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从电网到栅极：赋能第三次能源革命
人类能源文明的演进始终伴随技术范式的突破。第一次能源革命以煤炭驱动蒸汽机，重构了工业生产格局;第二次能源革命借石油推动电气化与交通革新，重塑了现代社会运转逻辑。如今，人工智能与可再生能源的深度融合，正引领第三次能源革命，其核心命题已从单一能源供给转向全链条能效优化，而从电网到栅极的技术跃迁，正是这场革命的关键引擎。
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LTC4365 过欠压设置电阻与输出电压的关联探究
在电子电路设计中，确保电源的稳定和安全至关重要。LTC4365 作为一款出色的过压(OV)、欠压(UV)以及反向极性故障保护控制器，在众多领域得到了广泛应用。其能够为电源输入电压可能出现过高、过低甚至负值的应用场景提供可靠保护，通过控制外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压，使输出处于安全工作范围。在 LTC4365 的应用中，过欠压设置电阻的选择和设定对其保护性能起着关键作用，而一个值得深入探讨的问题是：LTC4365 的过欠压设置电阻是否可以通过输出电压来改变?
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MOSFET栅极充电机理是什么？如何提高MOSFET的动态响应？
一直以来，MOSFET都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来MOSFET的相关介绍，详细内容请看下文。
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IGBT功率半导体器件主要参数
如果正输入电压通过栅极，发射极保持驱动电路开启。另一方面，如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负，则会关闭电路应用。
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mos管开关电路原理详解
D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。
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三星通过新思科技设计工具和流程实现多次成功测试流片
新思科技近日宣布，在双方的长期合作中，三星晶圆厂已经通过新思科技数字和定制设计工具和流程实现了多次成功的测试流片，从而更好地推动三星的3纳米全环绕栅极（GAA）技术被采用于对功耗、性能和面积（PPA）要求极高的应用中。与三星SF5E工艺相比，采用三星晶圆厂SF3技术的共同客户将实...
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MOS概述
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
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7种MOSFET栅极电路的常见作用，不看不知道！
概述：MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域（SOA）宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计不当，容易造成器...
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MOSFET栅极前 100 Ω 电阻有什么用？
故事开始年轻的应用工程师Neubean想通过实验证明，为了获得稳定性，是不是真的必须把一个100Ω的电阻放在MOSFET栅极前。拥有30年经验的应用工程师Gureux对他的实验进行了监督，并全程提供专家指导。高端电流检测简介图1中的电路所示为一个典型的高端电流检测示例。图1高端电...
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什么是电子管?电子管的内部结构是怎样的?
在这篇文章中，小编将为大家带来电子管、电子管内部结构的相关报道。
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关于栅极，源极，漏极，你能区分吗？
学过电路的人都知道栅极，源极，漏极，那么真的能分清栅极，源极，漏极吗?栅极，源极，漏极，三个名字是从英文而来的。
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CPU之布局和物联构建芯片应该怎样去设计
处理器和所有其他数字逻辑都是由晶体管制成的。晶体管是电子控制开关，我们可以通过施加或去除栅极电压来打开或关闭。我们讨论了两种主要类型的晶体管：nMOS器件在栅极导通时允许电流，pMOS器件在栅极
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如何给运动控制选择Mosfet驱动器，你知道吗？
你知道如何给运动控制选择Mosfet驱动器吗?工程师们经常使用栅极驱动器或“前置驱动器”IC以及n通道功率mosfet来提供驱动电机所需的高电流。重要的是要考虑与选择驱动电路、mosfet以及某些情况下相关的无源元件相关的所有设计考虑。通常，这个过程很难理解，实现也不是最优的。让我们开始讨论简单的方法来选择元件的预驱动/功率MOSFET电路，并由此产生的系统性能。
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如何定义MOS管三个极以及相关测试？
你知道MOS管有三个极吗?它有什么作用?今天我们来看看MOS管的一些干货，首先MOS管有三个极：G：gate 栅极;S：source 源极;D：drain 漏极。
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电子管功放的检修技巧_电子管功放故障排除
电子管功放的检修技巧 一、通电前的测量 对于一部故障机，通过了解和观察，如不能确定故障部位和所在，不可贸然通电，应进行如下测量。 1、测量直流高压电路与底
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电子管收音机收不到台什么原因_快速检修电子管收音机
电子管收音机收不到台什么原因 首先在开机几分钟后用手触摸一下电子管的外表温度，正常情况下应该很热甚至有些烫手。如温度和人的体温接近，说明管子没有工作。此时应该测一下有无直流高压。
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芯片里面100多亿晶体管是如何实现的？看这几张图就明白了！
这是一个Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构，越往下线宽越窄，越靠近器件层。 这是CPU的截面视图，可以清晰的看到层状的CPU结构，芯片内部采用的是层级排列方式，这个CPU大概是有10层。其中最下层为器件层，即是MOSFET晶体管。 M
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点沙成金：Intel处理器制造全过程揭密
如今能独立设计、制造尖端半导体芯片的企业屈指可数，Intel当属各种翘楚，可以在不超过一个指甲盖大小的面积内封装数十亿个微小的电子开关。这是人类最复杂的壮举之一。 最近，Intel特意制作了一段动画视
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什么是栅极脉冲驱动电路？
大家知道什么是栅极脉冲驱动电路吗?它的工作原理是什么?在脉冲雷达应用中，从发射到接收操作的过渡期间需要快速开启/关闭高功率放大器 (HPA)。典型的转换时间目标可能小于1 s。传统上，这是通过漏极控制来实现的。漏极控制需要在28 V至50 V的电压下切换大电流。已知开关功率技术可以胜任这一任务，但会涉及额外的物理尺寸和电路问题。在现代相控阵天线开发中，虽然要求尽可能低的SWaP(尺寸重量和功耗)，但希望消除与HPA漏极开关相关的复杂问题。
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美光流片第四代3D闪存：全新替换栅极架构
美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。 美光第四代3D闪存堆叠了最多128层，继续使用阵列下CMOS设计思路，不过美光与Inte
