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CMOS电路中NMOS一端直接接到电源的注意事项
在CMOS(互补金属氧化物半导体)电路设计中，NMOS(N型金属氧化物半导体)管的合理连接是保障电路性能、稳定性和可靠性的关键。NMOS管的核心特性是通过栅源电压控制漏源极之间的导通与截止，其衬底通常接地(对于增强型NMOS)，这一结构决定了其电压耐受范围和工作机制。实际设计中，若因功能需求需将NMOS一端(漏极或源极)直接接到电源，需突破常规连接逻辑，此时必须重点关注电压匹配、衬偏效应、击穿风险等核心问题，否则易导致器件损坏、电路功能失效甚至系统崩溃。本文将从NMOS器件特性出发，详细阐述一端直接接电源时的核心注意事项，为电路设计提供技术参考。
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VGS在线性区时功率MOSFET反向导通问题探析
在电力电子电路中，功率MOSFET凭借开关速度快、驱动功率小、导通电阻低等优势，被广泛应用于逆变器、DC-DC转换器、电机驱动等场景。其工作状态主要分为截止区、线性区(欧姆区)和饱和区，不同工作区域的特性直接决定了电路的运行性能。当栅源电压VGS处于线性区时，功率MOSFET本应呈现低阻导通特性以实现电能的高效传输，但实际应用中常出现反向导通现象，这一问题会导致电路效率下降、器件温升过高甚至损坏，严重影响系统可靠性。本文将从线性区工作机制、反向导通成因、负面影响及抑制策略四个方面，对该问题进行深入探析。
