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MOS管关断缓慢致恒流区与夹断区临界点发热严重的机理及解决对策
MOS管作为电压控制型功率半导体器件，凭借高频开关特性、低导通损耗等优势，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子电路中，其工作稳定性直接决定整个电子系统的可靠性与能效水平。在理想工况下，MOS管应在导通与关断状态间瞬时切换，开关损耗可忽略不计，但实际工程应用中，关断缓慢导致器件长时间停留于恒流区与夹断区临界点的问题频发，引发剧烈发热，不仅降低电路效率，还会加速器件老化，甚至导致MOS管烧毁、系统瘫痪，成为电力电子设计中的核心痛点。本文结合MOS管工作特性，深入剖析该现象的内在机理、影响因素，并提出针对性优化方案，为工程设计提供参考。
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MOS管关断缓慢进入恒流区和夹断区临界点导致发热严重
MOS 管作为电力电子电路中的核心开关元件，其工作状态主要分为导通区、恒流区(饱和区)和夹断区(截止区)三大区域。导通区时，MOS 管导通电阻极低，电流通过时损耗可忽略;夹断区时，漏源极之间几乎无电流通过，同样处于低损耗状态。而恒流区与夹断区的临界点，是 MOS 管从导通转向截止的关键过渡阶段，此时器件的电压、电流特性发生剧烈变化，成为损耗与发热的核心敏感区。
