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低栅压NMOS栅极电阻与泄放电阻的摆放位置解析
在低栅压NMOS(栅源阈值电压Vgs(th)通常低于3V)的电路设计中，栅极电阻(RG)与泄放电阻(RGS)的摆放位置并非简单的“就近布置”，而是直接决定电路稳定性、开关特性和抗干扰能力的关键环节。低栅压NMOS因驱动阈值低，对栅极电压波动、寄生参数更为敏感，不合理的电阻布局会导致器件误触发、开关损耗增大、EMI干扰超标等问题，甚至烧毁器件。
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一款62mm器件半桥拓扑设计的CoolSiC™模块
在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的CoolSiC™ MOSFET模吗?
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意法半导体推出紧凑型SO-8W封装6kV磁隔离高压栅极驱动器
意法半导体发布了紧凑的高压栅极驱动器STGAP2HS，适用于栅极驱动侧与低压控制接口电路之间要求6kV电隔离的应用场景。
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详解IGBT系统
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应)，又有双极
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Vishay新款栅极电阻具有6.5kW高功率和+400℃工作温度
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作温度，以及稳健的设计，可直接替换竞争的解决方案。今天发布
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栅极电阻与泄放电阻
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S;第一个作用好理解，这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S：场效应管的
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新型SiC功率器件在Boost电路中的应用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性，以升压斩波电路为载体，通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响，以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时，以SiC MOSFET功率器件为核心搭建
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MOS管栅极电阻在工业电源中的作用
1.是分压作用 2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止 3.防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是防止过压产生) 4.全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极悬空，悬
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MOS管栅极电阻在工业电源中的作用
1.是分压作用2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止3.防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是防止过压产生)4.全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，
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浅析栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(on
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IGBT系统的介绍
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功
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IGBT系统的介绍
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功
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栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
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栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
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使用栅极电阻控制IGBT的开关
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压（VG(
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使用栅极电阻控制IGBT的开关
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压（VG(
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应用散射技术测试复杂Spacer结构
长久以来，散射技术已充分展示其精准测量简单结构的能力，例如对浅沟槽隔离结构（STI）和栅极模块的量测。但是，IC制造商现在需要监测和控制越来越复杂的结构。Spacer是目前散射技术正在处理的复杂结构之一。Spacer会
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应用散射技术测试复杂Spacer结构
长久以来，散射技术已充分展示其精准测量简单结构的能力，例如对浅沟槽隔离结构（STI）和栅极模块的量测。但是，IC制造商现在需要监测和控制越来越复杂的结构。Spacer是目前散射技术正在处理的复杂结构之一。Spacer会
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淡然浅笑不离ROY
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林翊宸爸爸
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