电子器件向着小型化方向发展，GaN解决方案提供的高功率密度使器件尺寸变得更小，从而简化了设计过程中的布局并减少了损耗。宽带隙甚至可以在高温下运行。 GaN器件还可以以比其硅等效器件更高的频率工作，移动速度最高可快10倍。
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