只是温度问题
沟道做得越来越短，迁移率却不一定更高。半导体器件里，温度只是一个表面变量，真正把输运压下去的，常常是晶格散射和界面散射一起在起作用。
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DCDC高端NMOS如何实现自举？vGS对沟道的控制作用了解吗
以下内容中，小编将对NMOS的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对NMOS的了解，和小编一起来看看吧。
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MOS管“击穿”的一些情况解析
什么是MOSFET的击穿?你真滴吗?MOSFET的击穿有哪几种，你了解吗?今天小编就给大家科普一下关于MOSFET击穿的知识点!速来学习吧~MOSFET的击穿分为三种：Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)。
