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低压GaN转换器栅极驱动和测量
氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率。虽然DC/DC转换器的基本设计保持不变，但GaN带来了额外的设计和测试挑战。其中一个较为关键的挑战是对栅极电压和时序进行精准控制。这种控制可能很有难度，原因在于开关时间可能超过了传统控制器和测试设备的处理能力。幸运的是，GaN专用的控制器和测量技术能够解决这些问题，并确保电源设计稳健可靠，同时不会增加额外的复杂性。
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栅极驱动的电路工作原理
随着新能源汽车向800V电气架构的快速转型，以及碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体技术的普及，栅极驱动的性能需求被推向了新的高度。
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大联大品佳集团推出基于Infineon产品的2.5kW空调电源方案
2025年9月4日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌(Infineon)2.5kW PFC评估板的空调电源方案。
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意法半导体车规八通道栅极驱动引入专利技术，降低电机驱动设计的物料成本
2024 年 12 月 4 日，中国——意法半导体 L99MH98 8通道栅极驱动引入专利技术，可构建没有电流检测电阻的直流电机驱动设计，从而降低耗散功率和物料成本。
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驱动MOSFET了解吗？MOSFET栅极驱动功率详解！
以下内容中，小编将对MOSFET的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对MOSFET的了解，和小编一起来看看吧。
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英飞凌携手海鹏科技，技术创新引领分布式能源未来
【2024年5月30日，中国上海讯】近日，英飞凌宣布与海鹏科技达成合作，在海鹏科技全系列产品中全面使用英飞凌功率半导体器件以及EiceDRIVER™栅极驱动。 英飞凌将为海鹏科技最近发布的全新一代HPT Pro 3~15kW三相并网逆变器系列产品提供1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7系列，业内领先的1200V CoolSiC™ MOSFET功率器件，以及配套使用的EiceDRIVER™隔离型栅极驱动，助力海鹏科技继续在分布式能源领域的技术领先，共同探索绿色能源技术与应用的新前沿。
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新品推荐：-60V SGT介绍
2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流，独特的栅极负压开启机制，使其成为高端开关的理想选择。P 沟道MOSFET特性的优势在于可简化栅极驱动技术，降低应用的设计复杂度，从而降低整体成本。
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东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。TLP5705H是东...
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常见的栅极驱动光电耦合器的更换方法解析
相信大家都或多或少接触过电子产品，那么大家都不怎么会关注这些电子产品的一些组成元器件，比如栅极驱动光电耦合器，那么你知道如何更换老化的栅极驱动光电耦合器吗?
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关于功率开关MOSFET的栅极驱动，你知道吗？
伸缩门功率开关MOSFET的栅极驱动?它有什么作用?本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。
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FAN7191_F085: 高电流、高端与低端、栅极驱动 IC
FAN7191_F085 是单片高端和低端栅极驱动 IC，可以驱动工作电压最高达 +600V 的高速 MOSFET 和 IGBT。 它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叠导通。
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独特的栅极驱动应用支持高功率放大器快速开启/关闭
本文提出了一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路，为快速开关 HPA 提供了另一种方法，同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于 200 ns，相对于 1 μs 的目标还有一些裕量。其他特性包括：解决器件间差异的偏置编程能力，保护 HPA 免受栅极电压增加影响的栅极箝位，以及用于优化脉冲上升时间的过冲补偿。
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一个用于驱动栅极驱动变压器的简单电路
在我的上一篇关于EE时代的电源技巧博文中，我讨论了如何使用一个双开关反激式电路来提升低功耗隔离式转换器的效率。与单开关反激式电路相比，双开关反激式电路的主要代价就是需要一个浮动的高侧驱动。一个栅极驱动变
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东芝推出低高度封装轨对轨输出栅极驱动光电耦合器
东芝公司今天宣布推出采用低高度SO6L封装的轨对轨输出栅极驱动光电耦合器，用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。量产出货即日启动。新款光电耦合器包括
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东芝推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器
东芝公司宣布推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器，用于驱动中小功率IGBT和功率场效应晶体管(MOSFET)。批量生产定于1月底开始。新产品“TLP5701”(用于驱动小功
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简化多输出隔离DC-DC转换器设计的栅极驱动变压器
通常情况下，设计隔离式DC-DC转换器时遇到的最大阻碍便是变压器设计，设计者往往因此望而却步，从而选择其它更简捷的设计任务。利用市售的栅极驱动变压器特性，就可以获得四
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简化多输出隔离DC-DC转换器设计的栅极驱动变压器
通常情况下，设计隔离式DC-DC转换器时遇到的最大阻碍便是变压器设计，设计者往往因此望而却步，从而选择其它更简捷的设计任务。利用市售的栅极驱动变压器特性，就可以获得四
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数字控制提高了直流-直流转换器的效率
随着能源价格的上涨和各项“环保”计划的成功开展，私营公司和政府监管部门对电源制造商的要求逐渐提高。欧盟委员会(欧盟(EU)的执行机构)和美国环境保护署(EPA)对服务器电源的要求进一步升级，现已涵盖各种
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IR推出采用SOT-23-5L封装的IRS44273L紧凑型低侧栅极驱动IC
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC，能够有效提供高驱动能力。IRS44273L易于使用，为IGBT
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数字控制提高了直流-直流转换器的效率
随着能源价格的上涨和各项“环保”计划的成功开展，私营公司和政府监管部门对电源制造商的要求逐渐提高。欧盟委员会(欧盟(EU)的执行机构)和美国环境保护署(EPA)对
