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美国国际贸易委员会(US ITC)最终裁定确认维持，禁止英诺赛科侵权的氮化镓产品进入美国市场
【2026年7月7日，德国慕尼黑讯】随着总统审查期结束，美国国际贸易委员会(US ITC)全体委员会于2026年5月7日作出的最终裁定获确认维持并正式生效。该裁定确认英诺赛科侵犯了英飞凌一项涉及氮化镓(GaN)的技术专利，因此对英诺赛科相关侵权产品实施进口及销售禁令。
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英飞凌赢得对英诺赛科的专利侵权诉讼
慕尼黑2026年6月19日 /美通社/ -- 德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。 ...
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宽带隙技术赋能高压LED照明 高效高功率密度革新行业格局
随着智慧城市、工业照明、户外亮化等领域的快速发展，高压LED照明凭借适配电网电压、布线简洁、适配大功率场景的优势，逐步取代传统低压照明方案，成为高端照明市场的主流方向。但传统硅基器件支撑的高压LED系统，长期面临能效损耗大、功率密度低、散热压力大、器件体积臃肿等行业瓶颈，制约了高压LED向超高功率、小型化、长效化迭代。以氮化镓(GaN)为核心的宽带隙半导体技术的成熟应用，彻底打破了传统硅基材料的物理性能极限，从芯片发光、电路驱动、系统集成全维度提升高压LED照明的效率与功率密度，成为推动照明产业技术升级的核心动力。
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氮化镓场效应晶体管在高压高效开关模式电源中的应用原理与实践
随着新能源发电、工业自动化、高端快充及高压配电领域快速发展，开关模式电源(SMPS)正向高电压、高效率、高功率密度方向迭代。传统硅(Si)MOSFET受材料物理极限制约，在高压工况下开关损耗大、反向恢复特性差、工作频率受限，难以兼顾高效与小型化需求。氮化镓场效应晶体管(GaN FET)作为第三代宽禁带半导体器件，凭借优异的电学特性，突破了硅基器件的技术瓶颈，成为高压高效开关电源的核心优选器件。
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安森美发布GaNEXUS™氮化镓功率产品组合
现已提供样品，为AI数据中心、机器人及能源基础设施应用带来更高功率密度与能效
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英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3驱动芯片，适用于硅基与氮化镓器件设计，封装兼容
【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅(Si)和氮化镓(GaN)器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。
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东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
-助力实现稳定的高速隔离信号传输-
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聚焦电动汽车与数据中心：SiC 与 GaN 的差异化发力之道
在全球 “双碳” 目标推进与数字经济爆发的双重驱动下，电动汽车(EV)与 AI 数据中心已成为功率半导体的两大核心增长极。作为第三代半导体的核心材料，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)凭借宽禁带、低损耗、高频化的特性，正逐步替代传统硅基器件，重塑功率电子产业链。面对两大主力市场，SiC 与 GaN 需立足材料特性差异，走差异化发力路径，实现优势互补与价值最大化。
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绿色低碳已成为产业升级的核心方向
在全球“双碳”目标引领下，绿色低碳已成为产业升级的核心方向，而半导体技术作为能源高效利用的关键支撑，正经历从硅基到宽禁带材料的革命性跨越。氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的核心代表，凭借其优越的电学特性，打破了传统硅基器件的性能瓶颈，在能源转换、电子设备、可再生能源等多个领域实现突破性应用，正以变革性力量推动人类迈向更绿色、更高效的未来。
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氮化镓+MCU赋能高效OBC：大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势
2026年5月11日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手英飞凌成功举办“CoolGaN™车规级氮化镓与AURIX™ TC4x 在车载OBC电源解决方案”线上研讨会。本次活动聚焦英飞凌CoolGaN™ 车规级氮化镓与AURIX™ TC4x多核MCU的整合应用，结合原厂观点与实际量产案例，帮助客户把握下一代车载OBC的主流架构与市场机会。研讨会期间，英飞凌工程师针对线上观众的提问进行了专业解答。
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美国国际贸易委员会(ITC)裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
【2026年5月8日，德国慕尼黑讯】美国国际贸易委员会(ITC)全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科(Innoscience)侵犯了英飞凌的一项氮化镓(GaN)技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。
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无辅助绕组GaN反激式转换器：破解交流/直流适配器设计困局
随着消费电子、工业设备对便携性、高效性的需求不断升级，交流/直流(AC/DC)适配器正朝着小型化、高功率密度、低功耗的方向快速迭代。传统硅基反激式转换器依赖辅助绕组实现控制器供电与电压检测，不仅增加了设计复杂度，还存在效率损耗、体积偏大等固有缺陷，难以满足当下适配器的严苛要求。氮化镓(GaN)器件的崛起为转换器设计带来革新，而无辅助绕组GaN反激式转换器更是直击行业痛点，通过技术创新实现了适配器性能的全面突破，成为解决AC/DC适配器设计难题的核心方案。
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DB HiTek将参加2026年PCIM展会，加强其在欧洲市场的布局
欧洲最大的功率半导体展会将于6月9日至11日在德国纽伦堡举行 展示碳化硅和氮化镓领域的最新进展，凸显其功率半导体能力 韩国首尔2026年4月29日 /美通社/ -- 领先的8英寸纯晶圆代工厂DB HiTek宣布，该公司...
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开关模式电源中氮化镓技术的应用注意事项
随着宽禁带半导体技术的快速迭代，氮化镓(GaN)凭借高频、高效、高功率密度的核心优势，逐步取代传统硅基器件，成为开关模式电源(SMPS)领域的核心解决方案，广泛应用于消费电子、工业电源、新能源等场景。与硅基MOSFET相比，氮化镓器件的击穿电场强度是硅的10倍，开关速度达纳秒级，导通损耗更低，能显著缩小电源体积、提升转换效率，但因其材料特性与工作机制的特殊性，在实际应用中需重点关注一系列技术要点，否则易导致器件损坏、性能衰减或系统不稳定。
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安森美发布中国战略，推动创新，加速全球增长
安森美将上海设立为大中华区总部，并公布任命中国区总经理的计划
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英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5，进一步提升氮化镓的易用性
【2026年3月4日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN™产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半桥配置并在其中集成了两个600V氮化镓(GaN)开关，带有高低侧栅极驱动器与自举二极管，提供紧凑且散热优化的功率级，进一步降低设计复杂度。
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英飞凌发布《2026年GaN技术展望》：技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长
【2026年2月10日, 德国慕尼黑讯】氮化镓(GaN)电源解决方案的普及正推动功率电子行业迎来一场重大变革。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)发布《2026年GaN技术展望》，深度解析GaN的技术现状、应用场景及未来前景，为行业提供重要参考。
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氮化镓“攻入”汽车主驱深水区：VisIC如何用D型技术颠覆SiC的行业共识？
在第三代半导体的版图中，行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅（SiC）主导电动汽车高压主驱，氮化镓（GaN）则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器，是SiC的绝对专属领地。然而，VisIC的GaN将会改写这一格局，在80-350kW的大功率主驱逆变器中，氮化镓不仅能做高压，而且在效率、可靠性与系统成本上，正展现出超越碳化硅的巨大潜力。
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氮化镓技术在开关模式电源中的应用之道
随着5G通信、电动汽车快充、数据中心等领域对电源小型化、高效率的需求日益迫切，传统硅基器件已难以突破性能瓶颈。氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体的核心代表，凭借其卓越的电学特性，正重塑开关模式电源(SMPS)的设计理念与性能边界。将氮化镓技术科学应用于开关模式电源，需从器件特性认知、电路设计优化、挑战应对等多维度系统推进，方能充分释放其技术优势。
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脉冲雷达中 GaN MMIC 功率放大器的电源管理技术研究
氮化镓(GaN)基单片微波集成电路(MMIC)功率放大器凭借高击穿电压、宽禁带宽度、高电子迁移率等优势，已成为现代脉冲雷达系统的核心器件。其在高频段(X 波段及以上)可实现高输出功率、高效率和小型化集成，显著提升雷达的探测距离、分辨率和抗干扰能力。然而，GaN MMIC 功率放大器的非线性特性、高峰值电流需求及脉冲工作模式，对电源管理系统提出了严苛挑战。电源管理的性能直接决定了功率放大器的输出稳定性、效率指标和可靠性，是脉冲雷达系统设计中的关键技术环节。本文将围绕脉冲雷达应用场景，深入探讨 GaN MMIC 功率放大器的电源管理需求、核心技术及实现方案。
